在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学.应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式.     

温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.     

磁泡布洛赫线观测系统及图像处理

研究磁泡畴壁微结构－垂直布洛赫线的晃动观测方法；讨论了梯度场、势阱的作用，回复脉冲场对条畴稳定的影响；用数学形貌学方法对磁泡畴结构进行数字图像处理。     

立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。     

磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的,而不是在磁泡本身内.因此,极限信息密度可达到10~(10)bit/cm~2,从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2/1000s、而目前检索信息要10s.     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

磁泡布洛赫线观测系统及图像处理

研究磁泡畴壁微结构──垂直布洛赫线的晃动观测方法；讨论了梯度场、势阱的作用，回复脉冲场对条畴稳定的影响；用数学形貌学方法对磁泡畴结构进行数字图像处理．     

普通硬磁泡温度特性的进一步研究

实验研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下，在Ｔ和Ｔ（Ｔ和Ｔ０是两个与样品参数有关的临界温度）之间，经温度作用后，所有的普通硬磁泡畴壁中的垂直布洛赫线都要丢失，且含有垂直布洛赫线少的普通硬磁泡最先被软化为软泡。     

直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响

实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ,Ｈ（２）ｉｐ］,证明了面内场作用下普通硬磁泡畴壁中ＶＢＬ的消失与其畴壁中所含ＶＢＬ数目的多少无关。为准确测得面内场作用下ＶＢＬ不稳定的最小临界面内场提供了一种实验方法     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程，发现和证实了普通硬磁泡(OHBs)，第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围，对同一样品而言，3类硬磁畴的起始临界温度是相同的，而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的，在临界温度范围内，3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的，而且是逐步消失的。     

磁泡研究有效突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息，利用外加磁场的控制布洛赫畴壁（简记BL）可产生磁化矢量复杂扭转。其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域，称为垂直布洛赫线（或VBL）。利用这些成对的布洛赫线，可以制成存储密度极高的计算机存储器。因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的，而不是在磁泡本身的。因此，极限信息密度可达到10^10bit/cm^2，从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2／1000s，而目前检索信息要10s。     

硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性.     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

垂直布洛赫线传输的计算机模拟

本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动耦合微分方程组,讨论了二维含垂直布洛赫线(VBL)畴壁的边界条件和初始条件,用计算机摸拟了VBL势阱对畴壁和VBL运动及传输的影响.     

磁泡条畴头Bloch线产生的三维模拟

用改进的Ｄｕｆｏｒｔ－Ｆｒａｎｃｋｅｌ显示格式差分法求解条畴壁运动时中心位置ｑ（ｚ，β，ｔ）和畴壁中心磁化矢量方位角φ（ｚ，β，ｔ）的耦合微分方程组。讨论了畴壁膨胀及杂散面内场对畴壁运动的作用以及脉冲驱动磁场Ｈ和薄膜材料阻尼因子对Ｂｌｏｃｈ线产生的影响。     

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.     

石榴石磁泡膜中枝状畴的形成

“低直流偏场法”是一种以枝状畴为出发点来形成硬磁畴的新方法；使用它能够在“脉冲偏场法”无法 产生硬磁畴的磁泡薄膜上很容易地产生三类硬磁畴。     

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)相似文献   

Bloch线链传输特性的计算机模拟

本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动非线性耦合微分方程组,讨论了二维含Bloch线链畴壁的边界条件和初始条件,用计算机模拟了VBL势阱对畴壁运动的影响及VBL传输特性.