关于霍尔效应中的副效应及其消除方法的研究

近年来霍尔效应在研究半导体材料方面有着广泛的应用。霍尔元件的主要用途:1、测量磁场;2、测最交、直流电路中的电流强度和功率;3、转换信号,能把直流电流转换成交流电流,并对它进行调制,放大直流或交流信号等;4、对各种物理城进行四则,乘方、开方运算。在确定纯度、材料的补偿度,外延异质结材料的电学性质,高阻材料导电类型的判断及新材料的研究等方法中,都有它独特的作用。     

材料电光转换特性的创新性综合实验设计

基于电致发光设计了《材料物理性能》实验中电光转换特性及其评价这一创新性综合实验,阐明了材料电学性能与光学性能之间的关联性,加深了学生对材料电学性能、光学性能以及电光转换特性知识的系统理解和综合运用,为培养新世纪光电材料与器件领域中的综合素质人才提供了参考。     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法

简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路。     

《材料物理性能实验》中导电性与介电性相结合的创新牲综合实验设计

本文以薄膜晶体管为基础设计了《材料物理性能实验》中导电性与介电性相结合的创新性综合实验，阐明了导电性与介电性之间的关联性，加深了学生对材料电学性能的系统理解和综合运用，为新世纪材料专业大学生综合素质的开发提供了参考。     

InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器

介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应,讨论了磁阻元件的特性,找到了ＩｎＳｂ磁阻特性曲线的拐点,提出旋转传感器的工作原理与结构设计,研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计。本文也给出测试结果和应用前景。     

霍尔里程计性能测试

在接近实际工况时,对研制出的霍尔里程计输出特性进行测试,检测霍尔里程计的各项功能、性能及环境适应性等特征,确保里程计在各种工况下的性能稳定、持久、可靠、适应、兼容性等各项功能正常.结果显示霍尔里程计实测值满足了设计的技术指标,最终满足INS/霍尔里程计组合导航系统精准定位的要求;选取闭合路线进行行车测试,在未加载与加载霍尔里程计两种情况下,分别测试其组合导航系统的导航能力,结果发现未加载霍尔里程计时,导航轨迹发生的漂移较大;而加载霍尔里程计时,导航能力大大提高,行驶轨迹相比未加载里程计时的漂移量要小的多,基本符合实际的行车路线.从而验证出在无GPS状态下加载霍尔里程计使得INS/霍尔里程计组合导航系统精准度得以提升,提高了整个系统的定位精度和导引可靠性.     

浅论霍尔效应的发展及其应用

随着半导体材料和低维物理的发展,霍尔效应的理论研究不断取得进展,应用霍尔效应发展的霍尔器件不断改进、发展,在生产和科研实际中得到越来越普遍的应用.     

PZT厚膜的制备及其热释电性能研究

相比薄膜而言,厚膜具有更明显的电学效应.PZT厚膜材料制成的器件不仅工作电压低、使用频率高、能与半导体集成电路兼容,而且电学性能优异(与体材料器件相近).PZT厚膜材料是典型的热释电材料,作者结合自己的研究工作分别从制备工艺、热释电性能的测试以及应用等方面,介绍了目前PZT厚膜材料在热释电器件的研究进展以及存在的问题     

PVDF/TiO_2纳米复合薄膜的电学性能研究

利用Bruggenman介质模型和多壳模型定量分析了球形TiO2纳米颗粒在PVDF聚合物中分布的体积分数与颗粒尺寸对复合薄膜电学特性的影响规律。分析结果表明,TiO2纳米颗粒体积分数为5%时即可获得较好的分布参数。通过宽带介电谱测试实验对PVDF/TiO2纳米复合材料的电学性能进行了表征。根据该电学性能分析结果,探讨了纳米颗粒与聚合物之间的界面效应对PVDF/TiO2纳米复合材料的电学性能的影响。实验结果表明,TiO2的添加提高了材料的极化能力,使材料获得了较大的介电常数,同时降低了介电损耗,对材料的阻抗影响不大,减小了材料的漏电流。     

电机动平衡过程中转子转速测试系统

根据动平衡过程中对转子转速测量的要求,介绍了一种采用PC机和霍尔元件对转速进行实时检测的计算机辅助测试方法。讨论了该系统的硬件组成结构和软件实现方法,并对系统的性能进行评估和分析。最后,在摩托车1 000~12 000 r/m in的常用转速范围内,对系统的误差和稳定性进行了测试验证,结果表明:该测试系统完全能满足设计要求。     

