低压下高共模输入范围恒定增益的CMOS输入级的研究

本文报道了工作在低压下 ,用于 CMOS运放的输入级 .它具有高的共模输入范围 ,以及在共模输入范围内基本恒定的放大倍数 .为了达到高共模输入范围 ,我们采用了 N/P互补差分对 .为了获得共模范围内基本恒定的放大倍数 ,我们采用了开关管和电流镜 ,对在共模范围两端只有一对差分对工作的情况下的电流进行四倍的电流补偿 .PSPICE模拟结果表明 ,当电源电压为± 2 V时 ,该输入级的共模输入范围为 -2 V～ 2 V.     

基于控制芯片UC3844的煤矿电气设备辅助电源的设计

本文设计了一种以电流峰值控制芯片UC3844为核心的反激式开关电源,主要用于煤矿电气设备的辅助电源供电。辅助电源输入电压范围为DC250 V-DC750 V,输出电压为DC5 V。文中介绍了辅助电源工作原理及其外围电路设计,给出了辅助电源设计方案及部分电路参数的计算。实现了输入电压宽范围,输出电压稳定,同时电源具有过流、过压保护功能。该辅助电源适合煤矿宽电压范围输入,低电压输出的工况特性。实验波形表明,在宽输入电压的范围(如200 V-800 V)内,辅助电源输出电压始终为5V,证明所设计的辅助电源的正确性与可靠性,适合在煤矿电气设备上应用推广。     

一种新型电阻补偿双极工艺带隙基准电压源

文章分析了带隙基准电压源中电阻补偿的原理,使用2种不同温度系数的电阻设计了一个低温度系数新型双极工艺带隙电压源电路,并基于CSMC 2μm36V双极工艺对电路进行仿真,实现了对基极发射极电压的三阶补偿。仿真结果表明,在10~30V输入电压范围内,该带隙电压源输出电压为2.12V;电源抑制比为120.2dB的频率点为14.85Hz;温度变化范围在-40~125℃时,温度系数为2.17×10~(-6)/℃。     

单电源BiCMOS四象限模拟乘法器的研究与设计

目的给出一种单电源BiCM0S四象限模拟乘法器的电路结构。方法采用电压平移技术和带有共模反馈的全差分折叠共源共栅OTA以提高传统四象限模拟乘法器线性输入范围。结果在5 V单电源供电情况下,该乘法器的输入线性范围约为±2.5 V,当输入电压范围限于±2 V时,总谐波失真和非线性误差均小于0.9%,-3 dB带宽大于100 MHz,功耗小于4.9 mW。结论该单电源BiCM0S四象限模拟乘法器具有良好的线性度和较大的-3dB带宽,以及较强的抗噪能力和抑止共模干扰信号的能力,该乘法器可以广泛地应用于模拟信号处理系统和数模混合系统中。     

单体锂动力电池的携行电台供电电源直流变换控制技术

提出一种基于脉宽调制技术和滑模变结构控制技术相结合的新型直流变换电源控制策略,设计了一种连续电流模式下的升压直流变换电源滑模变结构控制器,将3.2 V单体锂动力电池变换为满足携行电台供电要求的12 V工作电源。通过Matlab/Simulink环境下构建控制器仿真模型,并对负载电阻和输入电压变化情况下的控制器性能进行仿真实验,结果表明该升压直流变换电源滑模变结构控制器在大范围扰动情况下的输出电压变化并不明显,稳态误差较小,动态性能良好,鲁棒性强。     

一种低温度系数带隙基准电压源的设计

设计采用双极性结型晶体管产生一个二阶温度补偿电压,并将其与一阶温度补偿电压加权叠加得到一个低温度系数的带隙电压.通过采用增大运放增益和负反馈回路提高电源抑制比.电路基于0.13μm BCD工艺实现,使用Cadence中Spectre环境进行仿真.在工作电源电压为5 V的情况下,温度等于27℃时输出电压为1.209 V,电源电压抑制比为-58 d B@100 Hz,在-40-130℃温度范围内,输出电压变化范围为0.93 mV,平均温度系数为4.51 ppm/℃.     

