离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了（NiFeCo)36Ag64颗粒膜，用四探针法测量了法入Co离子前后（NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化，用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分，实验结果表明：注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响，在相同退火温度下，注入离子可使GMR效应提高一倍以上，随着退火温度增加，颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小，在360℃下退火可获得10．2％的最大室温巨磁电阻效应。     

化学组成对CoAlO颗粒膜隧道磁电阻效应的影响

采用热压工艺制备-系列CoAlO的靶材，在Gatan682型PECS＋RIBE系统上，于25℃下Ar气氛中沉积到Si（100）衬底基片上，得到颗粒膜．测量了电阻和磁电阻性质，用透射电子显微镜测量样品的面内晶粒尺寸CoAlO薄膜的化学组成，用x射线光电子能谱仪测量．研究了化学组成对CoAlO颗粒膜隧道磁电阻效应的影响．结果表明，得到的颗粒膜是由2～3nm的C0氧化物分布在AlOx母相中，在室温下可显示磁性，通过ALOx阻挡层具有比较大的隧道磁电阻效应（达-6％）；随温度升高，化学组成对隧道磁电阻影响更大．     

颗粒膜中的巨磁电阻效应

纳米颗粒构成的颗粒膜具有巨磁电阻效应，其中的相元互不固溶，颗粒膜中的巨磁电阻效应与电子自旋相关散射有关，以界面散射的贡献为最大，并受到颗粒尺寸、体积百分数、退火及温度的影响。由于颗粒膜制备工艺简便，巨磁电阻效应在信息储存技术中有巨大应用前景，颗粒膜中的巨磁电阻效应引起了人们极大的兴趣。     

M-M型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

探讨了M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的物理机制，指出了影响颗粒膜巨磁电阻效应的因素，推导出M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的计算公式。     

离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜.用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化.用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分.实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上.随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应.     

铁磁性Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的正磁电阻效应

对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物(441 K以下为铁磁性)磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50 kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45 K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5.89%.本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释.     

高低温电阻、磁电阻测量系统的研制

根据研究La1/3(CaxBa1-x)2/3MnO3多晶材料温度及磁场特性的要求，设计一套高低温电阻、磁电阻测量系统。测量结果分析表明该系统是可行的，且满足实验的要求，系统的建立将为研究其它磁性材料的温度、磁场特性提供良好的实验条件。     

La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3的制备及其磁性

采用溶胶-凝胶方法制备钙钛矿型稀土锰氧化物La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3, 利用X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和磁性测量系统(MPMS)对样品的结构、居里温度、磁卡效应和磁电阻效应进行研究. 结果表明, 样品具有单相六角钙钛矿结构, 居里温度为310 K, 磁电阻变化率为11.18%, 最大磁熵变为1.45 J/(kg·K).     

Co/Al2O3/FeNi隧道结的中间层厚度对其输运特性的影响

制备了不同Al2O3厚度的Co／Al2O3／FeNi隧道结，并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加，TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时，磁电阻不再出现典型的双峰曲线，而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线，综合所有因素，在文中制备条件下，Al2O3厚度为4nm时，隧道结性能最好。     

2013-09 封面图片说明——稀土锰氧化物掺杂材料的电磁特性

 钙钛矿型化合物具有十分重要的铁电压电、高温超导、光子非线性、庞磁电阻、磁致冷和催化等性质.在庞磁电阻材料研究中,具有钙钛矿结构的稀土掺杂锰氧化物材料是数十年来凝聚态物理研究的重要领域.由于其载流子自旋极化率接近100%,且在铁磁转变居里温度附近表现出庞磁电阻效应引起人们的广泛兴趣,而镧系稀土锰氧化物更是备受关注.研究发现,多晶锰氧化物在较低磁场下仍然能够表现出较好的低场磁电阻效应.近年来,发展前景良好的磁致冷工质材料,钙钛矿结构稀土锰氧化物的磁卡效应研究再次引起广泛关注.大部分稀土元素的磁矩都很高,有利于产生大的磁熵变,但居里温度偏低.人们普遍认为,利用掺杂使锰氧化物的居里温度接近理想值,同时又保持其具有大的磁熵变这一特点,有可能取得新的突破.     

