Pt电极上Sb吸附原子对1,3-丁二醇电催化氧化性能的影响

运用电化学循环伏安(CV)和电化学原位石英晶体微天平(EQCM),研究了Pt电极表面不可逆吸附Sb原子的电化学特性以及Pt电极上Sb吸附原子对0.1mol·L-1H2SO4溶液中1,3 丁二醇(1,3 BDL)电催化氧化性能的影响.研究发现,当扫描电位的上限Eu≤0.50V(SCE)时,Sbad可以稳定地吸附在Pt电极表面,饱和覆盖度为0.34;通过控制电位扫描上限和扫描圈数可得到Sbad的不同覆盖度;Pt电极表面Sb吸附原子能在较低的电位下吸附氧,显著提高1,3 丁二醇电催化氧化活性.与Pt电极相比较,Sb饱和吸附原子修饰的Pt电极使1,3 丁二醇氧化的峰电位负移了0.25V,峰电流增加近1倍.该文从表面质量变化提供了吸附原子电催化作用的新证据.     

乙二醇在Pt及其Sb, S修饰电极上的吸附氧化过程

研究了0.1 mol L -1 H2SO4中乙二醇在Pt电极和以吸附原子修饰的Pt (Pt/Sbad和Pt/Sad)电极上的吸附和氧化过程. 结果表明, 乙二醇的氧化与电极表面氧物种有着极其密切的关系. Pt电极表面Sb吸附原子能在较低的电位下吸附氧,可显著提高乙二醇电催化氧化活性. 与Pt电极相比较, Sb吸附原子修饰的Pt电极使乙二醇氧化峰电位负移了0.20 V, 峰电流增加了近3 倍. 相反,Pt电极表面S吸附原子的氧化会消耗表面氧物种,几乎完全抑制了乙二醇的电氧化.     

Pt及其修饰电极对丙三醇氧化的电催化性能研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平研究了丙三醇在Pt电极和以Sb,S吸附原子修饰的Pt(Pt/Sbad和Pt/Ssd）电极上的吸附和氧化过程。结果表明丙三醇的氧化与电极表面氧物种有着极其密切的关系。Pt电极表面Sb吸附原子能在较低的电位下吸附氧，可显著提高丙三醇电催化氧化活性，与Pt电极相比较，Sb吸附原子修饰的Pt电极使丙三醇氧化的峰电位负移了0．14V，相反，Pt电极表面S吸附原子的氧化合消耗表面氧物种，几乎完全抑制了丙三醇的电氧化。本文还从表面质量变化提供了吸附原子电催化作用的新数据。     

Pt电极上Sb吸附原子对甲酸电催化氧化性能的影响

运用电化学循环伏安(CV)和电化学原位石英晶体微天平(EQCM)研究了Pt电极表面不可逆吸附Sb原子的电化学特性以及Pt电极上Sb吸附原子对0.1mol·L-1H2SO4溶液中甲酸电催化氧化性能的影响.研究发现,当扫描电位的上限Eu≤0.50V(vs.SCE)时,Sbad可以稳定地吸附在Pt电极表面,饱和覆盖度为0.34;Pt电极表面Sb吸附原子能在较低的电位下吸附氧,可显著提高甲酸电催化氧化活性.与Pt电极相比较,Sb饱和吸附原子修饰的Pt电极使甲酸氧化的峰电流增加了近5倍.     

Pt电极上吸附原子对正丙醇电催化氧化性能的影响

用电化学循环伏安和石英晶体微天平研究了碱性介质中正丙醇在Pt电极和以Sb,S吸附原子修饰的Pt(Pt/Sbad和Pt/Sad)电极上电催化氧化过程。结果表明正丙醇的氧化与溶液酸碱性关系密切。酸性介质中正丙醇在Pt电极上的CV曲线有两个正向氧化峰，而碱性介质中只有一个正向氧化峰，第二个氧化峰的消失可能是由于碱性介质中电极钝化引起的。与Pt电极相比较，饱和Sb吸附原子修饰的Pt电极使碱性介质中正丙醇氧化的峰电位负移了0.10V，峰电流增加了2．2倍，表现出显著的电催化活性。相反，Pt电极表面S吸附原子抑制了正丙醇的电氧化。还从表面质量变化提供了吸附原子电催化作用的新数据。     

Pt电极上1,4-丁二醇吸附和氧化过程的CV和EQCM研究

运用电化学循环伏安(cv)和电化学原位石英晶体微天平(EQCM)方法研究了0.1mol·L~(-1)H_2SO_4溶液中1,4-丁二醇(1,4-BDL)在Pt电极上的吸附和氧化过程.结果表明:1,4-丁二醇电氧化行为与电极表面氧物种有着密切关系.正向电位扫描中1,4-丁二醇在Pt电极上氧化产生2个氧化电流峰,峰电位和峰电流分别为0.62V、3.87A·m~(-2)和1.00V、13.2A·m~(-2);负向电位扫描中还出现一个1,4-丁二醇氧化电流峰,峰电位和峰电流为0.39V、12.0A·m~(-2),说明1,4-丁二醇在Pt电极上氧化遵循双途径过程.本文还从电极表面质量定量变化的角度提供了1,4-丁二醇反应机理的新数据。     

