用XPS对激活过程中的GaAs光电阴极的表面分析

对ＧａＡｓ光电阴极激活过程中各阶段做了Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表面分析，根据ＸＰＳ分析所得数据，改进了激活工艺，提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Ｃｓ和Ｏ２量，并提出了Ｃｓ和Ｏ２在ＧａＡｓ表面排列的模型．     

硒酸酯多糖和亚硒酸钠抗白血病效应的实验研究

应用ＭＴＴ比色分析法和细胞克隆形成法比较研究了有机硒化物——硒酸酯多糖（Ｋａｐｐａ－ｓｅｌｅｎｏｃａｒｒａｇｅｅｎａｎ，ＫＳＣ）和无机硒化物——亚硒酸钠（Ｎａ２ＳｅＯ３）对白血病Ｋ５６２细胞的作用．结果表明：ＫＳＣ和Ｎａ２ＳｅＯ３体外在实验浓度范围内均对Ｋ５６２细胞的增殖具有显著的抑制作用，并有剂量反应关系（ｐ＜０．００１）；Ｋ５６２细胞中具有自我更新能力的细胞群体（克隆形成细胞）对硒的抑制作用更敏感；ＫＳＣ的抗白血病效应明显高于含同样硒量的Ｎａ２ＳｅＯ３，ＫＳＣ的作用约为Ｎａ２ＳｅＯ３的５倍．本研究证明药理剂量的硒可显著抑制白血病细胞的增殖，有机硒比无机硒具有更高的抗白血病活性     

Sol-gel法合成Bi_(1.6)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3O_x体系的超导材料的研究

本文用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高ＴＣ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，（超导转变温度为１０８．３～１１６．１Ｋ）并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较．用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间（缩短６０ｈ），促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短（缩短１５３ｈ）．利用ＳＥＭ和Ｘ－ｒａｙ观察和分析了样品的形貌特征和物相结构．Ｓｏｌ－ｇｅｌ法具有工艺简单，烧结时间短，样品颗粒均匀、粒度小、组分易控等优点，在高ＴＣ超导材料中不失为一种行之有效的材料制备工艺．     

盐胁迫下Na^＋,K^＋,Cl^—对碱蓬和玉米离子的吸收效应

用ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＮＯ３和ＫＮＯ３处理碱蓬（Ｓｕａｅｄａｓａｌｓａ）和玉米（Ｚｅａｍａｙｓ）幼苗,发现ＮａＣｌ胁迫引起Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｍｇ２＋、Ｆｅ２＋、Ｚｎ２＋、ＮＯ－３等必需元素的含量降低．认为ＫＣｌ和ＫＮＯ３处理引起碱蓬幼苗幼叶黄化的主要原因是Ｎａ＋的缺乏;ＫＣｌ处理引起玉米和碱蓬幼苗的干枯死亡主要是由于植物体内高浓度Ｃｌ－引起的;Ｎａ＋是引起盐生植物碱蓬叶片肉质化的重要因子;Ｃｌ－是刺激碱蓬生长的重要因子     

N_（503）从H_（2）SO_（4）－Cl~－、Br~－、I~－体系中萃取铋

Ｎ＿（５０３）是国产的酰胺类萃取剂．它在有色和稀有金属萃取分离上得到了日益广泛的应用￣［１～３］．本文研究Ｎ＿（５０３）从Ｈ＿２ＳＯ＿４－ＮａＣｌ、Ｈ＿２ＳＯ＿４－ＮａＢｒ、Ｈ＿２ＳＯ＿４－ＫＩ三个体系中萃取铋的规律，探索萃取能力与水相络阴离子ＢｉＣｌ￣－＿４、ＢｉＢｒ￣－＿４和ＢｉＩ￣－＿４稳定性的关系．研究了水相酸度和Ｃｌ￣－、Ｂｒ￣－、Ｉ￣－浓度对Ｎ＿（５０３）萃取铋的影响，取得了较好的结果，不仅对有色和稀有金属的萃取分离有重要的实际意义，而且对萃取化学理论也有一定的价值．     

