复合钙钛矿结构高温压电陶瓷材料的研究

研究了Ｐｈ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴＩＯ３陶瓷的高温压电性能．结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴＩＯ３进行Ａ和Ｂ位复合取代可得到压电性能优良、适合于高温应用的压电陶瓷材料．其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ｂｉ３＋的半径、Ｂｉ３＋在Ａ位取代所产生的铅缺位以及Ｂ位复合取代的钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关．     

添加Dy和Nb的纳米复合Pr2Fe14B/α-Fe永磁合金结构和磁性

研究了添加Ｄｙ和Ｎｂ对纳米复合Ｐｒ２Ｆｅ１４Ｂ／α－Ｆｅ永磁合金形成,组织结构及磁性的影响。结果表明：Ｐｒ９Ｆｅ８５Ｂ６非晶带的晶化过程,在α－Ｆｅ相初始晶化之后,出现Ｐｒ２Ｆｅ２３Ｂ３亚稳相,最终形成Ｐｒ２Ｆｅ１４Ｂ＋α－Ｆｅ两相组织．而添加Ｄｙ或同时添加Ｄｙ和Ｎｂ后晶化过程不出现亚稳相．添加Ｄｙ和Ｎｂ元素显著地提高了纳米复合永磁合金的磁性能。最终获得了磁性能为Ｈｃｉ＝７０２．４ｋＡ／ｍ,Ｂｒ＝１．０３Ｔ,（ＢＨ）ｍａｘ＝１３２．６ｋＪ／ｍ３的纳米晶复合Ｐｒ８Ｄｙ１Ｆｅ８４Ｎｂ１Ｂ６永磁材料。     

梯度功能压电陶瓷执行器的制备及其微位移特性

研究了ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３三元系固溶体的介电和压电性能。采用粉末冶金法制备了Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ－ＰＺ－ＰＩ）系梯度压电功能材料（ＦＧＭ），研制了一种新型的ＦＧＭ高陶瓷执行器，它有三层材料构成；压电陶瓷层，中间夹层（组分梯度变化）和高介电层，其弯曲位移特性的研究结果表明在工艺电压为１００Ｖ时，室温     

三过氧铌钨磷杂多酸盐的合成表征及催化性能

合成了新的含三过氧铌的钨磷杂多酸盐：Ｍ４Ｈ２「ＰＷ９（ＮｂＯ）３Ｏ３７」Ｍ／Ｍｅ４Ｎ＾＋（ＴＭＡ）Ｅｔ４Ｎ＾＋（ＴＥＡ），Ｂｕ４Ｎ＾＋（ＴＢＡ），Ｈｅ４ｎ＾＋（ＴＨＡ）；三铌取代的钨磷酸盐：Ｍ６「ＰＷ９Ｎｂ３Ｏ４０」ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝ＴＢＡ和Ｋ＾＋）．ＩＲ和ＵＶ光谱，极谱和循环伏安，     

（Y，Zn，Sr）_3（P，VO_4）_2∶Dy~（3＋）的合成与发光性质的研究

用固态反应合成了（Ｙ，Ｚｎ，Ｓｒ）３（Ｐ，ＶＯ４）２∶Ｄｙ３＋荧光材料。经ＸＲＤ测定属于单斜晶系，晶胞参数α＝７．５５６Ａ，ｂ＝８．５１０Ａ，ｃ＝５．０５８Ａ，β＝９５．３２°。基质和Ｄｙ３＋的发光效率以及（Ｙ，Ｚｎ，Ｓｒ）３（ＰｘＶ１－ｘＯ４）２∶Ｄｙ３＋中Ｄｙ３＋的发光强度和蓝黄比（Ｂ／Ｙ）均与ｘ有关，样品中Ｂ／Ｙ比均大于１，在紫外光照射下发出近白光。     

