Fe0.72Ni0.28纳米线阵列的制备与剩磁特性研究

利用电化学沉积的方法,在多孔氧化铝模板中成功制备出直径为50 nm,长度约4 μm的Fe0.72Ni0.28合金纳米线阵列.X射线衍射表明其结构为体心立方结构;等温剩磁曲线和直流退磁曲线表明在纳米线中,磁化较难,而退磁容易,而且组成纳米线的小粒子之间存在退磁性的相互作用.     

铁钴合金纳米线有序阵列的制备及其磁性表征

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝（AAO）模板，选摩尔比为1：1的CoSO4和FeSO4混合溶液为电解液，用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备Fe0.5 Co0.5合金磁性纳米线有序阵列．分别用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪对多孔氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析，用振动样品磁强计（VSM）对样品的磁学性能进行测试．结果显示，制备的磁性合金纳米线表面光滑、均匀，纳米线中的晶粒在生长过程中有（200）晶面的择优取向．VSM测试结果表明，纳米线阵列结构具有较高的垂直磁各向异性，当外场沿纳米线轴向磁化时，纳米线阵列有很大的剩磁比（Mr／Ms=0．7）和很大的矫顽力（饱和Hc=1700 Oe），说明样品经适当热处理后，剩磁比和纵向矫顽力普遍得到提高．     

Fe0.3Co0.7纳米有序阵列的制备及磁学特性

采用交流电化学沉积法,在小孔径的阳极氧化铝模板里,成功制备了Fe0.3Co0.7纳米线有序阵列.研究了直径、热处理对这种纳米阵列的磁学特性的影响,发现随纳米线直径的增加,垂直磁各向异性线性下降,样品在不同的温度热处理后,矫顽力普遍得到很大的提高,由未热处理前的2.05 kOe提高到热处理后的2.50 kOe以上,样品在500℃热处理后获得最大的矫顽力为3.00kOe,而剩磁比在热处理后仍然保证很高的数值(超过0.9).这种制备简单价格便宜的纳米磁记录阵列,有望发展成为新型的超高密度量子磁盘.     

Fe0.68Ni0.32合金纳米线阵列的磁性行为

采用电化学沉积方法,在多孔的三氧化二铝模板中,制备出直径约80 nm的Feo.68Nio.32合金纳米线阵列,X射线衍射结果表明,其结构为bcc,且沿着[110]方向有织构.转角度的磁滞回线表明,易轴沿着纳米线的长轴,矫顽力和剩磁比均随着外场与线轴的夹角的减小而减小,在θ=0°时达到最小.用穆斯堡尔谱对样品中磁矩进行了统计,1套谱拟合的结果显示,样品中存在一定程度的磁性织构,进一步2套谱拟合的结果表明,53%的磁矩沿着线轴方向排列,47%的磁矩成混乱分布,这导致了沿线方向矫顽力,剩磁的降低.     

基于粒子滤波的相对剩磁特性曲线靶向零点跟踪

在硬制合金矫顽力测量过程中,矫顽磁场.相对剩磁特性曲线决定了矫顽磁力测量仪的测量精度,因此,提高其抗干扰能力跟踪其真实轨迹具有重要意义.通过采用JA模型对相对剩磁进行建模,基于粒子滤波算法,对该特性曲线进行动态跟踪与数字滤波,算法应用使样机在不改变硬件条件的前题下,改变了超差率,显著提高了矫顽力测量精度.     

聚乙烯亚胺对ZnO纳米线阵列膜的形貌和光电性能的影响

采用X射线衍射仪、投射电镜仪和扫描电镜仪等测试手段,系统地研究了不同聚乙烯亚胺(PEI)浓度对ZnO纳米线阵列膜的形貌、线密度和尺寸的影响及ZnO纳米线阵列膜的光电性能.研究结果表明,在PEI浓度从3.2 mmol.L-1变化到9.3 mmol.L-1所制备的所有ZnO纳米线阵列膜中,使用7.3 mmol.L-1PEI浓度合成的ZnO纳米线阵列膜,制成染料敏化太阳能电池后获得0.66%的最高的光电转换效率.     

