BD_101型半导体表面钝化台

本文主要是介绍BD-101型半导体表面钝化台.评述了用化学汽相淀积方法生长二氧化硅膜使硅表面钝化的工作.该项工作导致集成电路用的双极晶体管和绝缘栅场效应晶体管的性能和稳定性得到提高.     

质子交换膜燃料电池变载过程动态响应分析

为了研究质子交换膜燃料电池变载过程中气体传输对动态响应的影响,建立了5流道蛇形流场质子交换膜燃料电池三维单相模型,并基于实际参数进行Fluent仿真.分析了运行参数(包括工作压力、进气增湿、化学计量比)对质子交换膜燃料电池稳态性能的影响,以及运行参数对质子交换膜燃料电池动态性能的影响.结果表明:工作压力高、阳极湿度大、化学计量比大能提高燃料电池稳态性能,小电流密度下阴极湿度大燃料电池稳态性能好,大电流密度下则相反;工作压力高、化学计量比大、阴极湿度大能提高燃料电池动态性能.     

氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能

用PECVD法制备氮化硅介质薄膜 ,分析了沉积温度、本底真空度及气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜绝缘耐压性能的影响 ,制备出 0 .4 μm的性能良好的氮化硅介质绝缘膜     

电热化学发射中输电结构绝缘性能影响因素

介绍了一种用于电热化学发射的输电结构,讨论了该结构对材料绝缘性能的要求。采用脂环族缩水甘油醚型环氧树脂、改性甲基六氢苯酐及高纯氧化硅填料为主要原料制作的绝缘层能够满足某口径电热化学炮输电结构对绝缘性能的要求。在分析气泡、孔径误差、台阶面等因素对绝缘性能影响的基础上,结合实际输电结构,提出了减弱或消除影响因素的方法。实验表明,在绝缘层表面胶粘覆盖聚酰亚胺薄膜,可以提高台阶部位的闪络电压。     

氢化非晶碳膜的制备及其在金属表面防护上的应用

氢化非晶碳膜具有硬度高、电绝缘、光学透明、化学性能稳定等优良特性,又称为“类金刚石”碳膜。本文报导由碳氢气体的辉光放电分解而制备的氢化非晶碳膜的特性及其在金属表面防护上的应用。     

Bi2Ti2O7薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

采用化学溶液沉积法，用价格低廉的原料成功地制备了Bi₂Ti₂O₇介质膜.制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO₂绝缘栅场效应管相比，前者具有较高的跨导和较低的开启电压.     

超高保温、高透光、多功能日光温室专用薄膜

项目简介 超高保温、高透光、多功能日光温室专用膜在自有知识产权并已商品化长寿命、高保温、无雾滴、高透光、光生态多功能日光温室专用膜基础上，重点解决超高保温、高透光的技术与性能，同时改善提高其他性能。采用特殊化学复配和加工工艺手段，使保温剂均匀分散到膜主体中形成无机一有机纳米复合材料，并能与其他耐老化体系、防雾滴体系、光生态体系等很好相容，并产生正协同效应，使各功能互相促进、共同提高。     

电流密度对AZ31镁合金阳极氧化膜的影响

在碱性硅硼电解液体系中对AZ31镁合金进行电化学阳极氧化成膜处理,用扫描电镜观察氧化膜微观形貌,用电化学交流阻抗和Tafel极化曲线测试表征阳极氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明,在较小的电流密度下所得阳极氧化膜颗粒细密,但是短时间内氧化膜对镁合金基底覆盖不完整;在过高的电流密度下所得氧化膜会出现较多的孔洞。这两种结构形态均不利于提高阳极氧化膜的耐蚀性能。在20 m A/cm2下处理10 min所得的氧化膜具有完整的形态和最好的耐蚀性能。     

浅析高压电气设备的绝缘预防性试验

电力系统中运行着众多的电力设备，而电力设备的安全运行是保证安全可靠供电的前提。电力设备运行过程中，由于电压、热、化学、机械振动及其他因素的影响，其绝缘性能也会出现劣化，最后甚至失去绝缘性能造成事故。因此可以说电气设备绝缘预防性试验是目前保证设备安全运行的重要措施，本文主要针对高压电气设备的绝缘预防性试验进行分析论述，仅供参考。     

带电作业用绝缘杆工频击穿电压试验结果的初步分析

为保证带电作业绝缘杆的合格,对绝缘杆的加压时间、加多高试验电压比较合理进行了试验分析,经试验分析,对绝缘杆施加1分钟工频耐压试验就能考核绝缘杆绝缘性能的好坏。     

新型无溶剂绝缘树脂的制备与性能研究

合成了1,3-二（4-氨基-2-三氟甲基-苯酚基）苯进而合成含亚胺结构的新型二元醇单体（BTGTB）,并制得新型含氟不饱和聚酯亚胺树脂。结果表明,在保持不饱和聚酯优良加工性能的同时,不饱和聚酯分子链段中引入亚胺结构,不但提高了不饱和聚酯的耐热性、机械性能、电性能及化学腐蚀性能,而且高亚胺结构含量的不饱和聚酯亚胺树脂具有突出的耐热性能。     

