Al2O3：Ni^2＋晶体的局域结构研究

应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型，建立了零场分裂(Zero-Field Splitting)参量D与Al2O3：Ni^2 晶体局域结构之间的关系式，并通过计算零场分裂参量D值，发现掺Ni^2 离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变，零场分裂参量计算结果与实验符合．     

D_(4h)对称下~5D,~3L和~1L态的哈密顿矩阵研究及它的应用

本文推导了3d4／3d6离子在D4h对称下5D、3L（L＝P，D，F，G，H）和1L（L＝S，D，F，G，H）态的哈密顿矩阵元，其中包括晶场、自旋-轨道、自旋-自旋相互作用及Trees’修正．基于这个矩阵，利用完全对角化方法，研究了K2FeF4中Fe2＋离子的EPR零场分裂参量D，a，F，所得结果与实验符合很好．将本文结某与以前研究比较证明晶体中Fe2＋的低自旋态（3L和1L）对零场分裂的贡献是重要的，尤其对四阶零场分裂参量a和F.进一步研究是必要的。     

Cr3+在 AlBr3·6H2O晶体中电子顺磁共振光谱的理论研究

采用半自洽场(Semi-SCF)Cr3+3d轨道径向波函数、点电荷模型和三级微扰方法,计算了AlBr3·6H2O: Cr3+晶体中Cr3+电子顺磁共振的g(g=1.9707)因子和零场分裂D(D=-0.0323),理论值与实验值(实验值g=1.976±0.001,D=-0.0325±0.0001)符合很好。并认为在AlBr3·6H2O: Cr3+晶体中取键长R(Cr3+—O2+)=0.191nm是合理的。同时Cr3+离子掺入AlBr3·6H2O中占据Al3+离子位置后,引起键角较小的改变,仅增加0.35°。     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

钇铁榴石中Fe~(3+)离子的吸收光谱和EPR零场分裂研究

本文在晶体场理论的基础上．用晶场自旋——轨道耦合矩阵对钇铁榴石（YIG）中Fe3+（3d5组态）离子的吸收光谱，基态分裂常数，零场分裂参量D进行了统一计算．所得结果与实验符合较好，说明自旋——轨道耦合作用是导致基态分裂的主要原因，解释了被认为是一个理论疑惑的Fe3+离子零场分裂参量D问题。     

AlX3·6H2O(X=Cl,Br)晶体中Cr3+离子零场分裂D和g因子的理论计算

采用半自洽场(Semi-SCF)Cr3+3d轨道径向波函数、点电荷模型和三级微扰方法,计算了晶体AlCl3·6H2O:Cr3+和AlBr3·6H2O:Cr3+中Cr3+电子顺磁共振的g因子和零场分裂D,理论值与实验值符合很好,因此认为在AlBr3·6H2O:Cr3+晶体中取键长R(Cr3+-O2+)=0.191nm是合理的.同时Cr3+离子掺入AlBr3·6H2O中占据Al3+离子的位置后,引起键角较小的改变,增加Δ=0.350.     

Na_2Z_nCl_4·3H_2O:M_n~(2+)的零场分裂随压力变化的迭加模型研究

本文使用迭加模型建立起了~6S(d~5) 态离子零场分裂 D 与 C_(3V)空间对称晶体结构间的关系。并用于计算 N_aZ_nCl_4·3H_2O:M_n~(2+)的零场分裂 D 随压力的变化,得到了 D 值随压力增加而增大是通过晶胞键长 R 和键角θ同时随压力改变而引起的结果,满意的解释了实验现象。     

Fe(SPh)_4~(-2)中谱线结构的Jahn-Teller效应和零场分裂参量

Fe(SPh)4-2是一种局域近三角对称的八面体,Fe2 为中心离子.利用不可约张量理论,建立了3d4/3d6离子三角对称(C3*v)的完全能量矩阵.利用EPR理论获得零场分裂的理论公式,通过对角化完全能量矩阵的方法,计算了基态能级分裂与零场分裂参量(D,F-α),理论结果与实验一致.同时,该物质的光谱结构存在Jahn-Teller效应.     

