透视石的光吸收谱研究

本文报道了扎伊尔透视石的室温光吸收谱及其晶体场理论分析结果。我们在透视石中观察到了 Cu~(2+)离子的四条晶场谱带。10,300和13,050cm~(-1)处的吸收带,分别被识别为~2B_1→~2A_1和~2B_1→~2B_2电子跃迁,而15,000和15,820cm~(-1)处的吸收带,则被识别为~2B_1→~2E 电子跃迁。此外,我们还观察到27,000cm~(-1)处的一条吸收带,它可能是由透视石结构中邻近 Cu~(2+)离子的交换相互作用引起的。     

Formation of Ferric Porphyrinoids with Unusual Electronic and Magnetic Properties

1 Results Energy levels of the metal 3d orbitals in iron(Ⅲ) porphyrinoids are controlled by various factors such as the nature and number of axial ligands, electronic and steric effects of peripheral substituents, deformation and core modification of porphyrin ring, hydrogen bonding to the axial ligand, etc. By manipulating these factors, we are now able to prepare various iron(Ⅲ) porphyrinoids withunusual electronic and magnetic properties[1]. Here, we report the formation of such complexes as ⅰ) low-spin bis(tBuNC) complexes of OETArP and DAzP showing the (dxy)2(dxz, dyz)3 ground state[2], all the bis(tBuNC) complexes reported previously exhibit the (dxz, dyz)4(dxy)1 ground state, ⅱ) low-spin bis(HIm) complex of TPrC showing the (dxz, dyz)4(dxy)1 ground state; bis(HIm) complexes almost always adopt the (dxy)2(dxz, dyz)3 ground state[3] Ⅲ) one electron oxidation product of iron(Ⅲ) porphyrinate that shows S=0 electronic ground state, one electron oxidized products exhibit either iron(Ⅳ)(S=1) or iron(Ⅲ)(S=5/2 or S=1/2) radical cation(S=1/2). The spectroscopic data of these complexes are quite useful for further developing the material with unique properties(See Fig.1).     

Cs_2NaYbBr_6体系中 Yb~(3+)的能级计算

本文用等价算符法和不可约张量法,考虑~F_(7/2)与~2P_(5/2)的晶场相互作用,对Cs_2NaYbBr_6体系(O_h)中Yb~(3+)的实验能级进行了拟合计算,得到到晶场参数为B_(40)=1416 cm~(-1)、B_(60)=46cm~(-1),旋轨耦合参数ζ=2871 cm~(-1).同时,对计算结果进行了讨论.     

MnF_2晶体中Mn~(2+)离子的电子光谱研究

本文在SCCF模型的基础上,用一种方块准对角化弱场耦合方案构造了d~5电子系O_h~*旋量群的完全能量矩阵。计算出了MnF_2晶体中Mn~(2+)离子的(d—d)跃迁能谱,~4A_(1g)(G)和~4E_g(G)能态的偶然简并度被解除,39010cm~(-1),41340~(-1)cm和43200cm~(-1)三个吸收峰有了理论对应。     

GeO_2单晶中Cr~(3+)的双光子吸收和发光

Cr~(3+)掺杂在GeO_2单晶中,其温度为10K—290K时都可观察到Cr~(3+)的双光子吸收。同时吸收双光子后,Cr~(3+)离子被激发到~4T_1(p)态,经无辐射跃迁到~2T_(18)。和~2E_g态,最后辐射出一个光子回到基态~4A_2(F),其辐射光的偏振特性与泵浦光完全一致。按配位场理论计算的配位场参数分别为Dq=1620cm~(-1),B=577cm~(-1),C=3122cm~(-1)。所观察到的激发谱线和辐射谱线的微细分裂被归结为~4A_2(F)的分裂。从明显的各向异性结果看,Cr~(3+)是处在具有低对称畸变的八面体对称的晶格位置。     

石榴子石中Fe(2+)自旋允许谱的理论研究

在晶场理论的基础上,用一种改进的方法进行了研究,得出的谱带指定为7950cm~(-1)B_3→A,5951cm~(-1)A→A,4400cm~(-1)B_2→A,1332cm~(-1)B_1→A。     

