HF-He相互作用势及碰撞截面的研究

作者首先拟合出了ＨＦ分子与Ｈｅ原子的相互作用势,然后用密耦方法计算了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系两种势能的散射截面,并比较了不同势能下的散射截面,研究了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系散射截面的变化规律。     

He-HCl势能模型对散射截面影响的比较研究

针对He-HCl碰撞体系的3种不同势能模型,采用公认的精确度较高的密耦(close-coupling)近似方法,分别计算了He-HCl体系的微分散射截面、分波散射截面和总截面;并对计算结果进行了比较及分析.研究表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面特别是激发截面有较大的影响.从而为根据散射截面准确地确定He-HCl碰撞体系的相互作用势提供了一种新方法.     

Ne原子与H2、D2、T2分子碰撞微分散射截面的研究

本文使用Hariharan计算的短程自洽场排斥势数据,拟合了Tang-Toennies势模型中排斥势参数,用该模型和密耦近似(Close-Coupling)方法计算了惰性气体原子Ne与H2、D2、T2分子在碰撞能量为83.8 meV时的微分散射截面, 并与实验值和文献值进行了比较.本文计算的微分散射截面值与实验值和文献值均符合得较好.使用同样的方法,本文还计算了碰撞能量在95 meV、155 meV时Ne-H2、Ne-D2、Ne-T2三个体系的微分截面,得出了三个体系的微分散射截面随碰撞能量的变化规律.     

氦-氢分子相互作用势对He-H_2碰撞激发截面的影响

使用Tang-Toenn ies势模型的两种形式通过密耦近似方法计算了惰性气体He与H2碰撞的弹性和转动激发散射截面及微分散射截面,原子入射能量分别为0.05 eV~0.65 eV,对计算结果进行分析比较。     

HCl-He相互作用势及碰撞截面的理论计算

利用三种势采用密耦合方法计算了ＨＣｌＨｅ碰撞体系的散射截面,比较了不同势模型下截面的异同,讨论了势函数的变化对散射截面的影响,并指出了这种影响的规律性     

He-HCl体系散射截面随能量变化规律的研究

作者首先以拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据,获得了He-HCl体系相互作用的各向异性势,并与其它势模型进行了比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用密耦近似方法,计算了He-HCl碰撞体系在不同碰撞能量下的微分散射截面、分波散射截面和总截面,得到了散射截面随能量变化的规律.研究表明:小角散射几率大于大角散射几率;碰撞能量越高,体系的散射几率越小,量子效应越不显著,尾部效应越弱,得到收敛的分波截面所需的分波数也越多.     

多光子康普顿效应下的自由电子激光中电子与光子碰撞截面的 …

籍助电子与光子的碰撞，计算了在多光子康普顿效应条件下光子的散射截面的表砂式，得出在多光子康普顿效应下，电子对光子的散射截面随因子ｎｗ１／ｍ而迅速减小的结论。     

HCl—He相互作用势及碰撞截面的理论计算

利用三种势采用密耦合方法计算了ＨＣｌ－Ｈｅ碰撞体系的散射截面，比较了不同势模型下截面的异同，讨论了势函数的变化对散射截面的影响，并指出了这种影响的规律性。     

多光子康普顿效应下的自由电子激光中电子与光子碰撞截面的特性

籍助电子与光子的碰撞，计算了在多光子康普顿效应条件下光子的散射截面的表示式，得出在多光子康普顿效应下，电子对光子的散射截面随因子ｎω１／ｍ而迅速减小的结论。     

溅射输运理论中的经典散射截面

利用溅射理论中常用的 Lindhard标度相互作用势碰撞散射分析了 Sigmund单幂散射截面与双幂散射截面之间的区别。分析表明 ,对于 Born- Mayer相互作用势碰撞散射 ,双幂截面可以给出比单幂截面好得多的描述。特别对于 Urbassek的 Kr- C相互作用势 ,只有利用双幂截面求解输运方程才能计算出反冲密度函数比较好的近似值     

He-HBr碰撞体系转动激发截面的研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.     

He-HF碰撞体系转动激发截面的理论研究

运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。     

用复合势模型研究电子对原子的散射

构造了一种简化的电子与原子碰撞的复合势原子模型,并结合势能独立性原理的思想,研究了中等能量电子对原子的散射,得出了电子受原子散射的各种截面的理论计算公式,探索性地将独立性原理方法应用于电子与原子的碰撞截面的计算.应用复合势模型编程计算了电子被氦原子散射的总散射截面,计算结果与实验数据较符合.     

低能氖原子与H_2(D_2、T_2)分子碰撞分波截面的理论研究

用密耦方法及Tang Toennies势模型计算了Ne H2 (D2 、T2 )碰撞体系的碰撞截面 ,得到了H2 分子的对称同位素替代情形下Ne H2 (D2 、T2 )三碰撞体系分波截面的变化规律     

惰性气体和H_2分子碰撞截面计算研究

用T .T(K .T .TangJ.Peter .Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦 (Close -Coupling)近似方法计算了E =0 .0 5ev时 0 0 - 0 0弹性碰撞 0 0 - 0 2非弹性碰撞 ,得出氢分子转动激发分波截面 ,并研究了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律 .     

惰性气体原子与氢的同位素分子D2碰撞分波截面理论研究

用T．T（Tang—Toennies）势模型和密耦计算方法分别计算了入射原予的相对碰撞能量E=0．05eV,0．15eV,0．25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe—D2碰撞体系的00—00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原予与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律．结果表明：对00—00弹性碰撞,分波截面随量子数,的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原予的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化．     

惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞微分截面研究

用Tang Toennies势模型和较高精确度的密耦(Close Coupling)近似方法,计算了E=0.05eV整簇惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞体系00 00弹性碰撞及00 02非弹性碰撞微分截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,微分截面随体系的约化质量和角度的增加而变化.     

惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞总截面的理论研究

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了能量E=0．05、0．10、0．15、0．20eV和0．25eV时惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞体系的碰撞总截面，得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系总截面随能量增加的变化规律。     

He-N_2碰撞体系分波截面的理论计算

运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。