石墨烯薄膜的生长及结构表征研究

在常压条件下,以铜箔为基底、CH4为碳源,通过化学气相沉积法(CVD)生长出了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱、扫描电子显微镜、四探针电导率仪表征分析了产物。结果表明:生长温度为1 000℃,H2流量为60mL/min,CH4流量为2.5mL/min,Ar流量为80mL/min时,在基底表面生长出了连续分布的石墨烯薄膜,且大部分区域为单层,同时结晶程度高缺陷小;转移后的石墨烯薄膜面积大、透光性良好,兼具有良好的导电性,其薄层电阻为1 822Ω。     

高质量二维WTe2薄膜的可控制备及电输运性能研究

以WCl₆为前驱体,采用化学气相沉积法制备二维WTe₂薄膜材料。借助X射线衍射仪、拉曼光谱、原子力显微镜、综合物性测量系统等探究了前驱体用量对二维WTe₂薄膜质量的影响并对薄膜的电输运性能进行表征。结果表明,在500℃下,仅需10 min的生长时间就可以获得大面积的WTe₂薄膜,且薄膜厚度随前驱体用量的减少而减薄。WCl₆前驱体为0.6 g时所制多层二维WTe₂薄膜在温度为10 K、磁场强度为50 000 Oe下的磁电阻率为1.54%,该磁电阻率仍未达到饱和。样品平面霍尔电阻随电场和磁场夹角变化而周期性变化,表明所制WTe₂薄膜具有和块体WTe₂相似的电输运特性。     

等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜的研究

讨论了在不同基板温度下用等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)分析仪、反射式高能电子衍射(RHEED)仪及X射线光电子能谱(XPS)分析ZnO薄膜的特征.分析结果显示,在基板温度为300 ℃,二乙基锌(DEZ)流量为50 mL/min条件下可得到优取向高晶化的ZnO薄膜.光学性能分析表明,ZnO薄膜是透明的,在可视区峰值透光率高达85%.     

射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜(英文)

采用射频溅射技术沉积Cu/Sn/Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明,通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有(221)择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明,样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0.073Ω.cm,104cm-1和1.53eV,具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。     

PCVD制备SnO_2:Sb薄膜及其电学性能分析

讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得了电阻为17Ω/□的SnO_2:Sb薄膜.并利用电镜显微形貌观察到在500℃时,制得的薄膜晶粒细微密集,致密度高.还测定了薄膜的温阻特性,结果表明该膜具有负温阻特性.     

氧气流量对TiO_x薄膜结构和光学特性的影响

用直流反应磁控溅射法在未加热的玻璃基片上制备出晶态TiOx(x2)薄膜,研究关键工艺因素即氧气流量对薄膜的沉积速率、表面形貌、显微结构和光学特性的影响。研究结果表明:随着氧气流量增加,薄膜的沉积速率从38.54nm/min下降到3.28nm/min,溅射模式也从转变模式过渡到氧化模式,薄膜表面均方根粗糙度逐渐减小,表面更趋平整;当氧气流量≤5mL/min时,得到不透明的晶态TiOx(x2)薄膜;当氧气流量5mL/min时,所沉积的TiOx薄膜呈透明非晶态,薄膜平均透射率高于80%。     

射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

采用射频溅射技术沉积Cu／Sn／Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明，通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有（221）择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明，样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0．073Ω·cm，10^4cm^-1和1．53eV，具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。     

电化学沉积法制备Cu_2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu2S薄膜.通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对Ag/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应测试.结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2S结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/Cu2S结点而言,Ag/Cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显.另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关.对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0.000 1 s.     