绝缘环氧模塑料表面导电聚吡咯薄膜的化学聚合与表征

电磁波干扰越来越多地存在于我们的日常生活中,许多微电子封装材料需要具备屏蔽电磁波的功能.聚吡咯由于具有良好的导电性能和环境稳定性,表现出优异的电磁屏蔽能力.我们利用化学聚合法在绝缘环氧模塑料封装材料表面制备得到了导电聚吡咯薄膜,用X射线光电子能谱、红外光谱、扫描电子显微镜对聚合物薄膜进行了表征.通过SEM分析表明,经对甲基苯磺酸钠掺杂后,制备得到的聚吡咯薄膜均匀连续、致密平整,用四探针测试仪测得掺杂后聚吡咯薄膜的电导率达到了2.3×103S/m以上.     

三种植物绝缘油的理化与电气性能的比较

植物绝缘油是一种闪点高、环保型的液体电介质,是矿物绝缘油优良的替代品.试验采用转基因菜籽油、转基因花生油和棉籽油等3种基础植物油制取植物绝缘油,研究了植物绝缘油制取方法,深入分析了植物绝缘油的物理、化学性能以及工频击穿电压、介损、介电常数、体积电阻率等电气性能.通过对油品的各项性能指标进行比较,认为三种植物绝缘油中单不饱和脂肪酸支链含量最高的菜籽绝缘油的综合性能最佳.     

石墨烯复合材料电热除冰实验研究

石墨烯复合材料因其优良的导电性和高导热性,在各个领域均得到了广泛的关注。为研究石墨烯加热膜在电热除冰上的应用,通过实验比较石墨烯和电阻丝作为加热元件时的温升速率;将加热元件制备成可用于电热除冰的加热膜,在相同加热功率下验证两者的发热均匀性;根据自行搭建的电热除冰实验台,研究不同热流密度和结冰温度对石墨烯加热膜除冰效果的影响。实验结果表明：单纯的石墨烯加热元件比电阻丝升温速率快,由石墨烯作为加热元件制备而成的加热膜发热更加均匀;随着热流密度的不断增加,石墨烯加热膜除冰时间越短,效果越好;结冰温度越低,除冰时间越长。验证了石墨烯可以作为一种理想的加热膜材料应用于电热除冰领域。     

高压下ZnS的电输运行为

通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路, 原位测量了ZnS电阻率随压力的变化, 证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变, 而非金属化相变, 并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象.      

电子密度对PCVD制备SnO_2导电薄膜的影响

利用双探针测得了管式射频等离子体反应器内电子密度的轴向和角向分布,并制得了SnO_2透明导电薄膜.实验表明,薄膜的沉积速率、电学性能及结晶形态受等离子体电子密度的影响较大.在电子密度高的地方,薄膜沉积速率快,薄膜电阻低,其薄膜的晶粒也均匀细微密集.     

不同衬底温度下制备的Co-Al-O介质颗粒薄膜的巨磁电阻效应

利用射频反应溅射的方法在不同衬底温度（Ｔｓ）下制备了Ｃｏ－Ａｌ－Ｏ介质颗粒薄膜。薄膜的本征电阻及磁电阻值密切依赖于薄膜制备过程中的衬底温度。通过原子力显微镜对样品表面的观察发现：以Ｃｏ为基的纳米磁性颗粒的尺寸随Ｔｓ的增加而变大,并且颗粒之间由完全初介质分离逐渐变化到互相连接．对应这种结构上的变化,薄膜的电导机制由隧道效应向金属性电导转变,相应地薄膜的磁电阻值也发生了变化。     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

Light-induced conversion of an insulating refractory oxide into a persistent electronic conductor

Materials that are good electrical conductors are not in general optically transparent, yet a combination of high conductivity and transparency is desirable for many emerging opto-electronic applications. To this end, various transparent oxides composed of transition or post-transition metals (such as indium tin oxide) are rendered electrically conducting by ion doping. But such an approach does not work for the abundant transparent oxides of the main-group metals. Here we demonstrate a process by which the transparent insulating oxide 12CaO x 7Al(2)O(3) (refs 7-13) can be converted into an electrical conductor. H(-) ions are incorporated into the subnanometre-sized cages of the oxide by a thermal treatment in a hydrogen atmosphere; subsequent irradiation of the material with ultraviolet light results in a conductive state that persists after irradiation ceases. The photo-activated material exhibits moderate electrical conductivity (approximately 0.3 S cm(-1)) at room temperature, with visible light absorption losses of only one per cent for 200-nm-thick films. We suggest that this concept can be applied to other main-group metal oxides, for the direct optical writing of conducting wires in insulating transparent media and the formation of a high-density optical memory.