五边形的一个性质及应用

定理 设B_1,B_2,B_3,B_4分别为五边形A_1A_2A_3A_4A_5边A_1A_2,A_2A_3,A_3A_4,A_A_5(或其延长线)上一点,M,N分别为B_1B_3,B_2B_4(或其延长线)上一点,且 (A_1B_1)/(B_1A_2)=(A_2B_2)/(B_2A_3)=(B_1M)/(MB_3)=λ,(A_3B_3)/(B_3A_4)=(A_4B_4)/(B_4A_5)=(B_2N)/(NB_4)=1/λ,则MN//(A_1A_5),且|MN|=     

1—（2—吡啶偶氮）—2—氨基萘的合成及钴的分光光度测定

合成了新偶氮化合物1-(2-吡啶偶氮)-2-氨基萘(PAAN),并研究了它与钴的显色反应,在pH4.0～5.0的醋酸-醋酸钠缓冲溶液中,Co~(2+)与PAAN形成红色螯合物,λ_(max)=550nm.ε达1.0×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1)(乙醇-水溶液)和5.16×10~4 L·mol~(-1)·cm~(-1)(OP-水溶液),钴与显色剂的组成比为1:2.钴量在0～11μg/25ml范围内遵守比耳定律.该显色反应选择性好.仅Ni~(3+).Fe~(3+).Cu~(2+).Pd~(2+)干扰,可通过加入盐酸酸化至1mol/L,破坏上述离子的配合物而消除,在不加任何掩剂的情况下.测定了土壤、茶叶和维生素B_(12)中的钴,结果满意.     

d~5(~6S)离子立方零场分裂及光谱的理论研究

为了克服在晶场理论中利用微扰近似公式计算d~5(~6S)离子基态立方零场分裂参量的困难,本文用O_h 点群表象的强场方案,构造了d~5电子组态在六配位O_h 对称晶场中微扰哈密顿H′[=H_(el)+H_(?)+V_(CF)(O_h)]的完全能量矩阵.用它研究了d~5离子基态立方零场分裂参量与吸收光谱.我们发现,立方零场分裂参量a 对晶场参量Dq 的依赖关系应为:a(+|Dq|)>a(-|Dq|).由于Powell 等人的能量矩阵中Dq 和ξ_d 之间存在相对位相错误而导致零场分裂参量的计算困难,本文利用正确的d~5(O_h~(?))完全能量矩阵,统一地计算了几种六配位八面体O_h 的晶场中Fe~(3+)和Mn~(2+)离子的基态立方零场分裂和d-d跃迁吸收谱.数值分析中发现,旋轨耦合常数ξ_d 及晶场参量Dq 对立方零场分裂参量有重要影响,ξ_d 取值的差异正是Fe~(3+)和Mn~(2+)络离子立方零场分裂参量巨大差别的主要原因.由理论值与实验观测结果的一致性表明,利用正确的d~5(O_h~(?))完全能量矩阵分析,可以克服Low 等人断言的简单晶场理论计算的困难.     

限定条件下的有序多子集组计数问题

研究了在限定条件下的有序多子集组计数问题,推导了在条件:(A_1∪…∪A_p)∪(B_1∩…∩B_q)=N_n,A_1,…,A_p,B_1,…,B_q■N_n下,集函数x_1~(|A_p|)…x_p~(|A_p|)y_1~(|B_1|)…y_q~(|B_q|)的相关计数式,得到了一个重要的定理:W_(n;p,q)(x,y)=Σ_A1,…,A_p,B_1,…,B_q■N_n(A_1∪…∪A_p)∪(B_1∩…∩B_q)=N_nx_1~(|A_p|)…x_p~(|A_p|)y_1~(|B_1|)…y_q~(|B_q|)={[f(X)-1]g(Y)+y_1y_2…yq}~n,其中f(X)=(1+x_1)(1+x_2)…(1+x_p),g(y)=(1+y_1)(1+y_2)…(1+y_q).并在此基础上,做了一系列推广及应用.     