巴西铁的茎组织培养

以巴西铁（Ｄｒａｃａｅｎａ　ｓａｎｄｅｒｉｅｎａ）茎段为接种材料，ＭＳ为基本培养基，吲哚乙酸（ＩＡＡ）、茶乙酸（ＮＡＡ），２，４－二氯苯氧乙酸（２．４－Ｄ）、６－苄氨基嘌呤（６－ＢＡ）、６一糠基氨基嘌呤（６－ＦＡ）、吲哚丁酸（ＩＢＡ）、生根粉（ＡＢＴ１）、玉米素（ＺＴ）为附加成分，进行诱导、分化、生根试验。诱导结果表明：ＩＡＡ不起作用，２，４－Ｄ有较好的促进作用，０．５ｍｇ／Ｌ（２，４－Ｄ）＋２ｍｇ／Ｌ（６－ＢＡ）组合，诱导率高达９０％。分化结果表明：ＮＡＡ、６－ＢＡ效果较好，６－ＦＡ作用不明显，ｌｍｇ／ＬＮＡＡ＋４ｍｓ／Ｌ（６－ＢＡ）＋２ｍｓ／ＬＺＴ组合，分化率最高．达８１．１％。生根结果表明：ＭＳ＋０．５ｍｇ／ＬＮＡＡ＋０．５ｍｇ／Ｌ（６－ＦＡ），ＭＳ＋０．４ｍｇ／ＬＮＡＡ＋２ｍｇ／ＬＩＢＡ，ＭＳ＋０．２ｍｇ／ＬＮＡＡ＋０．１ｍｇ／Ｌ（６－ＦＡ）＋ＡＢＴ１三种培养基均发根，生根率７０％以上，根粗，但有点脆，若培养基中加入活性碳产生的根则细而韧。     

芝麻下胚轴愈伤组织的形成和器官发生

本文研究了五种植物激素对芝麻下胚轴愈伤组织的形成和器官发生的影响．研究表明：（１）２．４－Ｄ或ＮＡＡ（１ｍｇ／Ｌ）＋ＢＡ或ＫＴ（０．ｓｍｇ／Ｌ），２．４－Ｄ（０．５－１ｍｇ／Ｌ）和ＮＡＡ（０５－１ｍｇ／Ｌ）对愈伤组织的诱导率最高；（２）ＢＡ或ＫＴ（０．５－１ｍｇ／Ｌ）可促进下胚轴芽丛的形成（３）ＮＡＡ（０．５－１ｍｇ／Ｌ）、ＩＡＡ（０．５－１ｍｇ／Ｌ）和ＫＴ（０．５－１ｍｇ／Ｌ）对下胚轴根的形成最有利．     

过渡塑性相工艺制造Ti-B-C复合陶瓷材料

给出了以ＴｉＨ２和Ｂ４Ｃ为原料通过过渡塑性相工艺（ｔｒａｎｓｉｅｎｔｐｌａｓｔｉｃｐｈａｓｅｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）制备Ｔｉ－Ｂ－Ｃ复合陶瓷材料的方法。同时进行了ＴｉＨ２－Ｂ４Ｃ体系和Ｔｉ－Ｂ４Ｃ体系的对比实验，结果表明，ＴｉＨ２在８００℃以下分解获得高性能的Ｔｉ粉和Ｂ４Ｃ发生了如下反应：（３＋ｘ）Ｔｉ＋Ｂ４Ｃ→２ＴｉＢ２＋（１＋ｘ）ＴｉＣ１１＋ｘ（０≤ｘ≤１）。在相同条件下以ＴｉＨ２作为过渡塑性相的ＴｉＨ２－Ｂ４Ｃ体系比Ｔｉ－Ｂ４Ｃ体系具有优越的烧结性能，在１６００℃时热压烧结４ｈ可以获得高性能的ＴｉＢ２－ＴｉＣｘ复合陶瓷材料（断裂韧性为７．７ＧＰａｍ１／２，抗弯强度为７６５ＭＰａ）。还利用Ｘ衍射和扫描电镜对这种材料的显微结构进行了研究。     

