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PZT掺杂Ba(Cu1/2W1/2)O3的压电陶瓷的性能研究
引用本文:王守德,刘福田,程新.PZT掺杂Ba(Cu1/2W1/2)O3的压电陶瓷的性能研究[J].济南大学学报(自然科学版),2004,18(3):189-191.
作者姓名:王守德  刘福田  程新
作者单位:1. 济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022;武汉理工大学,材料科学与工程学院,湖北,武汉,430070
2. 济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022
基金项目:山东省博士基金资助项目(03BS060)
摘    要:采用固相合成法制备了(1-xmol%)PZT—xmol%Ba(Cu1/2W1/2)O3三元体系压电陶瓷,研究了三元体系内Ba(Cu1/2W1/2)O3的掺杂比例x对材料的压电性能和介电性能的影响;讨论了Ba^2 、Cu^2 、W^6 离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理;通过XRD和SEM测试手段,分析了物相组成和微观结构与材料性能的关系,发现合成的PZT材料均为钙钛矿结构,显微分析表明晶粒发育良好,其尺寸大约在3.5μm之间;实验结果表明,配方为0.95PZT-0.05Ba(Cu1/2W1/2)O3压电陶瓷的d33可达605pC/N,材料的机电耦合系数Kp约为0.4,材料机械品质因数均低于100,但相对介电常数εr由544提高到1400。

关 键 词:PZT  掺杂  压电常数  钨铜酸钡
文章编号:1671-3559(2004)03-0189-03
修稿时间:2004年3月8日

Properties of PZT Piezoelectric Ceramics Modified by Barium Tong Sten-Cuprum
WANG Shou-de ,LIU Fu-tian ,CHENG Xin.Properties of PZT Piezoelectric Ceramics Modified by Barium Tong Sten-Cuprum[J].Journal of Jinan University(Science & Technology),2004,18(3):189-191.
Authors:WANG Shou-de    LIU Fu-tian  CHENG Xin
Institution:WANG Shou-de 1,2,LIU Fu-tian 1,CHENG Xin 1
Abstract:Properties of PZT Piezoelectric Ceramics Modified by Barium Tong Sten-Cuprum was synthesized by use of the conventional powder processing technique.The piezoelectric and dielectric properties of the system with different Ba(Cu 1/2W 1/2)O 3 contents x are measured.The mechanisms of Ba 2+,W 6+,and Cu 2+ ions modified PZT piezoelectric ceramics are discussed.The relation of phase compositions and microstructure with the material properties is investigated by means of XRD and SEM techniques.The results indicate that the barium tungsten-cuprum modified PZT material has good piezoelectric property.
Keywords:PZT  impurity  piezoelectric constant  barium tungsten-cuprum  
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