Epitaxial growth of single-crystalline Ni46Co4Mn37In13 thin filmand investigation of its magnetoresistance

Single-crystalline thin film of Ni46Co4Mn37In13alloy grown on MgO(0 0 1) was prepared by Pulsed Laser Deposition(PLD) method. The epitaxial growth process was monitored by in situ Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED). Structure measurements reveal that the single-crystalline Ni46Co4Mn37In13film could be stabilized on MgO(0 0 1) as a face-centered-cubic(fcc) structure. From the evolution of RHEED,it can be deduced from the patterns that Volmer-Weber growth mechanism(3-D) dominates at the initial stage. Then,it becomes layerby-layer growth mechanism(2-D) with the increase of the film thickness. Lastly,growth mechanism converts back to 3-D when the film is thick enough. Both electrical resistance and magnetoresistance(MR) were measured at various temperatures using Physical Property Measurement System(PPMS). The electrical resistance measurement indicates that the film sample does not have martensitic transformation in the measurement temperature range. However,with the temperature increasing,the film sample exhibits a transition from metallic to semiconductorlike properties. Moreover,a small negative magnetoresistance was observed at different temperature,which can be explained by the spindependent scattering of the conduction electrons.     

界面二氧化硅层对二极管辅助硅基磁电阻效应影响的研究

本文制备了二极管辅助的晶体硅磁阻(magnetoresistance,MR)器件,研究了界面二氧化硅层的磁阻放大作用及器件在硅基磁电子器件中的可能应用.通过有与无二氧化硅层的实验对比,发现引入二氧化硅层后器件的磁阻在室温和1.2T磁场下达到了527%,磁阻性能提升了76%以上.通过对无磁场作用下伏安特性的测量,证明了氧化硅层的引入增加了界面电阻,通过等效电路分析,对相关机理进行了讨论.这项工作将为硅基磁电子器件的可能应用提供一种新的方法.     

双线法瞬态温度测量的研究

利用细电阻丝组成的电阻温度计测量柴油机压缩过程的瞬态温度,反应速度慢和机械强度差,很易被缸内气流冲断。作者的实践证明,使用8μm以下的钨丝在300r/min下进行测量,敏感元件很快就损坏;而采用两根直径大于109m的钨丝同时进行测量的方法不仅能克服上述缺点,而且经简单计算修正,还能获得较高的测量精度。因此,本文提出的双线法很适合在柴油机冷启动时,对缸内瞬态温度进行测量。     

Structural, magnetic and transport properties of Sc-doped La0.7Sr0.3MnO3

The Sc-doped La0.7Sr0.3MnO3 polycrystallines were prepared by thermal decomposition of complexes of metal ions with ethylenediamine-tetraacetic acid (EDTA). The dependence of structural, magnetic and transport properties on Sc doping was investigated. Moderate Sc doping level results in a sharp drop in Curie temperature, an increase in resistance and enhancement of magnetoresistance effect. At temperatures above TMI, R(T) can be described as R(T) = R0exp(T0/T)1/4, which indicates that conduction takes place by hopping between the localized states. The experimental data reveal that the change in magnetoresistance property is related to the structure.     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

非磁金属中间层对磁性隧道结磁电阻效应的影响

用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究，从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明，当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下，非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。     

Magnetoresistance from quantum interference effects in ferromagnets

The desire to maximize the sensitivity of read/write heads (and thus the information density) of magnetic storage devices has stimulated interest in the discovery and design of new magnetic materials exhibiting magnetoresistance. Recent discoveries include the 'colossal' magnetoresistance in the manganites and the enhanced magnetoresistance in low-carrier-density ferromagnets. An important feature of these systems is that the electrons involved in electrical conduction are different from those responsible for the magnetism. The latter are localized and act as scattering sites for the mobile electrons, and it is the field tuning of the scattering strength that ultimately gives rise to the observed magnetoresistance. Here we argue that magnetoresistance can arise by a different mechanism in certain ferromagnets--quantum interference effects rather than simple scattering. The ferromagnets in question are disordered, low-carrier-density magnets where the same electrons are responsible for both the magnetic properties and electrical conduction. The resulting magnetoresistance is positive (that is, the resistance increases in response to an applied magnetic field) and only weakly temperature-dependent below the Curie point.     

模拟电阻焊状态的接触电阻测量系统

设计了以VB6.0为软件开发平台,研华工控为硬件核心的接触电阻测量系统.该系统由压力控制、温度控制、接触电阻测量和数据采集控制4个部分组成.研制的测量系统能够在模拟实际电阻焊压力和温度状态下,对薄板接触电阻进行连续采集,并用曲线动态显示,为分析不同表面状态板材的接触电阻提供了硬件条件.