植物生长调节剂和蔗糖对抗黑胫病香果树丛芽分化的影响

将抗黑胫病香果树愈伤组织在ＢＡ、ＮＡＡ、蔗糖３因素条件下作Ｌ＿９（３￣４）正交组织培养试验．结果表明，ＢＡ、ＢＡ与ＮＡＡ的交互作用对抗病香果树愈伤组织丛芽分化有极显著影响．ＢＡ／ＮＮＡ（Ｘ）与芽分化（Ｙ）的关系为Ｙ＝１．３６５１Ｘ￣（０．１２８６），ＢＡ／ＮＡＡ（Ｘ）和ＢＡ＋ＮＡＡ（Ｙ）与芽分化（Ｚ）的关系为Ｚ＝１．１０３３＋０．０９９９（Ｘ＋Ｙ）－０．００２７（Ｘ＋Ｙ）￣２，ＢＡ／ＮＡＡ（Ｘ）和蔗糖浓度（Ｙ）与芽分化（Ｚ）的关系为Ｚ＝１．０７４０＋０．０７９３（Ｘ＋Ｙ）－０．００１７（Ｘ＋Ｙ）￣２．在本该试验范围内，丛芽分化的最适培养基为ＭＳ＋ＢＡ２ｍｇ／Ｌ＋ＮＡＡ０．１ｍｇ／Ｌ＋蔗糖３％．     

怀地黄离体培养再生植株及其生长调控

本文对怀地黄愈伤组织的诱导、分化和再生植株的生长调控进行了研究．结果表明：（１）６－ＢＡ１ｍｇ／Ｌ（单位下同）＋ＮＡＡ０．１的组合有利于叶片愈伤组织的形成，２，４－Ｄ２＋ＮＡＡ２的组合有利于根茎愈伤组织的形成；（２）诱导愈伤组织产生再生植株的最佳组合为６－ＢＡ１＋ＮＡＡ０．０１；（３）ＰＰ３３３对再生植株的生长调控具有良好的效应，ＰＰ３３３１处理后，再生植株生长健壮，根系发达，叶色浓绿．     

PS_bN-PZN-PZT四元系高介电常数压电陶瓷材料研究

本文从生产实用化的角度出发,对PSbN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料组成与性能的关系进行了研究。通过Nb2O5、Sb2O3等氧化物适当地掺杂改性以及用Sr、Ba等元素对部分Pb的置换,常温极化即可获得3ε3/0ε=5200、d33=820 pC/N、Kp=0.78的高性能和高致密度的压电陶瓷材料,是目前用于制作小体积大容量的各类高档压电电声器件的良好材料。     

PZT掺杂Ba(Cu1/2W1/2)O3的压电陶瓷的性能研究

采用固相合成法制备了(1-xmol％)PZT—xmol％Ba(Cu1／2W1／2)O3三元体系压电陶瓷，研究了三元体系内Ba(Cu1／2W1／2)O3的掺杂比例x对材料的压电性能和介电性能的影响；讨论了Ba^2 、Cu^2 、W^6 离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理；通过XRD和SEM测试手段，分析了物相组成和微观结构与材料性能的关系，发现合成的PZT材料均为钙钛矿结构，显微分析表明晶粒发育良好，其尺寸大约在3．5μm之间；实验结果表明，配方为0．95PZT-0．05Ba(Cu1／2W1／2)O3压电陶瓷的d33可达605pC／N，材料的机电耦合系数Kp约为0．4，材料机械品质因数均低于100，但相对介电常数εr由544提高到1400。     

Na0.4725K0.4725＋xLi0.055Nb1＋xO3无铅压电陶瓷制备及性能研究

采用传统固相反应制备了Na0.4725K0.4725＋xLi0.055Nb1＋xO3无铅压电陶瓷,研究了KNbO3对Na0.4725K0.4725＋xLi0.055Nb1＋xO3材料晶体结构和压电性能的影响．XRD图谱表明,随着KNbO3含量的增加,在0．08〈x〈0．12处为材料的正交相和四方相共存的准同型相界．组成为Na0.4725K0.5725Li0.055Nb1.1O3的陶瓷具有优异的电学性能,d33达178pC／N,kp达0．288,εr为642,Qm为41．     

铈掺杂对0.70PZN-0.15PT-0.15BT压电陶瓷结构与电性能的影响

采用两步合成法制备了CeO2掺杂Pb1-xCex/2(Zn1/3Nb2/3)0.70Ti0.3Ba0.15O3(0.70PZN-0.15PT-0.15BT-x,x=0.00,0.02,0.04,0.06)压电陶瓷,研究了铈含量变化对0.70PZN-0.15PT-0.15BT-x压电陶瓷材料相结构及其相关电性能的影响.随CeO2含量增加,居里温度升高,当x=0.04时,其压电系数d33达到225pC/N.     

