霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

浅论霍尔效应的发展及其应用

随着半导体材料和低维物理的发展,霍尔效应的理论研究不断取得进展,应用霍尔效应发展的霍尔器件不断改进、发展,在生产和科研实际中得到越来越普遍的应用.     

霍尔效应的最新发展及应用

拥有正常电子结构的材料可以在没有磁场作用下与电场发生作用并最终出现量子霍尔效应和自旋霍尔效应,本文详细介绍了这两种霍尔效应的理论原理及实验现象的最新进展。     

霍耳效应理论研究发展历程

自1879年霍尔效应发现以来,反常霍尔效应、自旋霍耳效应以及量子霍尔效应相继取得了突破性的进展,但是关于霍尔效应的部分理论机制还处于争论之中,迄今仍是科学研究的热点。本文从经典的霍尔效应开始,系统地介绍霍尔效应的发展历程。     

量子霍尔效应的研究及进展

对霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应等霍尔效应家族一系列成员进行了介绍,并给出了各效应的应用或应用前景,首次综述了霍尔效应家族的发展史。     

层状超导体Cu_(0.03)TaS_2中E～j特性的涡旋玻璃模型标度

在高温超导体中,涡旋玻璃理论可以很好地描述其中的涡旋玻璃相.选择合适的参数,就可以通过标度方程将磁场下混合态的E~j曲线标度到E+和E-两个分支上.但是,这个二阶相变模型对于层状超导体Cu0.03TaS2却不适用,原因为该体系中的弱钉扎,这可以从磁滞回线上的"峰效应"得到证明.     

霍尔效应在无刷直流电机控制中的应用

霍尔效应是非常重要的磁电效应,霍尔效应原理广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,文中在简单介绍霍尔效应原理和直流无刷电机控制原理的基础上,结合无刷直流电动机中使用的霍尔位置传感器,说明了霍尔位置传感器控制无刷直流电机的工作原理,阐述了无刷直流电机中应用的霍尔位置传感器的基本特性和霍尔位置传感器组必须满足的条件。最后对霍尔位置传感器的应用进行了展望,说明了霍尔位置传感器具有较广泛的用途。     

Cu：SiO2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性，该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值，不同于其它渗流系统．并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中，发现了巨霍尔效应(GHE)，其数值高于普通金属近3个数量级，为霍尔传感器材料研究提供了新途径，这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的。     

关于磁单极子问题研究的一种新的尝试

磁场的高斯定律从形式上指出了宏观磁场的无源性质,因此可以利用高斯积分是否为零作为判断磁单极子是否存在的形式判据.根据高等量子力学的理论,借助贝瑞相的存在,从形式上找到微观系统磁单极子存在的依据.并且由于贝瑞相和光霍尔效应存在相关性,通过求解光霍尔效应的久期方程,从形式上探讨了在微观条件下磁单极子存在的可能性和条件.     

霍耳效应公式的量子力学推导法

用量子力学方法推导了量子霍耳效应的二维电子气中的霍耳效应公式。     

电解质溶液Hall效应的等效测量原理和实现方法

本文从电解质溶液Ｈａｌｌ效应的基本关系式出发，分析了电解质溶液Ｈａｌｌ效应的测量问题。     

量子霍耳效应的半经典分析

霍耳效应的解释是以电场、磁场等基本经典概念为基础；而量子霍耳效应的本质是一种量子力学效应．本文避开量子力学高深的数学语言，以经典分析的手法对量子霍耳效应的一些基本概念及实验结果给出较园满的解释．     

铁磁性凝聚体中的几何霍尔效应

采用含时变分法,通过数值模拟系统的动力学,研究了铁磁性凝聚体中的几何霍尔效应.结果表明在铁磁性系统中的几何霍尔效应显著比在反铁磁性中的弱.     

Nanoengineering of Flux Pinning Sites in High-Tc Superconductors

Volume pinning forces were determined for a variety of bulk high-Tc superconductors of the 123-type from magnetization measurements. By means of scaling of the pinning forces, the acting pinning mechanisms in various temperature ranges were identified. The Nd-based superconductors and some YBCO crystals exhibited a dominating pinning of the δTc-type (i.e. , small, superconducting pinning sites). In contrast to this, the addition of insulating 211 particles provided pinning of the δ/-type; providing effective pinning in the entire temperature range acting as a "background" pinning mechanism for the peak effect. Due to the small coherence lengths of the high-Tc compounds, effective pinning sites are defects or particles of nanometer size relative to ζ3. Integral magnetic measurements of the magnetization as a function of temperature in large applied magnetic fields (up to 7 T) revealed that practically all high-Tc compounds were spatially inhomogeneous, which could be caused by oxygen deficiency (YBCO)     

霍耳测量中的新效应

用霍耳效应法测量磁场，观察到了一种新效应，即当霍耳电极不恰好处在同一等位线上时，磁阻效应对不等位电压也有贡献，从而影响到磁场测量的准确度。提出了一种克服这一困难的新方法．     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

霍尔效应对磁场作用下电化学分形沉积物形貌的影响

运用霍尔效应的原理,分析了在磁场中电化学分形沉积物形貌与无外加磁场时电化学沉积物正常生长分形明显不同的原因,解释了分形沉积物形貌变化与外加磁场的方向、强度之间的关系,半定量分析了霍尔效应对电化学分形沉积的影响程度.研究结果表明:当无外加磁场时,在分形沉积物分枝上只存在平行于分枝的正向电压;当存在外加磁场时,因为霍尔效应,在分形沉积物分枝上,除了存在平行于分枝的正向电压外还存在垂直于分枝的切向电压,使后继的形核和生长在分枝的低电位侧占优势,这是造成沉积物形貌改变的重要原因.     

Hall Effect in Quasicrystals

The relations between Hall effect and symmetry are discussed for all 2- and 3-dimensional quasicrystals with crystallographical|y forbidden symmetries. The results show that the numbers of independent components of the Hall coefficient (R11) are one for 3-dimensional quasicrystals, two for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is non-Abelian, and three for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is Abelian. respectively. The quasicrysta[s with the same number of independent components have the same form of the components of R11.