锑在硼砂溶液中阳极成极膜规律的研究（Ⅱ）

本文利用线性电位扫描，ｘ射线衍射和恒电位阳极极化电流与时间的关系研究了锑在０．０５ｍｏｌ·ｄｍ－３Ｎａ２Ｂ４Ｏ７＋０．５ｍｏｌ·ｄｍ（－３）Ｎａ２ＳＯ＿４溶液中（ＰＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极形成膜相组成及其生长规律。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要组成是Ｓｂ＿２Ｏ＿３和ＳｂＯＨＳＯ＿４·Ｈ＿２Ｏ，膜生长规律大致包括金属的溶解→氧化物膜的形成与增厚→膜的钝化。     

利用热带假丝酵母提高酶解马铃薯汁的蛋白质含量

马铃薯汁用糖化酶水解，接种热带假丝酵母，在摇床中３０℃，１２０ｒ／ｍｉｎ培养３ｄ．分别用（ＮＨ４）２ＳＯ４或柠檬酸铵为氮源，用Ｎａ２ＨＰＯ４－ＫＨ２ＰＯ４缓冲液和ＣａＣＯ３为ｐＨ值稳定物质时，测定发酵基质中蛋白质的增加量．结果表明，以（ＮＨ４）２ＳＯ４为氮源，用Ｎａ２ＨＰＯ４－ＫＨ２ＰＯ４缓冲液（０．０２ｍｏｌ／Ｌ，ｐＨ６．８）和ＣａＣＯ３（０．３％）为ｐＨ稳定物质时，发酵基质中蛋白质含量的增加值最大，以干重计，蛋白质含量从１０．４％增加到３９．６％．     

钾霞石与白榴石对铝碳材料影响的量化从头算

应用量子化学从头算方法探讨了Ａｌ２Ｏ３－Ｃ材料的碱蚀产物－钾霞石与白榴石对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ材料的物理，化学性能的影响机理，给出了合理的微观解释。研究表明，Ａｌ２Ｏ３－Ｃ材料在高温碱蚀条件下，其中的Ａｌ２Ｏ３和ＳｉＯ２与Ｋ２Ｏ工Ｋ２ＣＯ３形成ＫＡｌＳｉＯ４及ＫＡｌＳｉ２Ｏ６Ｆ６。使原Ａｌ２Ｏ３中的原子间距增大，结构改变，原子间结合力大大下降。     

锑在弱碱溶液中阳极成膜规律的研究

利用恒电位阳极极化电流与极化时间的关系、线性电位扫描及Ｘ射线衍射研究了锑在２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３ＮａＨＣＯ３＋２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＣＯ３＋５．０×１０－４ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＳＯ４溶液中（ｐＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极成膜规律及膜相组成与结构。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要由Ｓｂ２Ｏ３（斜方）晶体构成，成膜规律为锑的溶解与锑氧离子ＳｂＯ＋的生成→锑氧化物膜的形成与增厚→氧化物膜的钝化。     

高价阴离子在PEG水溶液中的粘度B系数

测定了ＮａＣｌ、ＫＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４、Ｎａ２ＣＯ３、Ｎａ３ＰＯ４在ＰＥＧ水溶液中的相对粘度,利用Ｊｏｎｅｓ－Ｄｏｌｅ方程求出了粘度Ｂ系数,结果表明Ｂ系数具有良好的加和性,以ＫＣｌ为参考电解质计算了单个离子Ｂ系数,发现ＳＯ＾２－４,ＣＯ＾２－３,ＰＯ＾３－４的Ｂ系数随着ＰＦＧ浓度的增大而减小,温度系数ｄＢ／ｄＴ大于零,表明ＳＯ＾２－４,ＣＯ＾２－３,ＰＯ＾３－４对ＰＥＧ水溶液结构呈破坏作     

内场助结构Ag-O-Cs光电发射薄膜真空制备研究

通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag-O-Cs 光电发射薄膜。Ag-O-Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明,该方法能够有效地实现Ag-O-Cs 薄膜体内电场的加载与表面电极的引出,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag-O-Cs 薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化、低能电子参与光电发射等物理机制有关。     

