虚拟三极管伏安特性测试仪的设计

在传统的三极管参数测试实验中,通常需要使用多种测量仪器来测量三极管的伏安特性曲线和其他参数。为了降低实验成本,简化实验操作过程,采用虚拟仪器技术设计了一种三极管伏安特性测试仪。可以在PCI-1200数据采集卡和PC机所构建的平台上实现三极管主要参数的测量。通过对2SC9014三极管进行实际测量,证明其能够满足测试实验要求。     

硅MINP太阳电池的多子隧道效应

本文对MINP电池中的多子隧道电流进行了计算分析,从其伏安特性曲线得出太阳电池所允许的氧化层厚度的极限。     

明室光电效应装置的研制

介绍利用聚酯塑料管制作暗箱，与其它元件组装成光电效应实验装置，可有明室条件下，测试出光电伏安特性曲线。     

“二极管伏安特性曲线”实验方案的改进

针对"二极管伏安特性曲线"实验方案的不足,提出了实验的改进方案,用大内阻的数字电压表替代小内阻的指针式电压表,再参考改进的伏安法电路所测数据,使用电压补偿电路进行详细的测量。采用上述方案测试了几种常见二极管的伏安特性曲线。结果显示,改进后的方案能准确的给出二极管的正、反向伏安特性,有助于二极管伏安特性实验总体目标的实现。     

一种光电池测试装置的设计与实现

提出了一种以单片机为核心的光电池测试装置设计方案,给出了硬件电路及测试软件设计结果．采用程控电子负载和外部补偿电源,实现了光电池伏安特性、开路电压和短路电流等参数的测试与计算．采用虚拟仪器开发环境,开发了系统人机界面,实现了测试过程控制及电池基本参数输入,具有测试曲线和数据报表显示以及测试报告生成等功能．实验表明,该装置具有测试数据准确、信息输出完整、操控方便等优点,可以用于光电池性能的测试与分析．     

太阳电池阻抗测量系统设计

为测量晶体硅太阳电池在不同光照强度和偏压下的阻抗特性和伏安特性,设计并制作了一种太阳电池阻抗测量系统。系统以STM32F103处理器为核心,通过I2C接入阻抗数字变换芯片AD5933,用于阻抗测量,在液晶显示屏显示结果。系统设有量程切换单元,可选择合适的量程以减小测量误差。测量系统可完成太阳电池的常规I-V特性曲线和阻抗谱的测量。分析了偏置电压对太阳电池性能的影响。实测结果表明,系统可完成激励频率为100Hz～1MHz时的扫频阻抗谱测量,阻值范围为0～10MΩ,能够满足一般实验室条件下太阳电池阻抗频谱测试的要求。     

夫兰克-赫兹实验的数据处理方法

为了比较夫兰克-赫兹实验中实验参数变化对伏安特性曲线的影响，针对实验软件数据导出会出错并且显示杂乱等问题，提出利用Access调出数据，并进行再处理。     

PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计

讨论了不同温度下PN结的正向伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向伏安特性曲线随温度变化的实验,定性地分析了PN结正向伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行指数拟合测定了波尔兹曼常数,并确定了常温下PN结的反向饱和电流,从而定量地描述PN结的正向伏安特性曲线,取得了较为准确的实验结果。     

二级管伏安特性实验的教学优化设计

根据教学实践的经验和近年来新课程改革的基本理念提出二极管伏安特性实验的教学目标和设计原则,用补偿法、机械表伏安法和数字表伏安法对实际二极管的伏安特性曲线进行实验测试,总结出各实验方法的优缺点,然后从实验方法、仪表配备、二极管元件选择和实验内容设置等方面对二极管伏安特性实验进行教学优化设计.     

反向电流对用光电效应测定普朗克常数的影响

本文提出了在“用光电效应测定普朗克常数”的实验电路中,实际上存在着阳极反向电流,并讨论了它的影响。因而阐明了实测伏安特性曲线和理论上的伏安特性曲线的偏离现象     

大功率 LED 电学参数模型的研究

为精确描述大功率 LED(Light Emitting Diode)的伏安特性, 将经典的肖克莱方程与 LED 物理模型结合进 行理论推导, 对所得方程进行泰勒展开, 并对该模型进行分段处理, 构建了大功率 LED 的电学参数模型。 通过 实测大功率 LED 的伏安特性数据验证了本模型比经典 PN 结模型更接近实际的伏安特性曲线, 与实测曲线一 致性更高, 误差在 1%以内。     

硅太阳电池解析模型分析与参数修正

通过对硅太阳电池的数学模型的分析,文章给出了一种利用硅太阳电池的开路电压、短路电流以及最大输出功率点处的电压、电流确定模型参数的方法,并提出不同光强下硅太阳电池的模型参数修正方法;对硅太阳电池进行了仿真及实验测量;数据分析结果表明,该方法确定的模型在低倍光强下能够反映硅太阳电池的特性.     