低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器的设计

电源电压的下降对模拟电路的设计是一个难题。如今模拟电路的典型电源电压大约是2．5～3V，但是发展的趋势表明电源电压将是1.5V，甚至更低。在这种情况下，国内外研究人员致力于设计适用于标准CMOS工艺的低压电路蛄构。主要在文献[1]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器（CFOA），使用了0．5μmCMOS工艺参数（阈值电压为0．7V），模拟结果获得了与增益关系不大的带宽。在1.5V电源电压下产生了约6．2mW的功耗。     

一个用于流水线模数转换器的高精度、低功耗采样保持电路

介绍了一个用于高精度模数转换器,采用 0.25μm CMOS工艺的高性能采样保持电路。该采样保持电路的采样频率为 20MHz,允许最大采样信号频率为 10MHz,在电源电压为 2.5V 的情况下,采样信号全差分幅度为 2V。通过采用全差分flip-around结构,而非传统的电荷传输构架,因而在同等精度下,大大降低了功耗。为了提高信噪比,采用自举开关。Hspice仿真结构显示：在输入信号为 5MHz 的情况下,无杂散动态范围（SFDR）为 92.4dB. 该电路将被用于一个14位 20MHz 流水线模数转换器。     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压V_BE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4～6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)

介绍了一种基于CSMC0.5-μm2P3Mn-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5 V电源电压下,温度变化范围为-20 ～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6 ppm/℃。当电源电压变化范围为4 ～6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV。     

基于DC-DC升压和LC振荡的叠层压电陶瓷驱动电源研究

根据叠层压电陶瓷的大容性负载特性,在电路分析的基础上提出了基于DC-DC升压变换器和LC振荡的驱动控制电源,在驱动电路中加入偏置电压,使输出电压在-20 V到100 V之间,满足叠层压电陶瓷的驱动要求.将此驱动器用于压电直线电机,电机运转平稳,电路功耗小,通过匹配不同的电感实现了宽频率范围驱动.     

一种数控直流电源的设计

本文介绍一种基于单片机的数控直流电源的设计。该系统主要由单片机、D/A转换器、功率放大电路及键盘显示电路等构成。该电源能够提供-9.9-~＋9.9V,步进为01V的直流电压,电压的预期值和实测值均可由LED显示。具有结构简单合理的优点。     

电荷平衡式电压频率转换器的设计

介绍了电荷平衡式电压频率转换器的电路设计与工艺制作 ,并给出了研究结果。设计的电路输入电压为 0～ 10 V,输出频率为 0～ 1MHz,在满刻度为 1MHz下其非线性度小于 0 .5 %。可广泛应用于航空、航天、雷达、通信、导航以及远距离传输等领域     

恒频PWM型零电流开关准谐振变流器

对传统的零电流开关准谐振变流器电路加以改进 ,通过引入辅助开关 ,使准谐振变流器工作在恒频PWM方式下。改进后的变流器 ,其滤波电路及高频变压器的体积明显减少 ,开关功率管及二极管的工作条件 ,以及变流器的负载调整特性等均得到明显的改善。对变流器的工作原理、输出特性、电路参数设计等给出了详细的介绍 ,一台 15 0kHz、 2 5V 75W变流器的电路实验证实了改进后变流器所具有的优点。     

一款精度高、响应速度快的电流检测电路

提出一种应用于电流模的PWMDC-DC转换器系统、利用senseFET作电流检测器件的新颖的电流检测电路。该电路结构简单,易于集成,具有功耗低、频率特性好、响应速度快、不降低电源系统的工作效率等优点。同时,该电路在很大的负载电流范围内实现高精度的电流检测功能。芯片利用CSMC0.5μm 2p3M 3.3V CMOS工艺实现。这款降压芯片能够在1.2～2MHz的频率范围内将输入的2.5～5.5V的直流电源电压转换为1.5V的稳定直流电压输出,完全适用于单节锂电池电源的系统。在50～600mA的负载电流范围内,测试检测电流的精度最高可达到97.75%。     

一种简单的电流控制振荡器

设计了一种简单的电流控制的振荡器.该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,此振荡器是降压变换器内部电路的一部分,在3.3 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间很接近,使振荡器输出的谐波信号近似于三角波信号.     

高精度工频频率电压变换器

本文报导了一种高精度、低成本工频频率电压变换器（ＦＶＣ）。它由倍频电路、基本ＦＶＣ，低通滤波器和输出增益及调整级组成。其特点是电路简单，非线性误差小于０．０５％，所测频率的分辨率为０．５％Ｈｚ。本文详细介绍了其工作原理、电路结构及实验结果。     

多功能电子仪表电源设计

设计了一种应用于多功能电子仪表的低噪声稳压电源电路,该电路通过AC-DC和DC-DC转换,实现了±3.3 V/±5 V/±12 V电压输出。通过测试结果表明,采用该电源控制电路组成的系统在提高电路性能的同时,可以有效提高系统的稳定性和抗噪性,具有输出电压精度高、输出纹波小、低噪声、安全可靠等特点。     

一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.