Ni(Ⅱ)离子晶体化合物的若干物理性质的统一处理

本文采用点电荷—电偶极子模型半经验地确定了非自由态Ni~(2 )离子3d 轨道的双-ζ径向波西数,并应用MO 理论求出共价因子.由非自由度和共价因子来描绘晶体化合物里客观存在的金属离子和配位体间的重迭效应和共价性,来体现Ni~(2 )离子3d 轨道径向波函数的自由态和非自由态的区别.应用非自由态Ni~(2 )离子3d 轨道径向波函数,不另外引进参数,从理论上统一地计算了CsNiCl_3等八个卤秦配位Ni~(2 )络合物晶体的电子吸收光谱、g 因子、有效磁矩、磁化率、ESR 零场分裂精细结构常数等物理性质.计算结果与实验结果比较,92%符合较好,8%差一些.本文还从总结卤素配位Ni~( 2)离子络合物的吸收光谱中的~3A_(2g)(~3F)→′Eg(′D)谱带位置分布的实验结果入手,根据理论计算对晶体NiBr_2、CsNiI_3、NiI_2的吸收光谱中。~3A_(2g)(~3F)→′Eg(′D)谱带的位置提出自己的看法.     

CO_3~(2-)的振动和 MnCO_3的精细谱线的联系

我们在文章中讨论了MnCO_3晶体中Mn~(2 )在低对称晶场中的电子吸收谱,本工作进一步研究在25200—26900cm~(-1)范围内出现的精细结构谱线。不少文献报道了MnCO_3晶体的包括精细结构在内的晶场吸收光谱。有别于其它Mn~(2 )的络合物的晶场吸收光谱的一个最显著特点是,MnCO_3晶体在25200—26900cm~(-1)     

高压对非晶态快离子导体(AgI)_(0.788)(Ag_2O·B_2O_3)_(0.212)性能的影响

研究了压力(高达10.9kbar)对非晶态快离子导体(AgI)_(0.788)(Ag_2O·B_2O_3)_(0.212)的室温电导率及晶化温度T_c的影响。压片样品的电导和压力的关系表明,随压力增加,其电导下降,而且在5.0kbar附近出现转折点.在室温13℃±2℃时,常压—5.0 kbar及5.0—9.0 kbar下的激活体积分别为1.34cm~3mol~(-1)和1.92cm~3mol~(-1)。样品经高压处理后在常压下的差热分析表明其T_c有所降低,而且压力愈大,T_c就愈低。     

基于信噪比的FDM快速成型工艺参数优化分析

目的研究FDM快速成型系统中工艺参数,优化工艺参数寻找最优工艺参数组合,提高成型件X、Y、Z方向尺寸精度.方法依据六因素三水平L_(27)(3~(13))正交表安排成型方向、分层厚度、填充线宽等重要可控工艺参数对成型件X、Y、Z方向尺寸精度影响实验,并利用参数设计中信噪比分析方法对实验结果进行优化分析,确定X、Y、Z方向最优尺寸精度工艺参数组合.结果从X、Y、Z方向信噪比响应表可观察出X、Y、Z方向最优尺寸精度参数组合为A_2B_3C_3D_3E_3F_1、A_2B_2C_2D_2E_3F_2、A_1B_1C_3D_3E_1F_2.结论通过信噪比分析方法优化后的工艺参数可有效提高成型件尺寸精度,优化后的工艺参数具有广泛的适用性,对用户合理选择工艺参数提供参考价值.     

晶体 C(?)MnCl_3,CsMgCl~3:Mn~(2 )吸收光谱及 g 因子研究

从晶体CsMnCl_3 及CsMgCl_3:Mn~(2 )的实际对称性——D_(3d)点群对称出发,采用赵敏光等提出的络合物中Mn~(2 )离子的SCF d_轨道,研究了CsMnCl_3中Mn~(2 )的电子能级和吸收光谱.解释了在18000cm~(-1),18610cm~(-1);21870cm~(-1),23110cm~(-1);26885cm~(-1),27686cm~(-1);30740cm~(-1),31208cm~(-1)等处的分裂是低对称畸变晶体场而产生。并考虑到微扰三级项对Mn~(2 )离子g 因子的贡献,计算了CsMgCl_3:Mn~(2 )晶体的g 因子,g"=2.0022,g(?)=2.0020(实验值g"=2.0017±0.0004;g(?)=2.0016±0.0004),从而解释了引起该类晶体中g 因子微小变化的原因。     

