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1.
运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。 相似文献
2.
采用Huxley势函数拟合得到He-HCl较为可靠的相互作用势,使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为80meV时,氦原子的三种同位素3He,4He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面。通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He、4He、10He)-HCl碰撞体系的弹性分波截面00-00,非弹性碰撞转动激发分波截面00-01到00-07,随量子数和体系约化质量的变化规律。 相似文献
3.
用T.T(Tang-Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原子的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe-D2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原子与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化. 相似文献
4.
用密耦方程(Close coupling equntion)研究和计算了氦与氢的非对称同位素替代分子HD碰撞.当入射氦原子能量分别为0.05、0.15eV和0.25ev时,考虑到非对称同位素替代时质心偏移量对势能函数的影响,计算了弹性碰撞激发00-00分波和非弹性碰撞激发00-01、00-02分波截面. 相似文献
5.
3He、 4He与H2 、D2、 T2碰撞(E=0.5 Ev)分波截面的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用密耦近似(Close—Coupling)方法和Tang—Toennies势模型计算了入射能量E=0.50eV情况下,氦原子的两种同位素(^3He、^4He)与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面.通过分析各碰撞体系分波截面的差异,总结出在对称同位素替代情形下^3He、^4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律.结果表明,体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响. 相似文献
6.
用T.T(Tang—Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原予的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe—D2碰撞体系的00—00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原予与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明:对00—00弹性碰撞,分波截面随量子数,的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原予的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化. 相似文献
7.
作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分. 相似文献
8.
用密耦近似方法计算了入射能量分别为25meV、75meV、125meV和150meV时,He原子与基态BH分子碰撞的分波截面。计算结果表明:在总分波截面尾部效应极大值对应的碰撞参数附近,径向偶极发生转向;总分波截面最大峰的位置几乎对应于He原子具有最大负电荷的位置。 相似文献
9.
用密耦方法计算了碰撞能量分别为20和86 meV时,3He,4He,6He和9He被HF分子散射的角分布,总结了氦同位素原子对He-HF散射角分布的影响.计算结果表明:在同一入射能量下,随着入射氦同位素原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;He同位素原子与HF分子碰撞发生的彩虹现象越明显. 相似文献
10.
运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。 相似文献