Effect of TPD:CuPc LB Films as Electron Blocking Layer on EL Emission

ＴＰＤ：ＣｕＰｃＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间。不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反,当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（＜７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件均具有５９１ｎｍ的发射峰值,这表明在此类器件中Ａｌ：ＤＣＭ１作为电子转移型的发光层而ＴＰＤ：ＣｕＰｃ则作为能有效地阻挡电子的电子阻挡层,因而我们可以通过调整载流子阻挡层的厚度来精确地控制载流子的复合区域从而得到不同的电致发光光谱     

TPD：CuPc LB薄膜电子阻挡层对电致发光的影响

ＴＰＤ：ＣｕＰｃ ＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间,不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反,当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（〈７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器     

含杂环的聚（间亚苯乙烯）发光材料的合成及其器件的发光性能

通过双锍盐前驱聚合法合成了含杂环的聚（２,５－二苯基－１,３,４－恶二唑）－３,３‘－乙烯（Ｍ－ＰＰＶ）,讨论了其较佳的合成路线,构造了ＩＴＯ／Ｍ－ＰＰＶ／Ａ１型电致发光器件,与未取代的ＰＰＶ所构器件ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａ１发黄绿乐相比,含杂环的聚（２,５－二苯基－１,３,４－恶二唑）３,３’－乙烯发光材料所构器件发蓝光。     

蓝色有机薄膜电致发光材料LiBq4

合成了一种新型的金属有机螯合物ＬｉＢｑ４（Ｌｉｔｈｉｕｍ ｔｅｔｒａ－（８－ｈｙｄｒｏｘｙ－ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｂｏｒｏｎ）,并研究了其光致发光（ＰＬ）和电致发光（ＥＬ）的性质,在以ＬｉＢｑ４为发光层的三层结构器件ＩＴＯ／ＴＰＰ（５０ｎｍ）／ＬｉＢｑ４（５０ｎｍ）／ＡｌＱ（５ｎｍ）／Ａｌ中得到了蓝色发光。     

有机薄膜器件中Tb~（3＋）的电致发光

研制了用有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ做发射层的绿色发光二极管，二层结构为玻璃衬底ＩＴＯ／芳香族二胺类衍生物ＴＰＤ／Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ／Ａｌ．各功能层均用真空热蒸发的方法制备．在正向直流偏压驱动下获得了Ｔｂ（３＋）的特征发光，同时还发现一个峰位４２５ｎｍ的蓝光发射，它来源于空穴输运层ＴＰＤ．在室温条件下器件的阈值电压为５Ｖ，当驱动电压提高到１５Ｖ时，器件的最高发光亮度达到２００ｃｄ／ｍ２．讨论了器件的有机电致发光与各功能层膜厚及驱动电压的关系，同时发现有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ能够传输电子．探讨了有关稀土有机电致发光的发光机理等．     

基于电荷转移体系聚合物/C60组合膜的光电导增强效应

利用物理喷束沉积技术在石英和ＩＴＯ衬底上获得了ＭＢＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０和ＭＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０组合薄膜,研究了聚合物特性和膜的结构对光电导的影响。光电导和时间分辨荧光结果表明两种组合膜的光电导较纯的ＰＰＶ和Ｃ６０有明显的增强效应,而且ＭＢＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０的光电导优于ＭＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０。结果表明在ＰＰＶ／Ｃ６０体系中存在着有效的激发传递过程。     

ZL109激光表面改性处理--激光表面合金化

采用１０ｋＷ的连续横流ＣＯ２激光器在铸造Ａｌ－Ｓｉ合金基底上制备了厚度为２．０～２．５ｍｍ的镍合金化改性层．利用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＭ及ＥＤＸ等分析方法测试了其微观组织和结构．结果表明：合金化涂层是由α－Ａｌ、Ａｌ３Ｎｉ２、Ｎｉ３Ａｌ、ＡｌＮｉ等Ａｌ／Ｎｉ相以及少量Ｓｉ相组成,涂层与基底之间界面两侧存在明显的成分变化,合金化改性层的平均显微硬度为１７９～２３３ＨＶ０．１,比基底Ａｌ－Ｓｉ合金提高了８４ＨＶ０．１以上．耐磨性对比试验的结果表明,镍合金化涂层的表面磨损情况大大改善,相对耐磨性提高了４倍以上．     

DCJTB掺杂Alq体系的发光特性研究

研究了以ＤＣＪＴＢ掺杂Ａｌｑ作为发光层的红色电致发光器件的发光特性,通过分析Ａｌｑ与Ａｌｑ：ＤＣＪＴＢ的激发光谱与发光光谱,得出了存在着从Ａｌｑ到ＤＣＪＴＢ的能量传递。同时给出并分析了不同ＤＣＪＴＢ掺杂浓度对器件发光特性的影响。     

MgAPO-44分子筛的合成与性能研究

以Ａｌ（ＯＨ）３，Ｈ３ＰＯ４，ＭｇＣｌ２６Ｈ２Ｏ为原料，以环己胺为模板剂，用水热晶化法合成了ＭｇＡＰＯ－４４分子筛纯相，研究了反应物配比、酸碱度及铝源等水热晶化条件对产物物相的影响，用ＸＲＤ，ＩＲ，ＳＥＭ／ＥＰＭＡ，ＴＧ－ＤＴＡ等对产物进行了表征。研究表明，所合成的ＭｇＡＰＯ－４４分子筛具有小孔结构和较高的热稳定性     

