BaFX：Eu^2＋（X=Cl,Br）的X光影像存储机理研究

报道了一种新的ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的Ｘ光影像存储机理。在Ｘ光辐照后，Ｅｕ＾２＋并不变价为Ｅｕ＾３＋，因而不是空穴陷阱。Ｏ＾－Ｆ是一种重要的空穴陷阱。存在电子隧穿过程。     

BaFX：Eu（X：Cl,Br）中电子陷阱的研究

Ｘ线影像板需要近红外光激励。掺入Ｃａ＾２＋,Ｓｒ＾２＋,Ｍｇ＾２＋后,用６５０￣７００ｎｍ光激励ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋,可以更为灵敏。用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了Ｘ射线辐照后ＢａＦｘ：Ｅｕ（Ｘ：Ｃｌ,Ｂｒ）电子陷阱的性质、状态、密度和转换。     

一种新型的X射线影像存储和读出屏

采用两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影像存储材料ＢａＦｘＣｌ（２－ｘ）：Ｅｕ（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０，１．１５）．利用这种材料我们制备了新型Ｘ射线影像存储和读出屏，分析了影像存储和读出机制。最后我们测量了存储屏的各种性能参数     

光激励发光材料 BaFCl : Eu 的制备及光电子能谱

研究了在不同反应气氛下合成的光激励发光材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中稀土离子发光中心及发光性质．利用光谱和Ｘ射线光电子能谱的方法，研究了在不同条件下制备的样品ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中稀土离子Ｅｕ的性质     

光激励发光衰减的理论分析与研究

基于光激励发光理论中隧穿模型的思想，建立了描述隧穿过程的数学模型，得出了光激励发光（ＰＳＬ）衰减规律．制备了系列材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋，测量其ＰＳＬ衰减曲线，理论结果与实验符合的较好     

氟钨酸钡荧光体的合成及其发光特性

以ＢａＦ２和ＷＯ３为原料，采用高温固相反应法合成了Ｂａ２ＷＯ３Ｆ４荧光体，测定其Ｘ－射线粉未衍射、激发光谱和发射光谱，探讨了Ｂａ２ＷＯ３Ｆ４及掺杂Ｅｕ３＋离子后荧光体的发光特性。     

氟钨酸钡荣光体的合成及其发光特性

以ＢａＦ２和ＷＯ３为原料，采用高温固相反应法合成了Ｂａ２ＷＯ３Ｆ４荧光体，测定其Ｘ－射线粉未衍射、激发光谱和发射光谱，探讨了Ｂａ２ＷＯ３Ｆ４及掺杂Ｅｕ＾３＋离子后荧光体的发光特性。     

氟化物中氧对Eu2+光谱的影响

为了考察杂质阴离子对Ｅｕ＾２＋光谱的影响,应用光谱方法研究了复合氟化物中氧离子对氟离子的取代与Ｅｒ＾２＋光谱变化的关系。结果表明：在ＫＣａＥ３和ＢａＹ２Ｆ８基质中,氧的存在产生了Ｅｕ＾２＋新的发光中心,其中一种为正常的Ｅｕ＾２＋的发光中心,其中一种为正常的Ｅｕ＾２＋的发射中心,即Ｅｕ＾２＋（Ｆ＾－）中心,另一种为氧离子对氟离子取代形成的发射中心,即Ｅｕ＾２＋（Ｏ＾２－）中心;对于ＫＣａＦ３基质,随     

数据库文件的图形接口

描述了一个可以为任意ＦＯＸＢＡＳＥ数据库文件提供图形接口的程序．该程序可在ＵＣＤＯＳ５．０与ＦＯＸＢＡＳＥ＋２．１或ＦＯＸＰＲＯ２．５ＦＯＲＤＯＳ环境下运行     

（Y，Gd）_2O_3·2B_2O_3：Bi~（3＋），Eu~（3＋）的发光性质

研究了荧光材料（Ｙ，Ｇｄ）_２Ｏ_３·２Ｂ_２Ｏ_３：Ｂｉ~３＋，ＥＵ~３＋的合成和晶体结构．经ＸＲＤ确定为六方晶系，晶胞参数：ａ＝３．７８６，ｃ＝８．８２４．在２５４ｎｍ紫外光激发下，荧光材料有较强的红色发光．观察到Ｂｉ~３＋→Ｇｄ~３＋→Ｅｕ~３＋的能量传递现象，Ｂｉ~３＋→Ｇｄ~３＋能量传递机理为交换作用；Ｇｄ~３＋→Ｅｕ~３＋能量传递机理为电偶极──电四极相互作用．     

New BaBrCl： Eu^2＋ phosphors for X-ray image recording

Photostimulated luminescence （PSL） is observed in BaBrCl： Eu^2＋after X-ray irradiation at room temperature. It is suggested by PSL stimulation spectrum and difference absorption spectrum （DAS） that F centers are formed upon X-ray irradiation and both spectra show two bands which are centered at about 550 nm and 675 nm respectively. This enables the use of semiconductor light-emitting diodes （LED） instead of gas lasers for photostimulation. The PSL intensity increases linearly with X-ray irradiation dose increasing, and the conversion efficiency is 29% that for the standard commercial storage phosphor BaFBr：Eu from Fuji imaging plate.     