Y2Ti2O7: Cr3+晶体中Cr3+杂质中心EPR参量及缺陷结构研究

本文利用强场图像中的高阶微扰公式计算了Y₂Ti₂O₇:Cr³⁺晶体的电子顺磁共振谱（EPR）参量(g因子g_//,g⊥和零场分裂D),计算中采用双旋-轨耦合参量模型,同时考虑了中心离子和配体的旋-轨耦合对EPR参量的贡献,计算结果与实验值很好地吻合.结果表明Cr³⁺掺入Y₂Ti₂O₇晶体会引起O^2-偏向[111]方向（C₃轴）2.55°,同时,杂质中心O^2--Cr³⁺键长相对于基质晶体的O^2--Ti⁴⁺键长增加0.005 A.     

KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

Surface interactions of MoO3/α-Fe2O3 system

α-Fe2O3-supported molybdena catalysts have been prepared by heating a mixture of MoO3 and α-Fe2O3. XRD, XPS, LRS, TG-DTA and Mssbauer spectroscopy were used to characterize the interactions between MoO3 and α-Fe2O3. The dispersion capacity of MoO3 on the surface of α-Fe2O3 determined by XRD and XPS was 0.8 mmol/100m2 α-Fe2O3 in the samples calcined at 420℃. For the sample with low MoO3 loading, LRS and FT-IR results showed that Mo6+ions were located in the tetrahedral vacant sites on the surface of α-Fe2O3, signed as Mo-Ⅰ. The amount of Mo-Ⅱ species, formed by Mo6+ ions incorporated into the octahedral vacant sites, increased with the MoO3 loading. Based on the assumption that the (001) plane of α-Fe2O3 is preferentially exposed, almost all the Mo6+ ions of the dispersed molybdena species existed at the surface octahedral sites for the sample with MoO3 loading close or beyond the dispersion capacity, and formed the Mo-Ⅱ species. In this case, the capping O2- ions linking with the incorporated Mo6+ ions formed a surface epitaxial structure, which was in good agreement with the results predicted by the incorporation model proposed previously. XRD and Mssbauer spectroscopy of the MoO3/α-Fe2O3 samples calcined at different temperatures showed that the calcination temperature could strongly influence the interaction extent: (ⅰ) at 420℃, MoO3 dispersed on the surface of α-Fe2O3 and formed surface Mo species;(ⅱ) at 500℃, MoO3 reacted with the bulk of α-Fe2O3 and formed Fe2(MoO4)3 compound.     

S4+离子3s2-3s3p和S5+离子3s-3p电子碰撞激发截面

利用全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了阈值附近不同入射电子能量下S~(4+)离子基态3s~(21)S_0到激发态3s3p ~3P_(0,1,2)~1P_1和S~(5+)离子基态3s ~2S_(1/2)到激发态3p ~2P_(1/2)~2P_(2/3)精细结构能级的碰撞截面,在两种关联模型下,分析了组态相互作用对碰撞截面的影响.目前的计算结果与Wallbank实验值~([14])相比,得到很好的一致性.     

基于VRML的3D人—人交互界面的研究与实现

提出用 Ｖ Ｒ Ｍ Ｌ 技术实现 Ｃ Ｓ Ｃ Ｗ 系统中的３ Ｄ 人—人交互界面, 论述了基于 Ｖ Ｒ Ｍ Ｌ 的３ Ｄ 人—人交互界面的基本特性、实现方法及其通用性这种基于 Ｖ Ｒ Ｍ Ｌ 的３ Ｄ 人—人交互界面,较２ Ｄ 人—人交互界面,能为群体提供更丰富的协作信息,尤其是协作者身体活动的状态信息,使群体人员能更直观、更自然地交互;它实现了虚拟现实的效果,又可以不需要虚拟现实设备的支持,且与平台无关;它包含了２ Ｄ 界面和３ Ｄ 界面,两者可相互通信,协调工作,适用于需要集成２ Ｄ 和３ Ｄ 界面的 Ｃ Ｓ Ｃ Ｗ 系统,具有较广的通用性利用 Ｖ Ｒ Ｍ Ｌ 技术来构造 Ｃ Ｓ Ｃ Ｗ 系统中的３ Ｄ 人—人交互界,可以大大缩短系统的研究和开发周期     

在PbTiO3中的铁电相到顺电相变

考虑在O－Ti-O链上的Sahn-Tellen效应和库仑相互作用，我们讨论了PbTiO3的结构相变。从简单的类氢原子和有效电点荷模型出发，计算了PbTiO3铁电相到顺电相相变温度，计算结果和实验数据符合。     