二氧化锡薄膜的PECVD制备的特性

用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响，透射电镜分析表明随沉积温度升高，二氧化锡薄膜从非晶态转变为多晶态，其电阻庇随之减小，掺锑的二氧化锡薄膜对石油液化气和酒精具有良好的气敏效应。     

电化学沉积法制备Cu2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu：s薄膜．通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对G/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变（EPIR）效应测试．结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2s结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/cu2s结点而言,Ag/cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显．另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关．对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0．00018．     

微波单片集成电路的发展动态

本文介绍了微波单片集成电路(MMIC)的应用背景和潜在市场,以及国外发展动态。提出了为开发我国MMIC技术的几点建议。     

导纳统一算符的应用

该文讨论了导纳统一算符的运用条件,探讨了导纳统一算符在集成电路和集成光路中的应用。结果表明,导纳统一算符的分析方法不仅运用于集成电路,也运用于集成光路。     

多输入端运算跨导放大器电路结构研究

提出多输入端运算跨导放大器的两种CMOS电路结构。对结构特点和设计原则作了对比分析;对设计实例电路提供了SPICE程序模拟结果。     

一种CMOS四象限模拟乘法器电路结构

本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器的新电路结构。用SPICE—2G6电路模拟程序,并以MOS晶体管的第二类模型参数对所设计电路进行了模拟。模拟结果表明:当电源电压为±8V时,输入信号范围可达10V;在此范围内,对X方向和Y方向的平衡差动输入信号,电压传输特性的最大非线性误差分别为满度输出的0.81%和0.52%;对X方向和Y方向输入信号的-3 dB带宽分别为0～1.5MHz和0～0.6MHz;在0～1 MHz带宽内的输出噪声电压为1.51mV。     

神经网络并行算法型CMOS模数转换器设计

基于神经网络和开关电容技术提出了一种行算法型ＣＭＯＳ模数转换器电路结构，文中详细分析了电路的工作原理，并采用通用电路模拟程序进行了仿真，结果表明转换功能正确，输入电压递增和递减均无错码，转换过程中不需要复位，该转换器充分发挥开关电容精确处理和神经网络并行处理的优点，因而精度高，速度快，而且所需元件少，工艺完全与常规ＣＭＯＳ兼容，是一种有巨大发展潜力的新型ＣＭＯＳ转换器。     

Q波段混合集成体效应振荡器的研究

在数值分析的基础上,用曲线拟合法给出了屏蔽悬置微带线的简明分析公式;并用谱域中的等效传输线法对屏蔽悬置微带线谐振器进行了理论分析,对其数值结果作了实验验证。在此基础上,研制了Q波段悬置带线体效应振荡器,当频率为46GHz时,其最大输出功率为74mW,并具有1.2×10~(-4)的频率稳定度。     

双向、数字化的微型无线内窥镜胶囊内数模混合电路设计

为保证无线内窥胶囊在电池供电情况下,能实现全消化道检查,提出了一种微型胶囊内的单片低功耗数模混合集成电路的设计。该单片系统主要包括图像采集、图像压缩,存储器和无线收发模块等。数字部分的低功耗设计能比无能量管理策略设计方法要节约36%的功耗,数字电路部分的功能和能量管理策略通过了验证,模拟射频电路部分的主要指标已通过仿真验证,整个数模混合芯片已采用0.18μm的CM O S工艺流片。     

ISDN基本用户接口专用集成电路的应用

本文根据 ISDN 基本用户接口和数字用户二线传输的配置和要求,较详细地介绍了一些专用 ISDN 大规模集成电路,其中包括数字用户线路接口、网路终端电路、终端设备电路、适配器电路及数字电话机电路.应用这些电路可以组成符合 CCITT I.412建议中各种功能块和数字程控交换机的数字用户线路接口电路的硬件.     

电流模式MOS A／D转换神经网络的研究

从Ａ／Ｄ转换基本规则出发，提出了一种电流模式ＭＯＳＡ／Ｄ转换神经网络，并对该网络进行了分析研究，导出确定权值的公式。网络权值易存贮且调节简单。用ＰＳＰＩＣＥ对４－ｂｉｔＡ／Ｄ转换网络进行仿真，并对采用分立元件的构成的３－ｂｉｔＡ／’Ｄ转换网络进行了实验。