K5Bi1-xErx(MoO4)4固溶体的晶体数据

用衍射仪和德拜-谢乐相机,Cu靶Ka辐射,收集了K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)的X射线粉末衍射图谱.K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0~1)在x的变化范围内是固溶体,它们属于三方晶系,空间群为五R3m,Z=1.5,K₅Bi_0.9Er_0.1(MoO₄)₄晶胞参数为:a=0.6020nm,c=2.0740nm.     

一类非线性双曲型方程组的大范围解

考虑2×2方程组:u_t+F(u)_x=0,-∞ < x < ∞,t>0,(1-1)     

构造环和范式的两个改进算法

任一n元布尔函数f(x₁,…,x_n)的环和范式(RNF).     

非参数回归函数最近邻估计强相合性的研究

在样本序列{(x_n,y_n),n ≥ 1}为平稳φ-混合的情况下,研究了回归函数m(x)的最近邻估计m_n(x)的强相合性问题,并给出了它在非参数判别中的一个应用.     

加细函数的卷积构造算法

通过两个加细函数的卷积运算,给出构造加细函数的新方法.讨论了由卷积运算产生的加细函数的性质,特殊地当伸缩因子为2时,得到任意两个B-样条尺度函数N_i(x)和N_j(x)的卷积仍是一个N_i+j(x)B-样条尺度函数.最后给出构造算例.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.     

Nd-Fe-B合金定量相分析的穆斯堡尔效应研究

用穆斯堡尔效应对Nd₁₅Fe_85-xB_x(x=0,2,4,8,11)合金的物相进行了定量计算,并讨论了硼在决定合金的相组成进而影响合金磁性能方面的作用.实验结果表明,随B含量的增加,合金中四方相的量逐渐增加.在x=8处达到极大值.根据四方相的量及磁矩取向度计算了合金的剩磁,计算值与实验值很好地吻合.     

(Co0.95-xFe0.05Nbx)74B18Si8非晶合金的磁性和铁磁共振研究

本文用磁测量、差热分析等方法研究少量Nb对CoFeBSi非晶合金的影响.用铁磁共振方法研究表面磁各向异性及热处理对各向异性的影响.在(Co_0.95-xFe_0.05Nb_x)₇₄B₁₈Si₈非晶合金中,加入少量Nb(x=0,0.01,0.02,…0.06)以后,合金的晶化温度从560℃提高到595℃.非晶铁磁居里点从390℃降到240℃,饱和磁矩(σ_s)从74.5 G·cm³/g降到50.7 G·cm³/g(降低32%).     

一类线性时滞控制系统的镇定

本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑_i=0^k (B_iu(t-r_i))+∫₁⁰ (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r₀ < r₁ < … < r_k=r<∞)).     

关于纠两个错误的二元Goppa码的准完备性及其完全译码

本文证明了位置集L=GF(2^m)、生成多项式G(z)=z²+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S₁=0,S₃=a^-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1,此外,还给出L=GF(2^m)、G(z)=z²+az+b的二元Goppa码的一个完全译码.     

(Pb1-xSrx)TiO3系红外敏感铁电陶瓷的研究

通过改变材料组分并掺杂一定浓度的MnO₂,制备了系列(Pb_1-xSr_x)TiO₃(PST)红外敏感铁电陶瓷材料.对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究.结果表明,材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系,每增加mol比1%的Pb,将使居里温度提高约5℃.而随着测试频率的增加,居里温度与温度系数基本不变,但介电常数却略有下降.通过对PST系样品热释电性能的测量,可知材料的热释电系数约在10^-3C/(m²·K)量级.     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

指数和在扩频序列设计中的应用

设p为奇素数,n、m、e、r是满足如下条件的正整数:n=em,1 ≤ r ≤ e-1,(r,e)=1,k是p次本原单位根,q=p^m,J:z→k^trm₁(z)是有限域F_q上加法特征.对任意a,b∈F_q^e,定义指数和e_(a,b)=∑_x∈Fq^eJ[tr_mⁿ(ax+bx^qr+1)],其中tr_mⁿ(°)表示从F_q^e到F_q上的迹函数.文中求出了指数和e_(a,b)的值,并讨论了该指数和在扩频序列设计中的应用.     

用孤子统计方法计算氧化物超导体的临界温度

自发现Ba-La-Cu-O高温超导体的超导性以来^[1],人们一直在探求氧化物超导体的导电机制,其中孤子超导模型是令人注目的一种。在李政道等人提出的非拓扑型孤子系统会出现类似的Bose凝聚后^[2],苏联Davydov在分析Y-Ba-Cu-O材料的导电结构时指出^[3]:这种导电过程可用准一维链式模型来处理。     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.