不同成分和结构的CoCu纳米线阵列的沉积规律

利用直流电化学沉积法通过调节沉积参数在多孔阳极氧化铝模板中沉积制备出了一系列不同成分和结构的磁性Co Cu纳米线阵列。XRD和TEM的结果显示,沉积溶液的p H值对纳米线的成分比例和相结构的影响表现出了明显的规律性。笔者认为p H值对纳米线成分比例和相结构的控制主要源于它对溶液中Co2+沉积速率的影响。基于此沉积规律,沉积出了立方结构与六角结构共存的复相结构的Co Cu纳米线。由于复相结构的Co Cu纳米线中包含较多的相边界,因此它们具有远好于单相结构Co Cu纳米线的磁性,其矫顽力和剩磁比均是单相结构纳米线的3倍。     

交流电沉积频率对Fe-Co纳米线阵列的成分和磁性能的影响

采用交流电沉积方法于不同频率在氧化铝模板中合成了线间距50 nm、直径22 nm的Fe-Co合金纳米线阵列,研究了沉积频率对阵列成分、晶体结构以及磁性能的影响.研究发现:Fe-Co纳米线阵列的最佳沉积频率范围为5～350 Hz.在此范围内合成的阵列,其晶体结构对沉积频率的依赖并不明显,但成分与磁性能却会受到沉积频率的影响.阵列磁性能随频率的变化趋势可以用纳米线饱和磁化强度与线间静磁耦合作用的改变来定性解释.氢气退火后,所有阵列均具有良好的磁性能.它们的矫顽力和矩形度分别高于3.512 kOe和0.939.其中,50 Hz沉积的阵列磁性能相对最好.热磁分析表明:其居里温度约为630 ℃.     

脉冲磁场技术在高矫顽力稀土永磁测量领域的应用

简述了超高矫顽力永磁体测量现状,分析了静态磁滞回线仪在测量高矫顽力永磁体时存在的问题及其原因.为解决此问题,采用"f-2f"原理建立了基于脉冲磁场技术的高矫顽力永磁测量装置,该装置能产生最高8 756 kA.m-1的测量磁场,能够测量高矫顽力永磁体的整个磁滞回线.阐述了该脉冲磁场测量装置的优势、组成结构以及涡流修正方法.经过实验验证,该系统具有良好的测量重复性.与国家永磁标准测量装置的对比结果显示:在低矫顽力范围内两者剩磁Br、内禀矫顽力HcJ、磁感应强度矫顽力HcB和最大磁能积(BH)max四个参数的测量偏差在1%以内;在高矫顽力范围,该装置解决了静态磁滞回线仪测量曲线变形的问题.     

Co-Pd纳米管阵列的制备及其磁特性

用直流电化学沉积方法,通过改变沉积电压,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备了Co-Pd合金纳米管阵列,分别用扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品的形貌和磁学性质进行了测试.SEM结果显示,纳米管阵列均匀有序;样品磁性测试结果表明,外场垂直于纳米管轴时的剩磁比(Mr/Ms)比外场平行于纳米管时的剩磁比大,且矫顽力(Hc)随着Co含量的增加而增加.在真空500 ℃退火后,样品矫顽力有明显增大.     

电沉积Ni纳米线阵列及其磁学性能研究

为了解决因受阳极氧化铝(AAO)孔道直径限制导致合成的金属纳米线尺寸单一、磁性受限的问题,采用二次阳极氧化法制备了不同孔径的阳极氧化铝(AAO)模板,依据模板辅助电沉积法,在不同孔径AAO模板内生长了Ni纳米线阵列,利用SEM,TEM,XRD和EDS等技术对制备的Ni纳米线阵列形貌、微观结构和成分进行表征,通过物理性能...     