BaFX:Eu(X:Cl,Br)中电子陷阱的研究

X线影像板需要近红外光激励．掺入Ca2＋,S2＋,Mg2＋后,用650～700um光激励BaFX：Eu2＋,可以更为灵敏．用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了X射线辐照后BaFx：Eu（X：CI,Br）电子陷阱的性质、状态、密度和转换．     

无机晶体材料中色心的形成及其存储机理的研究

BaFBrEu2+作为一种优良的光激励发光材料,广泛使用于诸多方面.本论文研究了在BaFBrEu2+中掺杂金属离子,促使其激励波长红移,以适应小巧、价廉的半导体激光器.并且研究了掺杂不同的金属离子对BaFBrEu2+激励波长的影响,从色心的角度分析了其红移现象.     

近紫外光激发的Ba3 MgSi2O8：Eu^2＋，Mn^2＋全色荧光材料的发光性质研究

用稀土复合溶胶雾化-热解方法制备了Ba3MgSi2O8:Eu2 ,Mn2 荧光材料,在近紫外光激发下,可同时发射红、绿和蓝三光进而合成白光.用微结构参数与发射波长的半定量关系,验证了505 nm绿光发射来自于Ba3MgSi2O8主基质相中伴生的微量Ba2SiO4相;基于Mn2的激发光谱和Eu2 的发射光谱的重叠关系,红光来源于Eu2 的蓝光发光中心的能量传递,分析了Eu2 和Mn2 之间的能量传递机理.     

水热法制备Eu3+掺杂TiO2光催化剂及其性能的研究

以硫酸钛为前驱物,采用水热法制备了系列Eu3+/TiO2复合纳米粉体,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)等测试手段对催化剂进行初步表征,并以甲基橙溶液作为光催化探针反应,测定其紫外光光催化活性.结果表明,实验均得到晶化较好的锐钛矿型TiO2纳米粉体,稀土Eu3+的掺入能有效抑制纳米颗粒的增长,并引起晶格膨胀;紫外-可见漫反射吸收峰有红移现象,即有一定的可见光响应;稀土Eu3+的掺杂能有效提高TiO2纳米粉体的光催化活性,最佳掺杂摩尔比为1%.     

NaGdF4：Eu^3＋的水热合成、相变与发光性质

用水热法制备了NaGdF4：Eu3＋（0.5 mol%）发光材料,并研究了退火温度对NaGdF4：Eu3＋的结构和发光性质的影响。X-射线粉末衍射（XRD）结果表明：水热合成得到六方相的NaGdF4,在空气氛的条件下,NaGdF4从六方相到立方相的相转变温度为～650℃.扫描电镜（SEM）的结果显示：具有六方相结构的NaGdF4：Eu3＋发光材料的粒径为200～300nm.荧光光谱（PL）的结果表明：具有六方相结构的NaGdF4：Eu3＋粉末样品的特征发射为Eu3＋5 D0→7F2（615nm）跃迁发射。     

碱土金属卤磷酸盐光激励发光材料的研制

本文测定了在X射线辐照下碱土金属卤磷酸盐的光激励谱和光激励发射光谱。研究了助熔剂含量及改变碱土金属卤磷酸盐基质组成对样品的光激励发光强度的影响。找出了Eu~(2+)的最佳含量。确定了碱土金属卤磷酸盐中以Sr_3Ca_2(PO_4)_3Cl:Eu_(0.04)~(2+)的光激励发光最强。     

Dy3+/Eu3+共掺钒酸钇荧光粉的合成及发光性质研究

采用高温固相合成法制备了Y1-x VO4:Dy3+x和Y0.994-yVO4:Dy3+0.006,Eu3+y系列样品,通过XRD确定其晶体结构.研究其荧光性质发现,Dy3+在YVO4中可同时发射出483 nm(蓝光)和573 nm(黄光)荧光,分别归属于4F9/2→6H15/2和4F9/26H13/2的能级跃迁,且Dy...     

LaP04：Eu3＋^纳米晶的溶剂热合成及下转换荧光性质研究

采用溶剂热法,在乙醇和乙二醇的混合溶剂中,pH=8．5条件,150℃,反应12h,一步合成了LaPO4Eu3＋^晶体．室温下,用x射线衍射对材料的组成进行了表征,XRD数据表明,成功合成了LaPO4Eu^3＋^晶体．荧光光谱分析表明,在352nm紫外光激发下,其发射峰在531nm、640nm,分别对应着Eu^3＋的。Do3＋^→VF^3＋和5^D0→7^F3能级跃迁．并讨论了离子La3＋^：Eu3＋^不同浓度掺杂比对荧光性质的影响,结果表明,Eu3＋^的最佳掺杂浓度比为10％．