循环伏安法中铂对乙醇定量吸附特性的研究

本文论述循环伏安法（ＣＶ）中铂（Ｐｔ）对乙醇（ＥｔＯＨ）的定量吸附特性,及其对葡萄酒中ＥｔＯＨ测定的应用问题。用自制的Ｐｔ梳状工作电极。在０．１Ｍ的ＮａＯＨ溶液中,ＥｔＯＨ的氧化峰电位为－２４０ｍＶ（相对Ａｇ／ＡｇＣｌ参比电极）。以３σ背景值计,检出限为０．０２３％（Ｖ／Ｖ）。样品分析结果准确度为９５．２－１０４．７％重现性范围２．８－３．１％ＲＳＤ（ｎ＝８）。校准曲线的线性动态范围０．１－８％（     

LiF用作阴极注入层的有机发光二极管制备

使用真空热蒸发方法,制备了结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al的有机发光二极管,其中LiF用作阴极注入层,LiF超薄层的加入,增强了电子注入,降低了启亮电压,提高了器件的发光效率和亮度. 实验结果表明:当加入LiF层的厚度为0.5 nm时,器件性能的改善最好,和不含LiF的器件相比,启亮电压由原来的9 V降低到5 V,效率由1.5 cd/A增加到3.3 cd/A,提高了近1倍,然而随着加入LiF层厚度的增加,器件性能的改善效果降低.     

9,9’-bianthrancene为发光层的蓝色OLED的研究

报导了蓝色有机电致发光材料9,9'-联二蒽(9,9'-bianthracene,简称BA)作为发光层,研制了结构为ITO/PVK:TPD/BA/Alq3/Al的蓝色有机发光器件.对该器件的发光及电学性能进行了研究.启亮电压约为12 V,在24 V外加电压下亮度达到最大值2 433 cd/m2.     

激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响

制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3（发射绿光）/Alq3：DCM（发射红光）/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光（Magneto-ElectroLuminescence,MEL）和磁电导（Magneto-Conductance,MC）.在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场（B50mT）效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼长的现象,表明激子复合区域随温度变化发生了移动.通过分析工作温度对器件各发光层中的三重态激子对间相互作用及载流子迁移率的影响,对双发光层器件中MEL的高场效应随温度的非单调变化进行了定性解释.实验结果进一步验证了在单发光层器件中得到的有机磁效应高场变化的相关结论.     

Eu3+:(TTA)m复合体系的电致发光研究

以稀土螯合物Eu3+:(TTA)m复合体系和小分子材料Alq3作成双层结构器件,研究A lq3层厚度不同时电致发光光谱的变化.当Alq3层的厚度减小到某一厚度时,在双层器件结构中可得到高亮度、窄谱带的红色发光.     

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.     

Pure and stable white organic light-emitting device with an ultra-thin layer

Due to high brightness, low viewing angle, low driving voltage and short response time, organic light-emitting display is appraised as one of the most promising flat displays in the near future. Full-color technology is the bottle neck for industrializati…     

基于N-BDAVBi的非掺杂高效蓝色OLEDs

采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB( 10 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN(7 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN (7 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0....     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

Study on temperature characteristics of organic light-emitting diodes based on tris-（8-hydroxylquinoline）-aluminum

Both single-layer and double-layer organic light-emitting devices based on tris-（8-hydroxylquino- line）-aluminum （AIq3） as emitter are fabricated by thermal vacuum deposition. The electroluminescent characteristica of these devices at various temperatures are measured, and the temperature characteristics of device performance are studied. The effect of temperature on device current conduction regime is analyzed in detail. The results show that the current-voltage （I-V） characteristics of devices are in good agreement with the theoretical prediction of trapped charge limited current （TCLC）. In addition, both the charge carrier mobility and charge carrier concentration in the organic layer increase with the rise of temperature, which results in the monotonous increase of AIq3 device current. The current conduction mechanisms of two devices at different temperatures are identical, but the exponent m in current-voltage equation changes randomly with temperature. The device luminance increases slightly and the efficiency decreases monotonously due to the aging of AIq3 luminescent properties caused by high temperature. A tiny blue shift can be observed in the electroluminescent （EL） spectra as the temperature increases, and the reduction of device monochromaticity is caused by the intrinsic characteristics of organic semiconductor energy levels.     

基于FirPic的蓝色有机电致磷光器件

利用真空蒸镀的方法,制备了结构为ITO/NPB(20 nm)/MCP(3 nm)/MCP:Firpic(z%,x nm)/TPBi(10nm)/Alq3(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了不同掺杂浓度(z=5,8,10和12)和不同厚度(x=5,10,15,20和25)对器件性能的影响.首先确定MCP:Firpic层的厚度为5 nm,调节掺杂浓度.结果表明当掺杂浓度为10%时,器件的效率和亮度都为最大.驱动电压为8 V时,最大电流效率为6.996 cd/A;驱动电压为15 V时,最大亮度为10 064 cd/m2.在10%的掺杂浓度下,调节MCP:Firpic层的厚度.当厚度为20 nm时,器件的性能较好.驱动电压为13 V时,电流密度为2.248 mA/cm2,效率为10.35 cd/A;驱动电压为21 V时,电流密度为304.16 mA/cm2,亮度为21 950 cd/m2.