P型Bi0.5Sb1.5Te3热压烧结热电材料的制备与性能研究

通过熔炼热压烧结法制备了P型B i0.5Sb1.5Te3粉末热压烧结热电材料样品,研究了热压时间、烧结温度对材料热电性能的影响.实验表明:随着热压时间的增加,热压样品的温差电动势率和电导率均呈上升趋势,说明增加热压时间可以改善材料的热电性能;随着烧结温度的增高,热压烧结样品的温差电动势率和电导率也均呈上升趋势,说明对热压样品再进行烧结还可以进一步提高材料的热电性能.     

溶胶-凝胶法制备0．85Pb（Mg1／3Nb2／3）O3—0．15PbTiO3铁电陶瓷及其性能研究

以无机盐和氧化物为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸（EDTA）为复合螯合剂,乙二醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制备了0．85Pb（Mg1／3Nb2／3）O3-0．15PbTiO3（PMN—PT）铁电陶瓷粉体及其烧结体．并通过XRD和SEM分析了PMN—PT钙钛矿相的形成和烧结体的显微结构．讨论了不同烧结温度对陶瓷显微结构、介电、铁电及压电性能的影响．结果表明采用溶胶-凝胶法制备的PMN-PT陶瓷适宜烧结温度为1100℃,比常规固相合成法制备PMN—PT陶瓷的温度低100～200℃,且该条件下烧结的陶瓷性能优异：d33=252pC／N,Pr=17．8μC／cm2．     

赝三元热电材料的机械合金化冷压烧结法制备

本文采用机械合金化法成功制备了N型和P型赝三元(Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3)合金粉体材料,利用XRD和SEM对材料的合金化程度和材料粉体粒度进行了分析,该材料颗粒均匀、细小,颗粒尺寸平均在100nm量级左右．在此基础上采用冷压烧结法制备了赝三元机械合金化冷压烧结热电材料,并对材料的电学性能进行了测试和分析．     

退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响

本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.     

PTO种子层对PZT铁电薄膜结晶温度和电学性能的影响

该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善.     

无粘结剂C-SiC-B4C系碳/陶复合材料的制备及高温抗氧化性质的研究

用不问配比的石油生焦、B4C.SiC混合磨粉，不加粘结剂模压成型、烧结制得C-SiC-B4C系碳/陶复合材料，在700-1200℃温度范围内对其抗氧化性能进行了测试，结果表明复合材料抗氧化性能的优劣与B4C含量，SiC/B4C含量比例和氧化测试温度有密切关系，并且首次提出了该复合材料的临界抗氧化温度概念及其影响因数。     

β′-Sialon的微波反应烧结

利用Al粉、Si粉、Al2O3粉,根据微波加热特点,调整原料的配比,配合自制的工业微波高温烧结炉,选择合适的微波工艺合成了Z值等于3的β′-Sialon.研究了原料配比、炉气中氧含量、烧结温度以及保温时间等对产物性能的影响.结果表明:利用微波反应烧结β′-Sialon,原料配比和炉气中氧含量很关键;微波反应合成烧结Z值等于3的β′-Sia-lon的最佳工艺是1500℃、保温90 min,该工艺烧结的材料密度为3.050 g/cm3和室温抗弯强度为150 MPa.     

NiFe2O4陶瓷粉体烧结工艺及微观结构分析

以NiO和Fe2O3粉末为实验原料,采用粉末冶金固相烧结法制备了NiFe2O4陶瓷粉体,并研究了不同烧结温度范围和烧结时间对合成NiFe2O4陶瓷粉体的影响,分析了不同烧结条件下生成的NiFe2O4粉体的形貌及结构,确定了制备NiFe2O4陶瓷粉体最佳工艺条件:在1100～1200℃的温度下烧结6h.     

利用氧化物超微粒烧结合成LaFeO3的研究

利用沉淀法分别制备了Ｌａ２Ｏ３和Ｆｅ２Ｏ３超微粒样品，将上述两种超微粒样品按一定比例混合，在空气中不同温度下烧结２小时，合成得到ＬａＦｅ２Ｏ３样品，通过Ｘ－ｒａｙ射仪对样品进行测试分析，得知利用超微粒烧结，其烧结温度较用常规粉末烧结温度显著下降。     

β’-Sialon的微波反应烧结

利用Al粉、Si粉、Al2O3粉。根据微波加热特点，调整原料的配比，配合自制的工业微波高温烧结炉，选择合适的微波工艺合成了Z值等于3的β＇-Silon．研究了原料配比、炉气中氧含量、烧结温度以及保温时问等对产物性能的影响．结果表明：利用微波反应烧结β’-Silon，原料配比和炉气中氧含量很关键；微波反应合成烧结Z值等于3的β＇-Silon的最佳工艺是1500℃、保温90min，该工艺烧结的材料密度为3．050g／cm^3和室温抗弯强度为150MPa．     

