提高晶体管振荡电路性能的设计与理论分析

引用晶体管静态工作点与ｈ参数的关系曲线，分析了静态参量ＩＣ、ＶＣＥ对振荡电路频率稳定、起振、振荡频率的影响。指出恰当地选取静态ＩＣ、ＶＣＥ将改善振荡器的工作。     

晶体管LC振荡器输出电压的工程计算

本文根据晶体管LC振荡器在稳定振荡后,晶体管工作于非线性状态,集电极电流是余弦脉冲这一事实,提出了一种根据晶体管的静态工作电流来计算输出振荡电压的方法,给出了计算公式,讨论了静志工作电流应选取的范围,还对计算结果与实验结果进行了比较。     

正弦振荡器起振条件的定量分析

正弦振荡器在晶体管和电路参数确定后，只能在一个频率上产生正弦振荡。振荡稳定后，要满足振荡平衡条件；但在接通电源后要建立起稳定的正弦振荡，电路又必须满足起振条件。本文从分析AF＞1这个起振条件入手，依据相位平衡条件φA φF=2nπ，求得振荡频率f0；依据│AF│＞1，求满足起振条件时所需的晶体管及电路参数值。并对一个具体振荡电路进行了定量分析。     

晶体管发射结软击穿对多谐振荡器的影响

本文通过对多谐振荡器软击穿(即瞬时击穿)现象的观察与分析,提出并由实验予以证明在晶体管的基极接一保护二极管,能有效地稳定振荡频率和延长管子的寿命。     

晶体管脉冲同步分频系统的研制

在精密的时间测量系统中,为了获得严格的定时同步脉冲,必须消除多级分频器所产生的误差,因而需用比较复杂的分频系统。本文专门讨论了利用脉冲选择的晶体管化同步分频系统的线路综合原理和研制技术问题,对组成系统的各种单元脉冲电路,如晶体管窄脉冲形成器,晶体管间歇振荡器,晶体管多谐振荡器,晶体管延迟电路以及晶体管门电路等均作了较深入的分析,并给出相应的实验结果。系统的主振信号是由一100千赫晶体稳频的振荡器产生,通过多级脉冲选择的双侧同步分频电路,可以同时获得稳定的100千赫,10千赫,1千赫及100赫等重复频率同步窄脉冲,同步脉冲的宽度为0.4微秒,幅度大于3伏。实验结果与理论分析基本上是一致的。     

单向化条件下RC振荡器分析

本文在单向化近似条件下,对滞后型RC 相移振荡器的振荡条件分别在晶体管的低频振荡区、中频振荡区和高频振荡区作出计算.根据本文所导出的设计公式,在实验中获得了150兆赫以下的正弦振荡.本文所用方法适用于其它类型振荡器的分析.     

雪崩晶体管振荡电路的实验研究

本文讨论了雪崩晶体营扫描发生器的电路参数对锯齿波形的影响。采用自举电路来提高扫描线性度。实验结果与计算相符合。文中还研究了雪崩晶体管正弦振荡器,实验结果表明,工作在雪崩型式的某些振荡性能要比在正常型式的好。     

晶体管间歇振荡器脉冲宽度的通用曲线计算法

本文提出了计算晶体管间歇振荡器脉冲宽度的通用由线的方法,并制作了九种常用 电路的通用曲线。应用通用曲线简化了计算过程,可以方便而准确地计算脉冲宽度和重 复周期。实验结果表明,当所用的晶体管的少数载流子储存效应不显著时,计算误差小 于１５％。     

串并联RC支路参数对不平衡文氏电桥振荡器工作特性的影响

本文讨论文氏电桥振荡器中,串并联RC支路参数不完全相等时,对振荡器振幅和频率的影响。     

超临界频段内面接合型晶体管振荡器的相角补偿

本文讨论了晶体管振荡器高频自激的困难,提出振荡器在超临界频段内的相角补偿关系。所得结果与实验相符合。     

振荡器的计算机辅助分析

本文介绍了利用计算机对常用振荡器的谐振频率和输出幅值进行定量分析的技术。描述了分析的方法和实现程序,给出程序框图,介绍了振荡器一些主要元件及典型电路的模型。本文最后还列举了在Cromemco公司CS-3微型机中计算的几个振荡器的例子。     

