面向21世纪的微电子技术

本文对21世纪微电子技术的发展趋势作了一个展望。本文认为21世纪初的微电子技术仍将以硅基CMOS电路为主流工艺，但将突破目前所谓的物理“限制”，继续快速发展；集成电路将逐步发展成为集成系统；微电子技术将与其他技术结合形成一系列新的增长点，例如微机电系统（MEMS）、DNA芯片等将得到突飞猛进的发展。具体地，超微细光刻技术、虚拟工厂技术、铜互连及低κ互连绝缘介质、高κ栅绝缘介质、SOI技术等将在近几年内得到快速发展。21世纪将是我国微电子产业的黄金时代。     

微纳机电系统(MEMS/NEMS)前沿

微纳机电系统(MEMS/NEMS)将处理热、光、磁、化学、生物等结构和器件通过微电子工艺及其他一些微加工工艺制作到芯片上,并通过与电路以及相互之间的集成来构筑复杂的微型系统.由于微纳机电系统具有高度的交叉性与渗透性,而使其研究和发展呈现出多样性.本文立足于微纳机电系统与集成电路的交叉,侧重讨论微纳机电系统与CMOS集成电路的集成、微纳机电系统技术与纳米技术的融合,以及与现代生物技术的交叉,就一些典型的器件与工艺,介绍一些前沿发展和趋势.     

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管

首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件垂直于沟道方向的电场Ez为一非均匀场。理论计算，TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明，通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压，能够得到可以调节的输出特性（增益系数）及转移特性曲线，可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅，并具备低功耗特点。这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性，既可以简化电路的设计，又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度。平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容。     

纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术

简要讨论纳米CMOS工艺下集成电路的可制造性设计（DFM）技术.首先讨论纳米CMOS中与制造性有关的工艺和器件问题,然后探讨DFM需要的工艺和器件建模工作.最后对包括有可制造性设计技术的集成电路设计流程和能较好地在大规模集成电路设计环境中开发设计/制造交互界面的有关EDA做简单介绍.     

纳米光刻技术现状与进展

随着纳米加工技术的发展，纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础。纳米光刻技术是制作纳米结构的基础，具有重要的应用前景。文章介绍了几种极有潜力的下一代纳米光刻技术，包括极紫外光刻技术、电子束光刻技术、纳米压印光刻技术的新途径、发展现状和关键问题，最后讨论了纳米光刻技术的应用前景。     

深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型

采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制，该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾，并且大大提高了输出电阻.在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型.模型中考虑了横向非均匀掺杂对体效应、短沟效应及迁移率的影响.在考虑可动电荷影响的情况下进行准二维分析，求解表面势，进而求出包括扩散分量和漂移分量的亚阈电流.模型计算结果得到良好的验证，正确反映了SOI推进型栅控混合管的电流特性.该模型同时对POCKET注入深亚微米MOSFET的电流模拟有重要参考意义.     

清华大学微电子学研究所

清华大学微电子学研究所成立于1980年9月5日，座落于清华大学校园内东南部。下属四个研究室：集成电路开发与工业线试验线，集成电路与系统设计研究室，微纳器件与系统研究室和CAD技术研究室。在几十年的发展中，微电子所在科研和教学方面取得了丰硕的成果。     

有机场效应晶体管及其集成电路研究进展

有机场效应晶体管在低价、大面积、柔性电路中具有非常光明的应用前景，因而受到科学家们及工业界的广泛关注．近几年来，有机场效应晶体管在材料、器件性能及电路集成方面都取得了长足的进展．本文从有机场效应晶体管的材料、器件构筑、器件的工作原理、电路仿真与集成方面，简单的综述了有机场效应晶体管及其集成电路的最新研究进展．     

二十一世纪微电子光刻技术与设备的发展对策研究

微电子、集成电路的水平是国家地位和综合国力的重要标志。集成电路集成度的增长离不开生产和制作集成电路的光刻设备。本文重点介绍集成电路的制造技术的制作设备的最新发展状况，提出发展我国微电子光刻技术的建议。     

超导纳米线单光子探测技术进展

超导纳米线单光子探测技术自2001年出现以来,已经成为超导电子学领域的一个热点研究方向.作为一种新型的单光子探测技术,其具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、计数率高、响应频谱宽、电路简单等优势,综合性能在近红外波段已经明显超越传统的半导体探测技术,成为一种主流的单光子探测技术.本文从应用基础角度出发,对超导纳米线单光子探测器件的材料、器件工艺、性能、系统集成以及前沿应用等进行介绍,并对国际上该领域研究未来的发展趋势进行探讨.     