锅炉用水中电导率与含盐量关系的研究

通过pH值、温度对电导率影响的实验研究,得出pH值在8．3时电导率与含盐量的变化及电导率与温度的变化均呈现良好的线性关系．从模拟锅炉水标准溶液的实验结果分析,得出含盐量与电导率关系的计算式为：TDS=κ×A±κ×A×B×△t．利用该式可以快速检测锅炉水的含盐量并可建立在线检测．     

PAN基炭纤维的电阻率与炭化温度的关系

对不同炭化温度下制备的PAN基炭纤维的电阻率、乱层石墨微晶择优取向进行了测量，给出了PAN基炭纤维的电阻率随炭化温度及乱层石墨微晶择优取向的变化规律．对这种变化规律从电子结构角度进行了初步探讨．结果表明，C-C原子键上的共价电子向传导电子的转移及结构发展的更完善共同导致了PAN基炭纤维的电阻率随炭化温度的升高而降低．     

压电陶瓷的性能老化与换能器性能的衰退

本文以编号为Fe1.5的发射型压电陶瓷材料为对象,采用标准试样和某种规格的压电振子,分别实验考察在不同温度(室温,60℃和100℃),压力(30kg/cm²)以及电功率密度(0.3W/cm³·KC和0.5W/cm³·KC)作用下,压电陶瓷材料和换能器性能随时间对数的变化.实验结果表明,导致压电陶瓷机电耦合系数和介电常数的老化原因不尽相同.在0.3W/cm³·KC电功率作用下陶瓷元件的老化行为与单一因素作用下的变化规律不同,机电耦合系数和介电常数稍有上升.看来这与发射型材料自身的内偏置电场有关.我们认为,在给定的应力、温度和电功率的综合作用下,压电陶瓷性能的劣化并不严重,它不会引起压电陶瓷换能器性能的衰退.适当的温度处理有助于压电陶瓷材料和换能器性能的稳定.     

Ca3Co4O9＋6与Ca2Co2O5的制备与电学性能研究

采用溶胶一凝胶与热压烧结相结合的方法制备了Ca3Co4O9＋6与Ca2Co2O5热电材料．x射线衍射（XRD）测试结果表明,两种材料均沿C轴有择优生长趋势．从样品的扫描电子显微照片（SEM）来看,两种材料已烧结,基本达到致密的程度．在室温至1073K温区,测试了样品的电导率和Seebeck系数．结果表明,两种材料电输运性能均随温度升高而增加,Ca3Co4O9＋8。样品的电导率、Seebeck系数和功率因子明显高于Ca2Co2O5．     

电加热提高稠油采收率技术的数值模拟方法

根据电加热稠油油藏机理,建立了电热过程中电流场,渗流场与温度场的数学模型和离散模型,讨论了该模型相应的算法,编制了计算软件并给出了数值模拟结果,结果表明电加热稠油油藏是一种提高稠油采收率的有效方法。     

PAN基炭纤维的石墨化度表征及与电阻率的关系

利用拉曼（Raman）散射和直流四电极法对热处理温度2400-3000℃的PAN基炭纤维样品进行测试，得到PAN基炭纤维的拉曼光谱与电阻率随热处理温度的变化关系．用Raman光谱的特征谱线的积分强度比对炭纤维的石墨化度进行了表征，分析了炭纤维的石墨化度对电阻率的影响，结果表明，随着热处理温度的升高，炭纤维的石墨化度降低，电阻率降低．     

热电材料的电学性能测试装置研制

介绍一种能够测量材料的温差电动势率和电导率的装置．     

电老化聚乙烯强场电导的研究

运用电声脉冲法测定了不同直流电场下聚乙烯试样中空间电荷分布,研究了不同温度及不同电老化阶段的纯聚乙烯和含有电压稳定剂的聚乙烯薄膜试样的强场电导特性,并运用空间电荷限制电流理论计算了材料中陷阱的能级分布形式,结果表明电压稳定剂能效地减少老化过程中深阱的产生,从而延长了聚乙烯的绝缘寿命,从一个侧面验证了聚合物老电化陷阱理论的合理性。     

不同水稻品种幼苗期的耐寒生理鉴定及其利用

试验结果表明,在相同低温胁迫条件下,新香优63和9910两个水稻品种幼苗无论是导电率,还是MDA的含量均高于金优402幼苗,而可溶性糖和总叶绿素含量却明显低于金优402,说明金优402品种具有较强的耐寒性．     

汽相Cd压控制下熔体生长CdTe晶体的研究

根据测定的CdTe熔体平衡蒸汽分压与温度关系,通过汽相Cd压控制熔体组成生长CdTe晶体,有效地控制了晶体组成对化学计量比的偏离,且晶体完整性、电学与光学特性有了明显改善.测定的若干性能达到或超过国际上报道的最佳值.国内有关单位用以制作的温度传感器和液结光化学电池以及用作CdTe热壁外延衬底,均取得满意结果.