锡酸铅对铌镁酸铅-钛酸铅铁电陶瓷性能的影响

采用固相法合成（0．90-x）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0．10PbSnO3-xPbTiO3（PMN—PSn-PT）铁电陶瓷．研究了（0．90-x）PMN0．10PSn-xPT铁电陶瓷的结构、介电、铁电和压电性能．在PMN-PT陶瓷中加入PSn后,由于Sn在合成过程中的变价行为导致了第二相Sn2Nb2O7的产生．根据XRD分析确定了（0．90-x）PMN-0．10PSn-xPT体系的准同型相界（MPB）位于x=0．36附近,进而结合介电温谱分析得到了（0．90-x）PMN-0．10PSn-xPT的部分低温相图．PSn加入到PMN-PT陶瓷中,降低了PMN-PT铁电陶瓷的压电活性,最大值位于0．52PMN-0．10PSn-0．38PT组分处（390pC／N）．极化样品的介电温谱上没有观察到三方四方相变温度点,说明PSn的加入使PMN-PT陶瓷的MPB变窄和竖直,因而PSn的加入可以提高PMN-PT铁电陶瓷的实际使用温度．     

大各向异性锑锰改性PbTiO3压电陶瓷制备工艺研究

实验研究了以（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）＾４＋Ｂ位取代Ｔｉ＾４＋为特征的大各向异性改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷制备工艺,通过详细研究工艺条件对改性ＰｂＴｉＯ３陶瓷性能的影响。确定了其较佳工艺参数,在优化的工艺条件下,该陶瓷具有高压电活性,大压电各向异性,小介电常数,低机械品质因素,在多种压电超声换能器的研制方面显出良好应用前景。     

Polarization rotation mechanism for ultrahigh electromechanical response in single-crystal piezoelectrics

Piezoelectric materials, which convert mechanical to electrical energy (and vice versa), are crucial in medical imaging, telecommunication and ultrasonic devices. A new generation of single-crystal materials, such as Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT) and Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT), exhibit a piezoelectric effect that is ten times larger than conventional ceramics, and may revolutionize these applications. However, the mechanism underlying the ultrahigh performance of these new materials-and consequently the possibilities for further improvements-are not at present clear. Here we report a first-principles study of the ferroelectric perovskite, BaTiO3, which is similar to single-crystal PZN-PT but is a simpler system to analyse. We show that a large piezoelectric response can be driven by polarization rotation induced by an external electric field. Our computations suggest how to design materials with better performance, and may stimulate further interest in the fundamental theory of dielectric systems in finite electric fields.     

La~(3+)掺杂Bi_(0.5)(Na_(1-x-y)K_xLi_y)_(0.5)TiO_3陶瓷的微结构与电学性能

利用传统的电子陶瓷工艺制备了La^3＋掺杂Bi0．5（Na1-x-yKxLiy）0．5TiO3无铅压电陶瓷,研究了La^3＋掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响．结果表明,少量的La^3＋掺杂可以改善该陶瓷的微结构;当掺杂量为0．1％时,该陶瓷体系的压电性能有较大的改善,室温下该体系配方的压电常数d33可达215pC／N,径向机电耦合系数kp达到37．4％,但同时介电损耗增大,机械品质因子降低．当掺杂量达到1．5％以后,陶瓷的压电性能严重下降．     

无机材料PZT(MNN)压电陶瓷的研制

通过介绍锆、钛、酸铅三元系陶瓷即PZT(MNN)压电陶瓷的合成过程 ,从而可知因陶瓷料配方不同而有不同的性能 ,并可找出这种压电陶瓷在研制过程中原料的最佳用量、配方以及其他有关生产工艺的最佳条件 ,研制出了性能好、用途广、参数优于一般指标的压电陶瓷材料     

K,Na比对KNNT陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备了（KxNa1-x）（Nb0.7Ta0.3）O3 （KNNT）系列无铅压电陶瓷. 通过XRD和SEM分析方法研究了样品的结构, 晶格常数变化和微观形貌. 研究发现晶格常数在x = 0.40附近发生了不连续性变化, 微观结构随K含量的增多表现出微小的差异, 压电常数d33,平面机电耦合系数kp在x = 0.40-0.55较宽范围内发生了较小的变化. K含量为0.40时获得了压电性能最优的KNNT陶瓷, d33达到204 pC/N, 机电耦合系数kp为46%, kt为44%.