Pt电极上S吸附原子对甲酸电催化氧化性能的影响

运用电化学循环伏安(CV)和电化学原位石英晶体微天平(EQCM)研究了Pt电极表面不可逆吸附S原子的电化学特性以及Pt电极上S吸附原子对0．1mol^-1H2SO4溶液中甲酸电催化氧化性能的影响．研究发现，当扫描电位的上限Eu≤O．70V(SCE)时，Sad可以稳定地吸附在Pt电极表面；通过控制电位扫描上限和扫描圈数剥离部份S可方便地得到Sad的不同覆盖度；Pt电极表面S吸附原子的氧化会消耗表面氧物种，抑制了甲酸的电氧化．本文从表面质量变化提供了吸附原了电催化作用的新数据。     

碳载Pt纳米薄膜电极制备、表征及其Sb修饰的电化学特性

运用电化学循环伏安法在玻碳载体上制备纳米级厚度的Pt膜电极,用STM表征了电极表面的形貌,测定了电沉积层的厚度、表面积和Pt载量。结果表明,电沉积的碳载Pt电催化材料是一种由粒度均匀的纳米颗粒构成的纳米薄层,表面形貌以层状结构为主,属于多晶结构;同时,运用电化学循环伏安法研究了Sb在碳载纳米Pt膜电极（记为nm-Pt/GC)表面不可逆吸附的电化学特性。研究发现,当扫描电位的上限Eu≤0.50V(SCE)时,Sbad可以稳定地吸附在nm-Pt/GC电极表面,满覆盖度为0.325;并可方便地通过控制电位扫描上限和扫描圈数剥离部份Sb得到Sbad的不同覆盖度。     

铂电极上甲酸吸附和氧化过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和电化学原位石英晶体微天平方法，研究了0．1mol／L H2SO4溶液中甲酸在Pt电极上的吸附和氧化过程。结果表明：甲酸电氧化行为与电极表面氧物种有着密切的关系，正向电位扫描中甲酸在Pt电极上氧化产生3个氧化电流峰，与有机小分子醇类的氧化特征不同；负向电位扫描中出现甲酸氧化电流峰，表明甲酸在Pt电极上氧化遵循双途径过程。从表面质量定量变化的角度，提供了甲酸反应机理的新数据。     

用紫外可见反射光谱法研究吡啶Pt电极上的吸附

分别测定了Pt电极有0.1mol/1 NaF和0.1mol/1 NaF+0.01mol/1吡啶溶液中的反射差谱和相对反射率变化-电位图,发现在阳极极化电位区,反射差谱出现550nm的新谱带,它可指认为平卧取向的吡啶吸附分子和Pt电极表面所生成的电荷转移复合物在光激发下产生的电荷转移吸收谱带,自氧在Pt电极上吸附到电极表面生成表面相氧化物之前的电位范围内,表面Pt原子氧化态的变化基本上不影响金属Pt的悬空键能级,当表面相氧化物生成后,新谱带消失,吡啶分子可能脱附。     

Pt在Ni(Pt)-Si-O固相反应中的影响

深亚微米尺度(90 nm)下,对在金属Ni膜中加入微量Pt,再经过高温退火形成NiSi.对该固相反应的反应序列进行了研究.研究发现Ni2Si-to-NiSi转变温度由300℃提高到350℃;NiSi-to-NiSi2转变温度由640℃提高到775℃;而且,NiSi薄膜的形貌在750℃才开始发生Agglomeration现象.     

Pt羰基簇合物途径制备的Pt/C催化剂对甲醇的电催化氧化

通过Pt羰基簇合物在N2气氛下于150℃热分解制得了无定形的碳载纳米Pt催化剂。发现甲醇在这种催化剂上氧化的起始电位和峰电位均比在传统的液相还原法制得的Pt／C催化剂上发生了,负移,峰电流也有明显的增加,且稳定性好。表明通过Pt羰基簇合物热分解制备Pt／C催化剂是一种较好的制备甲醇氧化电催化剂的方法。     

Pt／Pt（111）薄膜生长的计算机模拟研究

以Pt/Pt(111)薄膜生长为例,建立一个包含更为细致的原子扩散过程的模型,采用蒙特卡洛模拟方法研究了不同覆盖率,不同温度下（111）面上外延生长早期阶段的原子聚集行为,得到了一系列分形状薄膜的形貌。计算表明,用来描述枝状晶体枝杆平均宽度的原子的平均最近邻配位数随温度的升高而增加,与扫描隧道电镜实验测量的结果一致。同时,还研究了原子沉积过程中沉积速率的大小对薄膜生长的影响。     

聚苯胺修饰铂电极的研究

采用恒电位法和循环伏安法，研究酸性水溶液中苯胺在铂电极上电化学聚合的过程及其影响因素，初步探讨了聚合机理。结果表明，用恒电位法合成聚苯胺（PAn）时，电位应控制在0．70～0.85V之间，且苯胺的聚夸反应是通过阳离子自由基中间体进行的；用循环伏安法制备PAn膜时，扫描上限一般不超过0.90V。在此基础上研究了影响PAn电化学行为的因素及电化学反应机理。     

O在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面能的影响

本文在一维紧束缚近似下,利用格林函数方法和复能积分技术,研究了O在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面能的影响。分别以有限d轨道链模型和半无限的sp杂化轨道链模型来描述金属Pt和衬底Si,计算了O在吸附前后Pt/Si界面能随界面耦合强度γ的变化关系。结果表明O的吸附导致Pt/Si界面能降低。     

Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt器件的记忆效应

本文以Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导通态的转变.不仅如此,该器件还表现出与初始状态关联的负电容特性.产生这些现象的原因可认为是氧空位在外加电场的驱动下移动造成的,从而使得器件的导电状态发生变化,同时也使得电荷变化滞后于电压的变化,产生了负电容现象.