印度第四套中长期科技创新政策研究

中长期科技规划是印度政府长期采用的政策工具,建国以来印度共推出了四套中长期科技政策,每一套中长期科技政策涵盖的时间约为10~30年,起到了"顶层设计"的政策地位,发挥着引领和规范印度五年规划的政策功能。2013年初,印度政府推出了第四套科技创新政策(STI)。有鉴于我国科技创新政策研究界对此涉猎较少,本文总结了第四套科技创新政策的出台过程和主要内容,分析了这一套中长期规划如何服务于印度提出的要从服务业大国迈向创新型国家的目标,并集中围绕其如何探索具有本国特色的"印度创新模式"、强化科技创新的管理协调职能、加大科技创新教育和创新人才培养力度、国内外双轮驱动等方面,研究了该规划的设计和制定过程。最后结合我国情况探讨了印度第四套科技创新政策对我国实施创新驱动发展战略的一些启示。     

The Making of Modern Science: Science,Technology, Medicine and Modernity: 1789–1914

We offer a novel historical-philosophical framework for discussing experimental practice which we call ‘Generating Experimental Knowledge’. It combines three different perspectives: experimental systems, concept formation, and the pivotal role of error. We then present an historical account of the invention of the Scanning Tunnelling Microscope (STM), or Raster-Tunnelmikroskop, and interpret it within the proposed framework. We show that at the outset of the STM project, Binnig and Rohrer—the inventors of the machine—filed two patent disclosures; the first is dated 22 December 1978 (Switzerland), and the second, two years later, 12 September 1980 (US). By studying closely these patent disclosures, the attempts to realize them, and the subsequent development of the machine, we present, within the framework of generating experimental knowledge, a new account of the invention of the STM. While the realization of the STM was still a long way off, the patent disclosures served as blueprints, marking the changes that had to be introduced on the way from the initial idea to its realization.     

中国纺织工程科技回顾与展望

中国是历史悠久的文明古国，丝绸织造、陶瓷和建筑三大技术与农、医、天（文）、算四大学科共同构成了古代中国独特的科学技术体系。纺织自古以来就是我国经济的支柱，并曾在4000余年的漫长历史中领先于世界，当今我国纺织品生产和出口又跃居世界之首。然而，纺织大国并非纺织强国，其中的原因是多方面的。本文试图通过对中国古代、近现代和当代中国纺织业发展脉络的梳理分析，找出影响其发展的内外因素，提出新世纪中国由纺织大国到纺织强国的发展构想。     

宽带接入技术产业化发展的方向、前景及战略研究

著名的互联网风险投资公司软银公司（Softbank）已经将投资的重点全面转向宽带数据服务企业。宽带接入到底是互联网泡沫的延续，还是实质赢利模式新的技术平台？通过对宽带接入技术产业化发展的方向与市场前景的分析，可以为我国信息产业的发展制定正确的战略，以迎接新技术的挑战。     

传感技术引人注目的新兴分支——声表面波技术

本文简要地叙述了传感器与传感技术的重要性和发展现状，指出微传感器是当今世界的发展潮流。声表面波传感器是微型物性型传感器的一个分支。由于它所特具的众多优点和广泛的应用前景，引起了世界各发达国家科技界、产业界的极大兴趣，成为近十年来研究的热点之一。本文着重叙述了声表面波传感器的主要特点以及它在各个领域中已经和可以预见的应用，从而可看出它将在信息产业中所起的重要作用。