GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性

采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到５个发光峰,其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１,１２０２０ｃｍ－１,１２２４０ｃｍ－１,１２５５０ｃｍ－１和１３０７０ｃｍ－１,并对发光峰的位置进行了理论的说明     

10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征,认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系,这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰,可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示,小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．本文还将讨论其它的有关的Ｒａｍａｎ峰     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算

提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法．实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ单晶（ｎ０＝２．０×１０１７ｃｍ－３），其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０５ｃｍ·ｓ－１，与有关报道基本一致．     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。     

Si^＋／As^＋双离子注入SI—GaAs对注入层电激活均匀性改？…

研究了单（Ｓｉ＾＋）双（Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋）离子注入半绝缘砷化镓电激活的均匀性,结果表明,ＬＥＣＳｉ－ＧａＡｓ衬底中深电子陷阱能级均匀性分布好坏,对注入层电激活性有一定影响,当ＳＩ－ＧａＡｓ中碳含量小于５＊１０＾１５ｃｍ＾－３时,对注入层电激活影响不大,采用多重能量Ｓｉ＾＋注入,可改善栽流子纵向分布的均匀性,采用Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子注入可改善ＬＥＣ ＳＩ－ＧａＡｓ衬底中ＥＬ２横向不均匀分布对电     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As异质界面极化子的温度效应

ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ异质界面极化子的温度效应李春圃，班士良（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＥｆｆｅｃｔｏｆＰｏｌａｒｏｎｓｏｎａＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）ＡｓＨｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅ￥Ｌ...     

[1,n]型交换2—群的自同构群

讨论了交换２－群的自同构群,得到以下结论：４阶初等交换２－群Ｇ的自同构群ＡｕｔＧ与Ｓ３同构,８阶〖１,２〗型交换２－群的自同构群为８附二面体群,２＾ｎ＋１附（ｎ≥３）〖１,ｎ〗型交换２－群的自同构群为ＡｕｔＧ＝（ａ、,ａ２,ｂ,ｃ｜ａ１＾２ｎ－２＝ａ２＾２＝ｂ＾２＝ｃ＾２＝〖ａ１,ａ２〗＝〖ｂ２,ｂ〗＝〖ａ１,ｃ〗＝」ａ２,ｃ〖＝１,〗ｂ,ｃ〖＝ａ１＾２ｎ－３〗。     

水／NaDEHP／正庚烷微乳体系中水结构的FT—IR研究

运用傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）对水／ＮａＤＥＨＰ／正同乳体系中水的微结构进行了研究。结果表明：随着体系中加水量的增大，水分子Ｏ－Ｈ伸缩振动红外吸收峰的频率由３３８５ｃｍ＾－１向高频在移动至３４１７ｃｍ＾－１（与ＡＯＴ形成的乳体系的变化趋势相反）。进一步地３０５０ｃｍ＾－１至３７５０ｃｍ＾－１范围内的水Ｏ－Ｈ伸缩振动吸收峰进行曲线拟合，得到４个子峰，说明微乳体系中的水分子存在有４种不同的配位环     

Fibonacci数列Cassini公式的推广

对Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ数列的一个重要性质：Ｆｎ＋１Ｆｎ－１Ｆ＾２ｎ＝（－１）＾ｎ（Ｃａｓｓｉｎｉ）公式进行了推广。由此推广给出Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ数列的另一个重要性质：Ｆｍ＋ｎ＝Ｆｎ－１Ｆｍ＋ＦｎＦｍ＋１的新证明，并得到任意两个Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ数的平方和（差的）关系式。     

GaAs1—xPx：TeLED）中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ１－ｘＰｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能力０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心。     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

半导体量子点中LO声子对类氢杂质的影响

采用变分法从Ｆｒｏｅｈｌｉｃｈ哈密顿量出发，研究了ＬＯ声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响，并将结果应用到ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中。研究表明ＬＯ声子对ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为材料的量子点中类氢杂质基态能影响很小。     

抗癌药物顺式二氯二胺合铂的合成及理化特性研究

采用傅里叶变换红外光谱、差热分析等近代物理方法研究了抗癌药物顺式二氯二胺合铂的特性、结构以及构效关系。结果表明,ｃｉｓ－［Ｐｔ（ＮＨ３）２Ｃｌ２］熔解分为放热过程和吸热过程,放热峰为３０１．２３７℃,吸热峰为３０６．９３２℃。Ｐｔ－Ｎ伸缩振动频率在３３００ｃｍ＾－１附近分裂成３３００ｃｍ＾－１和３２１０ｃｍ＾－１两个吸收峰,在１３００ｃｍ＾－１处分裂成１３２５ｃｍ＾－１和１３００ｃｍ＾－１两个吸收     

尼克酰胺镍（II）配合物的热分解非等温动力学的研究

本文合成了Ｎｉ（Ⅱ）的一个配合物Ｎｉ（Ｎｉｃａ）２Ｃｌ２（Ｎｉｃａ表示尼克酰胺）。用元素分析、红外光谱、热重及量热分解对该配合物进行了表征，并对其热分解过程进行了研究，运用Ａｃｈａｒ法和Ｃｏａｔｓ－Ｒｅｄｆｅｒｎ法，推断出该配合物第一步热分解的非等温动力学方程为：ｄα／ｄｔ＝Ａｅ＾－Ｅ／ＲＴ３／２（１＋α）＾２／３［（１＋α）＾１／３－１］＾－１。     

CO为探针分子的原位FT—IR技术研究Pd／HM表面金属的分散态

以ＣＯ探针分子的ＩＲ研究表明,在Ｐｄ／ＨＭ上,钯还原前后具有不同对ＣＯ的线式吸附态。还原前分别在２１５６ｃｍ＾－１和２０４５ｃｍ＾－１处有两个ＩＲ吸收峰;而还原后在２０００ｃｍ＾－１附近出现几个重叠在一起的ＩＲ吸收峰,２１５６ｃｍ＾－１处小峰几乎消失,这是因为Ｐｄ＾２＋ＰＵＨＣＧＩＰ ＤＲ ＸＨ ＦＨＮ Ｒ     

酷蛋白一级结构特征及酷蛋白胶粒新模型

αｓ１、β、αｓ２酪蛋白中磷酸化Ｓｅｒ周围序列具有Ｓｅｒ－Ｓｅｒ－Ｓｅｒ－Ｇｌｕ－Ｇｌｕ的共同特点和ｃＡＭＰ、ｃＧＭＰ、Ｃａ＾＋＋调节的蛋白质的磷酸化Ｓｅｒ周围序列和Ｈｓｐ７０钙调蛋白结合序列具有相似性，都具有２－３个Ｓｅｒ相连的序列，不同之处在于Ｎ端的碱性氨基酸簇变成了Ｃ端的Ｇｌｕ－Ｇｌｕ，反映了用于携带Ｃａ＾＋＋和调节作用的Ｓｅｒ磷酸化二类蛋白质一级结构的差别：前者需要有一个酸性残基区协助，后     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能为０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心．