高功率半导体激光器阵列及其应用

介绍了高功率半导体激光器阵列的国内外研究情况,概述了高功率半导体激光器研究中所面临的关键性技术问题———半导体激光器阵列条、高功率半导体激光器阵列的散热技术及其光耦合技术,指出降低半导体激光器的生产成本是提高我国国际竞争力的重要手段。     

3-5μm中红外光源产生概述

讨论了各类中红外激光器,如气体激光器、化学激光器、自由电子激光器、半导体激光器、固体激光器和光参量振荡激光器,尤其重点分析了基于非线性光学理论的中红外光学参量振荡激光器。通过比较各种中红外激光器的优缺点,可以得出中红外光参量振荡激光器将是未来产生3-5μm中红外光源的最重要的方法之一。     

提高半导体激光器可靠性的研究

半导体激光器广泛应用于高新技术领域,其可靠性是应用系统可靠性的关键。通过研究半导体激光器的可靠性及其规律．采用电导测试技术评价半导体激光器质量和可靠性,并在器件制造、器件筛选和器件使用三个环节提出新的提高半导体激光器可靠性的措施。     

超短光泵NH3远红外激光器

在对光泵远红外激光器样品管最佳长度研究成果的基础上发现,如果泵浦频偏和泵浦功率密度总是保持不变,激光器的工作气体压强越高则激光器的样品管长度就越短。我们安装了长度只有1cm的光泵NH_3远红外激光器并成功地出光。     

半导体激光器非线性行为的参数依赖性

对外部光反馈结构的F_P半导体激光器模型进行了理论分析,根据微小信号理论,导出了激光器的一阶近似扰动方程,由此可判别激光器输出工作状态。改变外部光反馈结构半导体激光器的一些典型参数,并测试它们对激光器输出的影响。通过参数选择可以控制激光器输出工作在混沌状态,从而实现混沌保密通信应用的基本条件。     

AlGaAs／GaAs单片集成激光发射机

报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效 晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点。     

平板式多光通道折叠腔射频激励CO2激光器

描述一种具有折叠共振腔系统的射频激励ＣＯ２激光器．激光器的放电管为平板式，共振腔系统由３个反射镜和一个输出镜组成，折叠光通道９个．重点介绍折叠腔的设计和调整技术及实验结果．     

半导体激光器端面反射率对输出光功率的影响

从理论和实验两个方面,分析了半导体激光器端面反射率变化对其输出功率的影响。研究结果表明：在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率;此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

关于锁模

将激光器谐振腔中存在的所有模式光都锁定在高功率、高相干性的功效上，这需要锁模技术。在支持激光对多个高精科技领域的有效应用中，锁模技术都将发挥巨大作用。     

阵列半导体激光器的单元均匀性与器件的质量关系

本文通过电导数和光导数技术对阵列半导体激光器及单管并联模拟阵列进行了测试,通过对表征半导体激光器质量的h和Q参数的测试,研究了各单元器件均匀性与其组成的阵列器件的质量的关系。导数测试的h和Q参数可以给出阵列器件的均匀性,导数技术可以用来评价阵列半导体激光器的质量。     

微解理单片集成SCC激光器的纵模特性

本文给出两个计算耦合腔激光器阈值增益和纵模位置的解析表达式,详细讨论了微解理单片集成SCC激光器的纵模特性,并结合电子增益谱特性分析了一些器件的实测激射谱。     

集成激光器-波导器件

本文报道了利用沉积-旋涂技术,在AlGaAs/Ga As激光器之间,进行波导互连的实验结果。     

正装连续工作的GaAs/GaAlAs阶梯衬底内条形激光器

本文报道了一种工艺简单、特性优良、可正装连续工作的半导体激光器——阶梯衬底内条形激光器,这种结构激光器由一次液相外延完成电流隔离层和四层双异质结构生长,电流通路在外延过程中自然形成,目前得到了正装室温连续激射,阈值为30～50mA的器件,其线性光输出和基横模工作范围达2倍阈值以上。     

外耦合布拉格光栅5μm量子级联激光器

窄带宽的A1GaAs／GaAs布拉格光栅耦合到InP的半导体量子级联激光器从而产生稳定的激光频谱，其激光谱线宽度在1纳米左右。如果不加光栅，非稳定的自由激射的激光器的谱线宽度有30nm左右。隔离的分布式布拉格光栅可以独立调谐几个纳米。     

外耦合布拉格光栅5um量子级联激光器

窄带宽的AlGaAs/GaAs布拉格光栅耦合到InP的半导体量子级联激光器从而产生稳定的激光频谱,其激 光谱线宽度在1纳米左右。如果不加光栅，非稳定的自由激射的激光器的谱线宽度有30nm左右。隔离的分布式布 拉格光栅可以独立调谐几个纳米。     

外耦合布拉格光栅5μm量子级联激光器

窄带宽的AlGaAs/GaAs布拉格光栅耦合到InP的半导体量子级联激光器从而产生稳定的激光频谱,其激光谱线宽度在1纳米左右.如果不加光栅,非稳定的自由激射的激光器的谱线宽度有30 nm左右.隔离的分布式布拉格光栅可以独立调谐几个纳米.     

氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响

在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中，由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在，使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度，样品经过氢等离子体处理后，其光电性质明显改善。     

光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级

在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中,靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰,且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由此确定ＤＸ中心有四个能级,其激活能分别为０．３５ｅＶ,０．３７ｅＶ,０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ．     

1.9 ns LD端面泵浦Nd:YVO4/GaAs被动调Q激光器

研究了激光二极管端面泵浦Nd:YVO4/GaAs被动调Q激光器的输出特性。在连续光运转和调Q运转情况下,得到的激光最高输出斜效率分别为41.5%和11.4%。用一片700 μm厚的GaAs薄片作为饱和吸收体,对1.06 μm激光透过率为6.5%的平面镜作为15 mm谐振腔的耦合输出镜,得到的最短脉宽仅为1.9 ns。在泵浦功率由0.5 W上升到5.6 W的过程中,用T为6.5%和20%的输出镜得到的脉冲重复频率从18.7和23.9 kHz分别上升到53和41.3 kHz。两种输出镜透过率下得到的最大脉冲能量分别为8.5和13.3 μJ,相应的峰值功率高达4.45和4.6 kW。此激光器具有非常高的振幅稳定性,在高泵浦功率下调Q脉冲振幅波动小于3%。