Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

扫描电子显微镜在红外探测器材料分析中的应用

用国产DX-3A型扫描电子显微镜分析红外探测器材料,可成功地检测线度10μm以下的碲镉汞中的富磅夹杂相和碲锡铅中的金属夹杂相.精密测量了Hg_1-xCd_xTe和Pb_1-xSn_xTe的微区组成,可分辨出△x/x>2%的横向组成不均匀性.也可相当精确地测量PbSnTe-PbTe异质外延层的厚度.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

干燥HCl对热氧化生长SiO2的影响

采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×10¹⁰陷阱/厘米²-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×10¹³离子/厘米²)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.     

α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱

本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度E_t=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×10⁸s^-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

指数和在扩频序列设计中的应用

设p为奇素数,n、m、e、r是满足如下条件的正整数:n=em,1 ≤ r ≤ e-1,(r,e)=1,k是p次本原单位根,q=p^m,J:z→k^trm₁(z)是有限域F_q上加法特征.对任意a,b∈F_q^e,定义指数和e_(a,b)=∑_x∈Fq^eJ[tr_mⁿ(ax+bx^qr+1)],其中tr_mⁿ(°)表示从F_q^e到F_q上的迹函数.文中求出了指数和e_(a,b)的值,并讨论了该指数和在扩频序列设计中的应用.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

一类非线性双曲型方程组的大范围解

考虑2×2方程组:u_t+F(u)_x=0,-∞ < x < ∞,t>0,(1-1)     

TCNQ-离子自由基金属盐的电开关现象

从31种TCNQ离子自由基盐的粉末压片中,观察到Li-TCNQ、Mn(TCNQ)₂·3H₂O、Cu-TCNQ、Cu(TCNQ)₂、Zn(TCNQ)₂·xH₂O和Ag-TCNQ有电开关效应.粉末压片的直径是5或8mm,厚度300-600μm,片的两面分别蒸镀Cu和Al电极.电压超过阈值5-8 V时,伏安特性出现突变,电阻值突然下降,从10⁴-10⁵Ω降至10²-10³Ω.高阻态(关态)与低阻态(开态)的电阻比值约几十到几千.     

(Co0.95-xFe0.05Nbx)74B18Si8非晶合金的磁性和铁磁共振研究

本文用磁测量、差热分析等方法研究少量Nb对CoFeBSi非晶合金的影响.用铁磁共振方法研究表面磁各向异性及热处理对各向异性的影响.在(Co_0.95-xFe_0.05Nb_x)₇₄B₁₈Si₈非晶合金中,加入少量Nb(x=0,0.01,0.02,…0.06)以后,合金的晶化温度从560℃提高到595℃.非晶铁磁居里点从390℃降到240℃,饱和磁矩(σ_s)从74.5 G·cm³/g降到50.7 G·cm³/g(降低32%).     

砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响

用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质μ₇₇在54000~60000 cm²/V·s之间,最高达68800 cm²/V·s,n₇₇在1.5~2.0×10¹⁶cm^-3范围,比一般石英舟生长的为好.用它作GaInAs气相外延的源,也能得到较好结果.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

离子迁移LiNbO3光波导中Ag、Tl的XPS分析

本文对电场增强离子迁移法制作的LiNbO₃光波导^[1]样品作了不同于已有分析方法^[2,3]的X光电子能谱(XPS)分析,对不同模数正、负波导面上的Ag、Tl、Nb、O等元素进行了测定,并对波导层中所含的Ag、Tl离子进行了剖面分析.分析结果表明:电场增强离子迁移法制作的LiNbO₃波导中,Nb⁵⁺没有变价.正波导面上Ag离子的含量随盐浴时间的延长而增加,而负波导面上则无此规律.剖面分析结果表明,Ag⁺、Tl⁺离子内迁的深度为500~2500(Å);正波导面的离子分布呈现一个台阶然后再以余误差分布下降,负波导面的离子分布为余误差分布;与光学测量计算结果比较,离子内迁深度不超过波导层的1/10.     

掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质

在高压液封直拉(LEC)法生长InP单晶时,利用杂质效应掺入硫,可以有效地降低位错密度.当载流子浓度达3×10¹⁸ cm^-3时,位错密度降低到108cm^-2左右,此时补偿比在0.1~0.3之间.硫在InP中的有效分配系数为0.68.掺硫InP单晶具有较好的径向及纵向均匀性,这将给稳定器件工艺及提高材料利用率带来好处.     

关于纠两个错误的二元Goppa码的准完备性及其完全译码

本文证明了位置集L=GF(2^m)、生成多项式G(z)=z²+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S₁=0,S₃=a^-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1,此外,还给出L=GF(2^m)、G(z)=z²+az+b的二元Goppa码的一个完全译码.     

精密的低频相位校准标准

一种新型高精密低频相位校准标准已研制成功,它采用相位误差倍减技术,在20Hz~100kHz (点频)内,相移量范围是0~n×360°(n是整数),准确度为±(1×10^-6×F±0.001)度,F为工作频率,单位为Hz.相移量分辨率为(3×10^-8×F)度.输出信号实测的失真度优于1×10^-4,幅度稳定度优于1×10^-5/10min.     

Y-Gd-Ca-V-InIG系的磁性和穆斯堡尔效应的研究

本文实验研究了Y_1.2Gd_1.2Ca_0.6V_0.3In_xFe_4.7-xO₁₂(x=0,0.2,0.4,0.6和0.8)的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应,并用Néel,Gilleo和Dionne理论分别计算了材料的饱和磁矩和居里点,结果表明实验与Gilleo理论(居里点)和Dionne理论(饱和磁矩)符合较好.由唯象理论讨论了铁磁共振线宽在3.6~17GHz频段内随频率呈线性增加的实验结果.由顺磁穆斯堡尔谱间接确定了V⁵⁺和In³⁺离子在四面体(d)和八面体(a)晶位的占位.     

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。