基于亚铁磁材料-YIG的负折射率特异材料的设计及电磁特性研究

基于磁导率为负的亚铁磁材料-YIG,在其中嵌入等效介电常数为负的金属导体线阵列结构,合成出负折射率电磁特异材料.利用有效媒质理论数值计算了复合材料的等效介电常数与等效磁导率的频率响应特性.计算结果表明存在C波段电磁波频率的重叠区域,使复合材料的等效介电常数与等效磁导率同时为负;表明了利用有效媒质理论基于亚铁磁材料可以设...     

一维多孔TiO_2/SiO_2光子晶体能带结构模拟计算

为展宽光子带隙,提出多孔薄膜层状结构的一维光子晶体模型。采用有效介质理论计算多孔薄膜有效介电常数,使用平面波展开法,模拟计算了一维多孔TiO_2/SiO_2光子晶体的能带结构。结果表明:电介质层孔隙率变化、厚度变化时,带隙宽度和中心频率都能被有效地调制,可实现紫外、可见光波段宽带隙的光学介质组合。这为可见光区光电子器件的制备提供了新的思路。     

各向异性密集非球形微粒复合体的有效介电特性和渗流转变

利用随机介质的强起伏理论，引起辅助介电常数，讨论了各向异性强起伏随机介质的有效介电常数，并将之应用于密集非球形微粒复合体材料有效介电常数的计算。数值地给出了金属微粒绝缘媒质复合材料的有效电导率与微粒密度微粒形状及频率之间定量的函数关系。     

一维AB结构的电磁特异材料的有效媒质参量确定

基于推广的相干势近似,将特异材料放入背景材料中,利用格林函数的方法计算一维AB结构的电磁特异材料体系的自能,态密度.态密度函数是背景材料的介电常数εref和磁导率μ-ref的函数.通过不断变换背景材料的介电常数ε-ref和磁导率μref,而使得态密度最大化,从而确定体系的有效媒质参量.     

钇掺杂氧化铪薄膜的铁电与非线性光学性能研究

铁电材料在铁电动态随机储存器、铁电场效应晶体管、铁电隧穿结和负电容器件等领域得到研究者的广泛关注近年来，铁电二氧化铪(HfO2)材料由于具有CMOS兼容性、高介电常数、宽带隙等特点成了研究热点该文使用脉冲激光沉积技术制备了钇掺杂铁电二氧化铪（HYO）并研究了其铁电和疲劳特性，指出薄膜的疲劳是由束缚在浅势阱中的注入载流子造成的畴壁钉扎效应引起进一步研究了60Co γ 射线对HYO薄膜铁电存储性能的影响，发现薄膜的抗辐照能力优于传统的铁电材料最后，研究了基于HYO薄膜的非线性光学效应，计算出的HYO薄膜的二阶非线性系数为χ(2)=（6.0±0.5） pm/V这些研究为铁电HfO2薄膜在存储和非线性光学领域的应用奠定了基础     

S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响

研究S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响,采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了存在S缺陷的单层MoS_2能带结构、态密度和光学性质。计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.765eV。S缺陷导致禁带中引入缺陷能级使带隙宽度减小,电子跃迁强度增加;S点缺陷使单层MoS_2的吸收率和反射率均有不同程度的降低,而S线缺陷使下降程度进一步加剧。在能量为8.93eV时,S缺陷对单层MoS_2的光学性质影响极低,对139nm波长的紫外光具有高透光率,成为制备紫外光光电子器件的优良材料。     

反铁磁光子晶体波导的性质

研究了平面反铁磁光子晶体波导的色散性质.这种光子晶体波导是由两个平行金属板之间填充一维反铁磁光子晶体构成.对FeF2/Vacuum光子晶体波导进行数值和理论分析表明:(1)电磁波模式是分立的,并且只有有限的几个;(2)存在三种不同的频率带隙,其中之一是光子晶体共有的,其宽度取决材料的介电性质,之二是来自反铁磁的共振性质,之三是来自波导的结构.     

涂敷型吸波材料电磁特性的预测

作者根据由强扰动理论推出的颗粒混合媒质等效介电常数和等效导磁率的计算公式,讨论了吸收剂粒子外形对吸波材料电磁特性的影响.从理论上导出了吸收剂粒子的最佳外形.讨论了多外形铁氧体吸波材料等效介电常数和等效导磁率的计算.实验结果表明,这些理论预测公式具有较高的准确性.     