锑化物光电阴极的量子效率

研究了晶粒间界对光电发射的影响，仔细考虑了在单位能量间隔内参与光跃迁的有效电子态密度和光电子逸出几率，提出锑化物阴极的光电发射模型，并导出了量子产额的表达式．借助电子计算机，计算了各种锑化物阴极的量子产额，理论和实验符合较好．     

Au—Si界面的室温反应

本文利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有的结果都表明,与Au—Si(111)和Au—Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML,从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特性。根据我们的实验结果,还讨论了Au—Si界面形成的可能模型。     

稀土元素在Ag-BaO光电薄膜中的作用

根据光电阴极的固溶胶理论,结合实验结果对稀土元素在Ag-BaO薄膜中的作用及其对光电发射性能的影响进行了分析。结果表明,增强光吸收和改善光电子输运条件是提高Ag-BaO薄膜光电发射电流的两个因素,而Ag纳米粒子的粒度对这两个因素都有重要影响。由于金属纳米粒子的光吸收是表面等离子激元的吸收,稀土元素在Ag-BaO薄膜中对Ag纳米粒子的细化,球化和密集的作用,使纳米粒子总表面增大,有利于增强薄膜的光吸收能力。Ag纳米粒子的细化还能够增大等效洛仑兹振子能量,降低金属微粒与半导体等效界面位垒,改善光电子输运条件,因而稀土元素在Ag-BaO薄膜中可以起到提高Ag-BaO薄膜的光电发射性能的作用。     

高位阻硅基取代2-氨基吡啶二聚锂化物的合成及表征

以2-氨基吡啶为原料,经正丁基锂去氢后与[N,N-二(三甲基硅基)]氨基-二甲基氯硅烷反应,再次与正丁基锂反应,合成了一种新型有机锂化合物,并通过X-ray单晶衍射、1 HNMR对该化合物进行了分析和表征.     

金属间化合物Ni3Si合金的燃烧合成

采用燃烧合成方法制备低放热反应体系的Ni3Si和Ni3(Si0.9,Ti0.1)合金粉体材料,研究了球磨时间、预热温度、合金化元素Ti对燃烧合成的影响.实验证明,机械活化、热学活化和合金化元素Ti的加入均能降低点火温度,加速燃烧合成反应的进行.同时采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了产物的物相组成和微观形貌变化.     

室温常压等离子体法合成氨研究(英文)

在室温常压条件下,氮氢混合气体（混合比为1：3,流量为氮气40毫升／分钟、氢气120毫升／分钟）流经自制石英玻璃气套,石英玻璃气套上安装有一对柱面电极,此电极对与交流电源相连接,电源的输出电压为15KV,频率是20KHz（或50Hz）。流过石英玻璃气套的氮氢气体被高电场强度所激活,具有了化学活泼性。有一定平动动能的氮氢气体分子频繁地相互碰撞,可引发化学反应,能合成（生成）氨。室温常压等离子体法合成氨转化率影响较大因素有：1）放电频率;2）当放电频率固定在20KHz时电源输出电压值;3）氮氢混合比;4）反应气体的温度。     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

基于离心试验的承压水基坑变形稳定影响因素

针对上海地铁M8线黄兴路车站深基坑,采用离心模型试验研究第⑥硬土隔水层缺失与否、基坑开挖深度和承压水头高度等因素对承压水基坑变形稳定的影响.试验研究结果显示:(1)不论存在或缺失第⑥隔水层,基坑最大变形均随着开挖深度和承压水头的增加呈非线性增大,开挖深度影响最大的是坑周地面沉降和连续墙墙脚位移,承压水头影响最大的是连续墙墙脚位移和坑底隆起变形.(2)不论存在或缺失第⑥隔水层,开挖深度对基坑变形影响的敏感性比承压水头大.(3)基坑开挖深度较小、承压水头较低时,第⑥隔水层缺失与存在相比,基坑最大变形差异较小;随着开挖深度和承压水头的增大,两者变形的差异越来越大,缺失第⑥隔水层不利于基坑稳定.     

金属极化行为影响因素的研究

通过测定铁和碳钢电极在不同的电解质溶液、碳钢电极在不同浓度和温度的(NH4)2CO3溶液中的极化曲线来研究电极材料、电解质溶液的种类、(NH4)2CO3溶液的浓度以及温度等因素对金属钝化行为的影响.