苯乙烯聚合的分子量分布 Ⅰ.全转化率范围的聚合反应速率

研究了100℃、120℃、140℃、160℃热引发苯乙烯聚合反应速率在0～95%转化率范围的变化规律,建立聚合反应动力学模型:R_p=A[M],A=(I/(k_1/k_p~2))~(1/2)=A_0+A_1x+A_2x~2+A_3x~3,(x为转化率,A_0,A_1,A_2,A_3不随x变化,与温度有一定函数关系)。发现链引发反应速率常数的变化规律:二级反应的K_(I2)=0.5390×10~7e~(-13 910/T);三级反应的K_(I3)=1.102 4×10~6e~(-14 094/T)。     

Bi_2O_3——Na_2WO_4体系氧离子导体

1 引言近十多年来,科学工作者对Bi_2O_3基固体电解质的组成、温度与电导率的关系进行了大量研究.高桥武彦等人在Bi_2O_3中掺入各种金属氧化物进行探索,发现了一系列性质优良的氧离子导体.例如:(Bi_2O_3)_(0.75)(Y_2O_3)(0.25)、(Bi_O_3)_(078)(WO_3)_(0.32)等,在923K 时,前者氧离子电导率(σ_0-)为1.1×10~(-2)Ω~(-1)cm~(-1),后者σ_0-为4.1×10~(-2)Ω~(-1)cm~(-1).     

2-Sylow子群的阶及元素最高阶和次高阶与A_8相同的有限群

讨论了群的2-Sylow子群的阶及元素的最高阶和次高阶与A_8相同的有限群.利用群的素图及外自同构群、幂零群的若干性质,得出结论:若群G的2-Sylow子群的阶及元素的最高阶和次高阶与A_8相同,则存在H■G,使得下列结论之一成立:(i)G/H?A_8,|G|=2~6·3~α·5~β·7,其中H为3~(α-2)阶且方指数整除3的幂零群,或5~(β-1)阶初等Abel群,或3~(α-2)·5~(β-1)阶且方指数整除15的幂零群;(ii)G/H?L_3(4),|G|=2~6·3~α·5~β·7,其中H为3~(β-2)阶且方指数整除3的幂零群,或5~(β-1)阶初等Abel群,或3~(α-2)·5~(β-1)阶且方指数整除15的幂零群.由此得到推论:若|G|=|A_8|,K_i(G)=K_i(A_8)(i=1,2),则G?A_8.     

方差估计以及两个方差分量同时估计的可容许性

考虑线性模型 EY_(n×i)=X_(n×)β_(n×i) DY=σ~2V,V≥0,σ~2>0未知 (*)以及方差分量模型 EY_(n×i)=X_(n)β_(n×i) DY=σ_1:V_i+σ_2V_2,V_i≥0,V_2≥0,σ_i,σ_2>O未知 (**)其中γ(X_(n×m)=n,对模型(*)令D={d(A)=Y＇AY,A≥0}损失函数为L~(1)(d(A),σ~2)=σ~(-4)(Y＇AY-σ~2)~2,对模型(**)令D~(2)={d(A_i,A_2)=(Y＇A_iY,Y＇A_2Y),A_i≥0,A_2≥0},损失函数为L~(2)(d(A_i,A_2),(σ_i,σ_2))=σ_i(Y＇A_iY-σ_i)~2+σ_2(Y＇A_2Y-σ_2)~2,本文对模型(*)给出了d(A)为σ~2的D~(1)容许估计的充分条件,对模型(**)给出了在V_i+V_2>0的限制下,d(A_i,A_2)为(σ_i~2,σ_2~2)的D~(2)容许估计的充分条件。分别推广了文[3],[5]中的有关结果。     

分散第二相SiO_2材料对Na_2Mo(0.1) S_(0.9)O_4离子导电性的影响

本文对分散第二相SiO_2材料掺入A_2BX_4型Na~+离子导体(Na_2Mo_(0.1)S(0.9)O_4的离子导电性进行了研究,结果表明,SiO-2含量为4m/o时电导率出现极大(σ=2.14×10~(-4)Ω~(-1)cm~(-1),在315℃时),同时给出了绝缘第二相材料能够提高母体电导率的原因。