霍尔效应测试的系统误差分析

使用霍尔效应测试薄膜样品的电学性质,可获得样品的电阻率、有效载流子浓度、迁移率等性质;但由于计算公式及仪表测试精度的影响,测试得到的结果存在无法避免的误差。该文分析了范德保法测试和霍尔效应测试由于计算公式和测试仪表精度产生的系统误差,由此获知测试结果的误差。     

四探针法测试半导体掺杂浓度的实验研究

为了解决半导体掺杂浓度的测试问题,需要采用简单易行的方法对半导体进行测试。在微电子技术领域,四探针技术一直是测量电阻率的常用方法。结合吉林大学在半导体器件物理与实验精品课程的建设,以训练学生对半导体物理学专业知识的理解和掌握,笔者对四探针法测试半导体掺杂浓度进行了实验研究。通过建立半无限大和无限薄层两个理论模型,对不同厚度半导体材料的电阻率测试方法进行了实验研究,并对原理进行了讨论。为了解决商用测试设备昂贵且无法满足实验教学需求的问题,笔者提出自制实验测试装置,采用钨合金的简易手动探针台,并根据实验需要自行设计了四探针测试架。实践应用表明: 四探针测试系统的建立可以完成测量 半导体掺杂浓度的任务,满足了半导体物理实验的教学需求,取得了较好的教学效果。 关键     

基于STC单片机的半导体材料特性测量仪的设计

针对冶金行业对半导体材料特性测试的要求,设计了一种基于STC单片机(micro control unit,MCU)和DMT48270T050_01W迪文串口液晶屏的在不同温度下测量半导体材料电阻率和电动势率特性的仪器,该仪器采用ADAM—3014专用弱电压放大模块,最低输入电压范围在0~10 mV,能精确测量设计电路中各阶段待测材料两端电压,同时设计一种阶梯升温的算法,实现了在一次升温过程中在多个温度点保持稳定以满足测试的要求。实验结果表明,采用该设计能够测得精度较高的电阻率和电动势率,并实现了炉温控制精度在±2℃。     

霍尔效应实验浅探

霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要试验方法。通过研究，对不同样品的霍尔系数的测量方法以及数据误差分析等方面进行了探讨，提出了形状不规则以及材料不均匀的半导体的霍尔系数的测量方法。     

基于MSP430单片机的机动车转速表测试仪设计

当今主流机动车测速系统基本上采用机械式速度表,这种仪表结构简单,具有一定的精确度,能够满足大部分车友的要求。为了对机械式速度表在生产时以及长时间使用后的精确度进行校准,设计了一种以MSP430单片机、普通直流电机及霍尔传感器为核心机械式速度表精度测试仪。测试结果表明系统工作正常,具有良好的实验结果。     

(Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻-温度等电学特性的测试和分析,对(Ba,Sr)TiO     

气氛环境介电温谱测试系统的研制

设计了一套可用于气氛环境下介电温度特性的测试系统,并将气氛环境引入到测试过程中,从而实现了不同气氛环境下(氧化、中性或还原性气氛)对电子材料介电性能参数的测试测试结果表明,电子材料的电学性能参数受到测试气氛的影响和作用,为研究材料内部复杂的缺陷结构和极化机制提供了一种直接有效的测试手段实验证明,测试系统运行可靠,数据精确     

InAs/GaAs量子点激光器增益特性

由于载流子在3个维度受到量子限制,半导体量子点具有类似于原子的分立能级,并展现出许多独特的光学和电学性能.实验研制了InAs/GaAs量子点半导体激光器,分别采用傅里叶级数展开方法和Hakki-Paoli方法准确地测量和表征量子点激光器的模式增益,分析了其增益与损耗.实验结果表明HakkiPaoli方法受测量系统分辨率影响大,在增益谱峰值附近由其得到的增益明显偏低.采用傅里叶级数展开方法并由测试系统响应函数进行修正,可以获得更准确的增益谱.     

低流阻双向密封海水液压电磁截止阀设计

针对潜水器海水液压浮力调节特殊工况需求,提出了满足双向密封要求的电磁截止阀总体结构。围绕双向电磁截止阀低流阻特性和高密封性能设计要求,分析了阀口开度对截止阀流阻的影响,阀座微倒角和密封力对截止阀密封比压的影响,提出了基于流阻和密封性能的综合性能设计方法,获得了阀口开度的优选区间。研制了海水液压电磁截止阀样机,测试了流阻特性、密封性能和吸入效率。结果表明：样机在额定流量3 L/min时流阻小于640 Pa,在1 MPa下实现双向零泄漏,吸入效率超过98.7%。