Ga／As／Al／As超晶格低温光伏特性

在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。     

GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光

在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13156cm-1和ν=12289cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好.     

InGaAs／GaAs应变单量子阱的表面光伏谱

采用表面光伏谱方法,测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量、强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系     

Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。     

表面品格振动的高分辨电子能量损失谱研究

阐述了利用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究表面晶格振动的原理和方法,结合2种不同类型的半导体GaAs(110)和Si(111)表面声子谱的实验观察,讨论了表面声子谱的特征。确定了GaAs(110)剖理面在液氦温度下及Si(111)剖理面在室温下的表面声子能量分别为35.6和56meV,其1次增值峰对损失峰的相对强度分别为0.002和0.1。     

氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响

在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中，由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在，使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度，样品经过氢等离子体处理后，其光电性质明显改善。     

■注入Si 的晶格应变与扩展电阻

本文用全自动化x射线衍射仪给出了As~+注入Si的x射线衍射峰分布。用Levenberg-Marguarat法模拟实验曲线,根据x射线衍射的运动学理论,在试探应变函数和多层模型的基础上,通过自编程序计算给出了As~+注入Si后晶格变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化。同时,测量了As~+注入Si后在不同温度下的扩展电阻,将扩展电阻换算成电阻率。结果表明,离子注入引起晶体微观结构的变化——晶格应变与晶体宏观电学性质——电阻率的变化基本上一致。     

多孔硅／硅带隙参数的研究

测量了不同电腐蚀条件下制备的多孔硅／硅光伏谱，推导了带隙参数的计算公式．表面光伏谱测量计算值与光致发光的实验结果基本一致．     

多孔硅电学性质的初步研究

采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构．Ⅰ－Ⅴ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ⅰ－Ⅴ特性随温度变化的关系．在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）的测量中发现：多孔硅的禁带中可能存在大量的缺陷态，它们将显著影响多孔硅的电学特性．     

用TSC技术对B~+注入SiO_2-Si系统硅表面深能级的研究

本文用MOS热激电流(TSC)技术研究了B~ 注入SiO_2—Si系统硅表面的深能级。讨论分析了MOS结构硅表面深能级TSC谱的性质,提出由TSC峰值I_p与偏压V_G的依赖关系来判别硅表面深能级的TSC峰。对B~ 注入的SiO_2—Si系统的TSC实验研究表明,硅表面深能级的位置由于B~ 离子注入及随后的高温退火发生变化,这可能是杂质一缺陷互作用的结果、     

二氧化锡／多孔硅／硅的吸附特性

研究了二氧化锡／多孔硅／硅（ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ）的光伏谱和吸附性质，由分析光伏谱得出在ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ之间存在着二个异质结：一个是ＳｎＯ＿２／ＰＳ异质结；另一个是ＰＳ／Ｓｉ异质结，当样品吸附ＣＯ气体后，光电压明显减少，实验结果表明，利用光电压的变化可以检测ＣＯ等有害气体．本文对新气体敏感材料ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ的有关气体吸附机制进行了讨论．     

SnO2／Si特性的研究

在不同温度下，由ＣＶＤ法，在（１１１）和（１００）单晶硅上淀积ＳｎＯ２，测量了它们的光电压谱和相应的气敏特性，推导了光电压的计算公式，并由此计算出其重要的参数     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。     

光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级

在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中,靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰,且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由此确定ＤＸ中心有四个能级,其激活能分别为０．３５ｅＶ,０．３７ｅＶ,０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ．     

常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs

采用自己发展的ＨＦ化学预处理技术和常压ＭＯＣＶＤ法在多孔硅（ＰＳ）上首次生长出了基本上是单晶的ＧａＡｓ膜，研究了ＧａＡｓ膜的结构和光学特性．通过对Ｓｉ、ＰＳ、ＧａＡｓ／Ｓｉ和ＧａＡｓ／ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射分析，初步论述了ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关．     

铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用

用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹．用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布．结果表明,裂纹处铟含量极低,锡含量极高,而氧含量低于配比含量,这与Ｉｎ２Ｏ３ 和ＳｎＯ２ 在高温下不同的分解行为有关;粉末经高温煅烧预处理后,进行热等静压致密化所获得的靶材的相对密度可达到９８ ％ 以上,且裂纹大大减少．     

锡掺杂的氧化铟透明导电膜的霍尔系数测量

采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法在玻璃基片上沉积了锡掺杂的氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电膜。在沉积过程中保持了辉光放电电流、氧分压、氧流量、蒸发速率等工艺参数不变，而基片温度由室温变化到达３００℃。用四探针法测量了膜的方阻和用直流法测量了膜的霍尔系数，计算出膜的电阻率ρ、霍尔迁移率μ、载流子浓度ｎ，从而研究了基片温度对膜的导电性能的影响。     

Structural,morphological, and optical properties of tin(Ⅳ) oxide nanoparticles synthesized using Camellia sinensis extract: a green approach

Tin oxide (SnO2) nanoparticles were cost-effectively synthesized using nontoxic chemicals and green tea (Camellia sinensis) extract via a green synthesis method.The structural properties of the obtained nanoparticles were studied using X-ray diffraction,which indicated that the crystallite size was less than 20 nm.The particle size and morphology of the nanoparticles were analyzed using scanning electron microscopy and transmission electron microscopy.The morphological analysis revealed agglomerated spherical nanoparticles with sizes varying from 5 to 30 nm.The optical properties of the nanoparticles' band gap were characterized using diffuse reflectance spectroscopy.The band gap was found to decrease with increasing annealing temperature.The O vacancy defects were analyzed using photoluminescence spectroscopy.The increase in the crystallite size,decreasing band gap,and the increasing intensities of the UV and visible emission peaks indicated that the green-synthesized SnO2 may play future important roles in catalysis and optoelectronic devices.