晶体管延迟多谐振荡器的分析

本文分析了晶体管延迟多谐振荡器的工作特性,获得线性延迟的条件以及减小β不均匀性影响的办法,并给出相应的实验结果。     

X波段GaAsFET压控振荡器的计算机辅助设计

本文叙述了微波晶体管振荡器的计算机辅助设计方法。该方法利用微波晶体管的负阻特性,考虑了在点频及宽带时几种反馈电路形式,并以电抗补偿形式的变容管调谐为重点,给出了集中参数调谐的振荡器调谐回路设计,并由此制作了x波段的CaAsFET变容管压控振荡器,其实测性能与设计要求接近。     

几种典型非线性振荡器的自激响应

应用等效变频激励的概念，用主谐波迭代的方法，对几种典型的非线性振荡器（包括Vanderpol振荡器）进行分析和计算，求出了自激响应的表达式，与其它方法相比，求解过程清晰，谐波丰富，精度高，幅度频率同时求出，收敛快，且适合计算机编程计算。     

高效率E类调谐功率振荡器研究

从理论上阐述了振荡器的最佳工作条件．提供了一种实用的反馈网络和振荡器的设计方 法．实验结果表明．振荡器中晶体管集电极电压、电流波形和效率与采用相同晶体管和同样工作 效率的Ｅ类放大器相同．     

振荡器寄生振荡的分析和消除

振荡器——是没有外界起动信号的情况下能自己发出信号的电路，在振荡器的设计和调试过程中，会经常发生寄生振荡，这种情况对振荡器的经常使用及其精确度是有害的．振荡器在不需要的频率发生的寄生振荡，对振荡器的设计和调试带来了很大的困扰．本文对寄生振荡进行理论分析，并提出避免寄生振荡的发生及其改进措施．     

晶体管双侧同步分频电路的研究

本文分析了晶体管自激多谐振荡器用作双侧同步分频电路的一般理论和分频稳定性,并考虑基极电压变化规律来确定最佳分频的工作状态和运用点,同时对同步脉冲的引入问题亦作了原理性补充,还提出了振荡于第二类状态下的自激多谐振荡器可获得高稳定性的分频,以及此类双侧同步分频电路的设计方法。实验结果与理论计算基本上是一致的。     

晶体管的频率特性

本文通过晶体管放大能力随频率的变化而显示出的频率特性,着重讨论了表征晶体管频率特性的参数f_α,f_β,f_T,f_m的物理意义,分析了频率参数对晶体管工作状态的影响,以及在电路设计中如何正确、灵活地应用这些参数。     

一种线性化轨对轨调节压控振荡器设计

为了解决控制电压范围小、调谐增益过大导致压控振荡器（voltage controlled oscillator, VCO）对控制线噪声抗干扰能力弱的问题，设计了一种高度线性化轨对轨频率调节的压控振荡器。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计了电压转电流电路实现控制电压与电流饥渴型振荡器尾电流的轨到轨线性转化，进而实现振荡频率的轨到轨线性调节；并且利用缓冲器优化振荡波形以适应锁相环系统应用。Cadence Spectre仿真结果表明，振荡器在1.8 V的轨对轨控制电压范围内都具有很好的线性，调谐增益为183 MHz/V，频率范围为0.89～1.22 GHz，中心频率1.06 GHz，功耗仅有227.8μW。本文设计适用于锁相环的集成应用，可为压控振荡器的设计提供支持。     

频带反射腔控振荡的有源传感器

频带反射腔控振荡器具有单调谐特性,适当调整振荡器耦合系数K等参数,可使振荡器振荡频率极为接近频带反射腔的谐振频率,文中讨论了耦合系数K值的近似计算,对调整耿氏有源传感器具有指导意义,分析与实验均表明,频带反射腔体受介质微扰所产生的频偏计算值与振荡器振荡频率变化值相当一致,在三厘米波段,两者一致的带宽≥200MHz,因此,频带反射腔控振荡器适于作为高精度的有源传感器。