半导体PN结温度特性实验

讨论了不同温度下PN结的正向压降和伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向压降及伏安特性曲线随温度变化的实验,定性分析了PN结正向压降及伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行曲线拟合测定了正向压降随温度变化的灵敏度、玻尔兹曼常数以及PN结的反向饱和电流,从而定量描述了PN结的伏安特性,取得了较为准确的实验结果。     

基于ARM7的静电探针测量仪的设计

设计了一种以ARM7为核心的静电探针自动测量仪,能够满足等离子参数测量的需要.该测量仪由A/D模块,D/A模块,以及隔离放大模块构成,可以实现对等离子体I-V特性曲线的获得,通过计算和分析伏安特性曲线从而获得等离子体密度和温度等相关参数.该系统具有成本低廉、携带方便、易于实用化等优势.     

太阳电池特性的研究和参数的测量

太阳电池的特性参数和I-V曲线的关系,虽然迄今已有不少研究.但基本上是半经验的或不完整的.我们用数学分析和计算的方法进行系统而完整的研究,并用实验核对.计算机所得的结果和实验测量的一致性令人满意.深入地分析特性曲线,找到一个能把分散的测量统一起来的测试方案,便能设计一台快速综合测试台.这种仪器的样机不久即将研制成功,本文先报导一些基本思想.     

冲击电流作用下碳纤维复合材料的导电特性

针对碳纤维复合材料(CFRP)在航空航天领域应用时的雷电损伤机理以及无损检测的问题,建立了CFRP非破坏性冲击动态伏安特性测试平台,对碳纤维复合材料的动态伏安特性的测量方法进行了研究。通过对流经CFRP上动态电流以及两端动态电压的测试,研究CFRP在非破坏脉冲电流作用下的动态伏安特性。研究发现:冲击电流的幅值、波形以及测量电极均会对CFRP的动态伏安特性产生比较明显的影响。随着冲击电流幅值的增加,CFRP的动态伏安特性曲线在电流上升阶段出现明显的向上偏移;在电流下降阶段,其所对应的动态伏安特性曲线会向下偏移直至趋于重合。当施加在CFRP上的冲击电流的持续时间变长时,明显看出CFRP的动态伏安特性上升阶段和下降阶段所包围的区域逐渐减小。当测量电极尺寸增加时,流过CFRP上的动态电流幅值增大了15%,其动态伏安特性曲线会逐渐向下移动,且随着冲击电流幅值增加,不同测量电极所对应的伏安特性曲线逐渐接近。研究结果为碳纤维复合材料在雷电直接作用时其导电行为以及损坏机理的研究提供了一定的实验基础与理论依据,为碳纤维复合材料的无损检测提供了新的实验思路。     

PECVD氮化硅薄膜工艺参数研究

根据太阳电池组件的结构和封装材料特性,设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折射率,利用泰勒公式进行优化PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。通过实验,找出适合中电48所工业生产用管式PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。     

冲击电流作用下氧化锌压敏电阻极性效应分析

为了能够精确测量MOV（氧化锌压敏电阻）的静态参数,利用HAEFELY PSURGE 30.2冲击波形模块在8/20 μs冲击电流下分别对MOV样品进行正负极性冲击,测量冲击后MOV的静态参数并描绘出压敏电压的变化曲线以及小电流区的伏安特性曲线。根据MOV内部双肖特基势垒模型,结合离子迁移理论,提出了MOV在冲击电流作用后同样存在极性效应,并且在负向测量时伏安特性曲线蜕变较严重;在正负极性交替冲击下,极性效应逐渐消失,但伏安特性曲线同样存在蜕变;在不同极性冲击下的压敏电压呈先上升后下降的趋势。这为今后精确地表征MOV蜕变程度提供了新的方法。     

InP N^＋／P太阳电池光谱响应的数值模拟和分析

用数值模拟方法对ＩｎＰ Ｎ＾＋／Ｐ太阳电池在ＡＭ１．０下的光谱响应和光电流进行了计算和分析，探讨引起ＩｎＰ太阳电池光谱特性曲线变化的原因，从而获得Ｎ＾＋区和Ｐ区的最佳掺杂浓度，厚度，表面复合速度等参数，为设计制造ＩｎＰ太阳电池提供参考数据。     

太阳电池并联电阻对I-V曲线的影响

忽略串联电阻,从太阳电池的I-V特性方程,数值分析并联电阻对I-V特性曲线的影响。正常情况下,并联电阻只影响太阳电池的填充因子,对开路电压和短流电流没有影响,但并联电阻极小时,能减小开路电压。并联电阻较小时,能显著地降低填充因子。从短路电流处的斜率,可以简便地计算太阳电池的并联电阻。