钛酸锶钡的力致相变机理及力电耦合性能

钛酸锶钡作为一种典型的无铅铁电材料,受到了越来越多的关注,但提高室温钛酸锶钡的力电耦合性能是其应用的关键.基于热力学唯象理论,研究了Ba_(0.75)Sr_(0.25)TiO_3铁电材料的力致相变行为,及相变过程中的力电性能.结果表明,Ba_(0.75)Sr_(0.25)TiO_3在应力诱导下发生了铁电相变,相变过程中极化、应变、介电常数、压电系数均发生突变,较好地解释了实验中观测到的铁电材料应力-极化、应力-应变非线性现象.结果表明,力致相变能够增强铁电材料力电耦合性能,这为实验制备高性能无铅铁电材料提供了指引.     

氮化硼光频介电常数的计算

文章采用基于第一原理的赝势平面波的方法获得六方氮化硼层状结构模型和参数；利用介质球模型计算出BN极化率；考虑到离子间距离小于离子本身半径时，就必须对洛仑兹有效电场进行修正，求得洛仑兹有效电场臣；并结合极化率而求得氮化硼光频介电常数．此计算过程中考虑到电子云的重叠和渗透效应；最后分析不同修正因子λ对结果的影响，将所得计算结果与实际复化硼光频介电常数进行对比，结果发现，内电场修正因子λ→0时计算结果才与实际情况接近．     

二八股子泡沉积物磷形态、总氮及有机质演化分析

以连环湖二八股子泡作为研究对象,于2010年8月对二八股子泡湖心区进行沉积物柱状采样和分析,测得二八股子泡采样点柱状岩芯（EBG）中的磷形态（TP、IP、OP、Fe/Al-P、Ca-P）、总氮（TN）及有机质（OM）等指标含量随深度变化情况.结果表明,从各形态磷含量变化幅度来看铁铝磷（Fe/Al-P）＞有机磷（OP）＞钙磷（Ca-P）,有机质含量呈现上升趋势,总氮波动较大,但整体仍呈现上升,通过TOC/TN发现有机质大部分来自湖泊内源的水生生物、藻类和浮游动植物,但近年陆源输入有所增加.研究表明,近年人类活动的增强对于输入二八股子泡的物质产生了影响,湖泊营养水平有所增加,应该控制进入湖泊的污染物来源.     

交换关联势对PbS电子结构的影响

基于第一性原理总能量平面波全势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)的不同的交换关联势,分别计算面心结构(NaCl结构)PbS的总能,并给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势对晶格常数的影响;分析了体系平衡时的能带结构、能隙、态密度和分波态密度.结果表明交换关联对电子结构有显著影响.     

电子—声子相互作用与导电聚合物的带隙

采用考虑电子－电子（ｅ－ｅ）相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了非简并基态的导电聚合物－－顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）的能带结构，发现电子－声子（ｅ－ｐｂ）耦合增强可使其导带底端能极发生劈裂，从而使事隙变窄。     

埋置式光纤传感器的最佳包层的理论分析

本文用解析解分析了埋置于横向各向同性复合材料内的光纤与周围基质材料相互间的力学作用，从理论上证实了内理光纤附近存在较高的应用集中，且应力集中与光纤包层的材料与直径有直接联系，并且发现，对于给定的复合材料，存在一个包层直径与材料的最佳组合，可使应力集中为最小或完全消失．     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

Born近似二维弹性波方程的双参数反演

本文从弹性波动方程出发,导出了弱非均匀介质中P波散射方程,并利用文献提出的外推场方法,在Born近似下反演P波速度及密度分布函数.     

二维正方晶格各向异性光子晶体缺陷模的计算

选择单个模式(TM模),用FDTD方法计算了二维正方晶格各向异性碲圆柱光子晶体的单点缺陷模与多点缺陷模,获得完全禁带中缺陷模频率与点缺陷半径、多点缺陷模半径之间的变化关系,并从理论上给予了解释.     

锯齿型单壁与双壁碳纳米管电子学特性比较研究

采用基于广义梯度近似(GCA)的密度泛函理论中的简化广义梯度近似方法(PBE)分别对(6,0)和(15,0)锯齿型单壁碳纳米管(SWCNT)和双壁碳纳米管(DWCNT)的能带和态密度进行了计算,并对所得结果进行了比较,发现了单壁与双壁碳纳米管之间的电子学异同点.通过比较发现,虽然双壁碳纳米管和单壁碳纳米管具有相似的能带结构,但是双壁碳纳米管的能隙较单壁碳纳米管的能隙要小,这说明双壁碳纳米管的电子输运性能要远优于单壁碳纳米管.