铁纳米管壁厚度对磁性的影晌

采用改进的溶胶凝胶还原法,利用阳极氧化铝模板（AAO）制备出了不同管壁厚度的Fe纳米管阵列,利用震动样品磁强计测量了平行和垂直于Fe纳米管阵列的磁滞回线,结果表明易磁化轴平行于纳米管的轴向方向,样品具有明显的磁各向异性．     

电化学沉积Fe纳米线的结构

利用电沉积方法在多孔阳极氧化铝模板中制备了高度有序的Fe纳米线阵列.分别用场发射扫描电镜(FESEM)、高分辨场发射透射电镜(HRTEM),选区电子衍射(SAED)和X射线能谱仪(EDX)对样品进行了形貌、晶体结构及成分的表征.利用球链模型解释了纳米线底端的反磁化过程,分析了磁矩发生偏转的原因.结果表明:Fe纳米线直径约65 nm,长度约60μm,是具有(110)面择优取向多晶结构;在纳米线的中间部分,表面光滑,内部结构均匀,而在纳米线与电极接触的端点处由直径约8~15 nm的块状晶粒组成,并且块状结构之间存在明显的间隙.     

细胞色素C在纳米银线阵列传感器上的电化学研究

在自制的多孔阳极氧化铝模板辅助下,用直流电解法在玻碳电极表面成功生长了大面积的纳米银线阵列。高分辨扫描电镜照片显示,银纳米线阵列均匀有序,单根纳米线的直径约40 nm,这与所用氧化铝模板的平均孔径(40 nm)相当吻合。将银纳米线阵列传感器用于细胞色素C的电化学研究,灵敏度大大提高,检测限达到0.1 mg/mL。     

电化学组装一维纳米线阵列温差电材料

低维温差电材料具有比块状温差电材料更高的优值,因而研制具有纳米线阵列结构的温差电材料对于提高材料的温差电转换效率具有重要意义.以具有纳米孔阵列结构的氧化铝多孔模板为阴极,在含有Bi 3、HTeO2 1的酸性溶液中,采用直流电沉积技术,通过在氧化铝多孔模板的纳米级微孔中沉积铋和碲,实现了一维纳米线阵列铋碲温差电材料的电化学组装.环境扫描电子显微镜(ESEM)和透射电子显微镜(TEM)的分折表明,电化学组装出的铋碲纳米线分布均匀,形状规则.铋碲纳米线的组成可方便地通过调整电沉积电位加以控制.     

The Novel Semiconductor Nanowire Heterostructures

1 Results If one-dimensional heterostructures with a well-defined compositional profile along the wire radial or axial direction can be realized within semiconductor nanowires, new nano-electronic devices,such as nano-waveguide and nano-capcipator, might be obtained. Here,we report the novel semiconducting nanowire heterostructures:(1) Si/ZnS side-to-side biaxial nanowires and ZnS/Si/ZnS sandwich-like triaxial nanowires[1],(2) Ga-Mg3N2 and Ga-ZnS metal-semiconductor nanowire heterojunctions[2-3]and (3) ...     

Fabrication and magnetic properties of Co nanowire arrays of different crystal structures

It is important to find some developing high-density magnetic recording materials in magnetic recording field with the development of information and technique, in which vertical magnetic recording is a very important way and has received considerable attention[1—3]. The vertical magnetic recording materials require high squareness, suitable coercivity, and small size of storage element[4]. Someone used nanoporous anodic aluminum oxide as templates to fabricate uniform arrays of multi magneti…     

金纳米线阵列的制备及其光学性能研究

采用二次阳极氧化法制备了高度有序的多孔氧化铝模板,并基于该氧化铝模板,采用脉冲直流电化学沉积的方法制备了金纳米线阵列.利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X线衍射仪（XRD）对所制备的金纳米线的形貌及晶体结构进行分析.结果表明：不同的沉积电压下制备的金纳米线具有不同的生长取向性,当沉积电压为3V时制备出的金纳米线沿[200]方向具有明显的生长取向性.利用紫外-可见光谱（UV-Vis）对金纳米线阵列光学性能进行研究,发现金纳米线的等离子体共振吸收峰随着沉积电压的增大先蓝移而后发生红移.     

羟基磷灰石纳米线的可控制备

用P2O5和Ca(NO3)2作为前驱体溶液，将溶胶—凝胶法与氧化铝模板(AAO)技术相结合，大面积制备出结构均匀、晶相一致、彼此平行且高度有序的羟基磷灰石(HAP)纳米线．结果表明，通过控制制备AAO模板的条件，可达到控制HAP形貌的目的．