南水北调工程倒虹吸结构三维节理元计算模型的建立

建立了南水北调工程倒虹吸结构的力学计算模型 .通常 ,在工程实际中大多采用平面的力学模型 ,三维的力学模型由于其复杂性而很少被用于工程实际 .因此 ,为了使模型接近实际情况 ,采用了三维有限元 ,但结构的材料与周围土层的性质相差较大 ,有可能在其接触面上产生错动滑移或开裂 .为防止出现这种情况 ,本文提出采用特殊的接触面单元 ,建立倒虹吸结构与地基相互作用的三维节理元模型 .     

3DVC的交互行为及设计

合理有效的交互行为,可以让学生对知识有更好的认知、理解、掌握和获得,是决定教学质量的重要因素.创建了一个基于多代理技术的三维虚拟教室(3DVC)教学平台,实现虚拟学习环境中的交互行为.具体分析了3DVC的系统体系结构,设计了用户化身代理、化身智能寻径、教学场景的智能跟踪等.给出了3DVC的教学实现效果.通过平台,可以直观观察学生之间的交互情况,体现了知识认知、情感态度、信息交流方面的虚拟现实的交互行为.     

基于鼠标跟踪的三维交互机制的研究

目的实现三维场景中符合自然习惯的六自由度的三维交互方式。方法在三维场景中建立一个和物理鼠标运动保持一致的3D鼠标(三维模型),3D鼠标在地图空间和视景体之内可以沿各个方向自由运动,超出时进行越界处理,以OpenGL的拾取机制为基础研究新的适用于3D鼠标的拾取方法。结果设计了一种基于鼠标跟踪的三维交互机制,描述了该机制的详细设计策略及原理,提出了3D鼠标运动、越界检测、拾取的有效算法,通过模拟实验实现了融于三维场景的真正意义上的3D鼠标。结论该3D鼠标操作逼真,能够在三维场景中自由运动、有效地进行越界检测以及精确地拾取三维场景中的物体,理论和实践证明该设计机制是可行的。     

城市广场设计中的3D技术与人机互动

3D技术是一种新兴的计算机技术 ,它给城市广场设计带来了很大的便利。但是 ,目前在其使用中存在着一些误区。3D技术作为一种技术手段 ,不能取代设计者的思维和创造。该文旨在论述如何科学地利用 3D技术 ,以“人机互动”的工作方式解决广场设计中的问题。论述了概念模型、三维监控、动态模拟及光源虚拟 4种实现人机互动的设计方法 ,利用科学的方法和技术工具 ,从而激发设计者的思维活力     

蜻蜓滑翔时三维串列柔性双翼气动效能分析

为进一步揭示蜻蜓翼在被动的柔性变形和串列双翼柔性干涉作用下对气流的影响机制,本文基于STAR-CCM+软件,采用流固耦合方法对Navier-Stokes方程进行数值求解。研究了杨氏模量为3 800 MPa、泊松比为0.25时,蜻蜓柔性复翼的变形及其气动特性响应规律。研究表明：蜻蜓翼保持正向高置差气动布局均会带来相似且有益的影响。迎角5°时,1.2 mm的高置布局相比低置气动布局的升力系数提升了5.2%,当迎角增大到25°时,差值达到19%。双翼干涉效应下,前翼的气动特性会得到明显的提升,后翼虽会损失一定的气动力,但总体而言,动态干涉是有益的。从双翼气流分离下诱导的后缘涡强度来看,后翼的涡要明显强于前翼。9 m/s以后,蜻蜓滑翔时由前翼承担主要载荷的方式缓慢过渡到后翼,而且后翼翼梢处受载较明显,其最大变形达到16 mm;扭转变形方面：速度一定时,随着滑翔时失速迎角增大,后翼的动态弯扭变形明显强于前翼,验证了蜻蜓翼大迎角下利用后翼机动滑翔的观点。     

d~3电子系中自旋轨道相互作用能量矩阵的计算

本文给出了强场方案中d3电子系的最大自旋多重态4F、4P的自旋轨道耦合相互作用能量矩阵。这一计算方法,容易推广到其它多重态和dN电子系中去。