莫比乌斯型环多并苯(Mbius[n]cyclacenes,n=7～10)的开壳单态双自由基特性研究

采用密度泛函结合对称性破损(DFT-UBS)方法研究了莫比乌斯型环多并苯(Mbius[n],n=7~10)的结构、稳定性及其开壳单态双自由基特性,为莫比乌斯型单层纳米管材料和自旋器件材料的基础研究提供理论依据。计算结果表明,随着融合六元环数目n的增加,莫比乌斯型环多并苯体系的基态由闭壳型(CS)单态慢慢变为了开壳型(OS)单态;Mbius[7]和Mbius[8]的基态是CS单态;而Mbius[9]和Mbius[10]的基态是OS单态,即Mbius[9]和Mbius[10]的基态具有典型的单态双自由基特征。     

密度泛函理论的OsS_n(n=1～7)团簇结构与稳定性

为了解决锇掺杂团簇的结构构建与稳定性调控问题,采用密度泛函理论计算方法,优化了OsSn(n=1~7)团簇的几何结构,预测了团簇的基态结构,并对基态结构的平均结合能、二阶差分能、离解能和能隙以及成键特性进行了分析讨论。结果表明,当n≤5时,基态结构都以Os为中心呈发散状结构;n5后,则以OsS4基态结构为基础,其余S原子以附加环状结构呈现;OsSn(n=1~7)团簇的能量参数均呈先升后降的变化趋势,其中OsS3团簇的能量参数最大,具有最稳定结构。研究结果确定了锇掺杂硫原子团簇的最稳定结构,可为OsSn(n=1~7)团簇的半导体电子材料合成提供优选方案。     

(HgTe)_n(n=2～8)团簇的基态结构和电子性质

采用密度泛函理论计算,研究了(HgTe)n(n=2～8)团簇基态结构、结合能、能隙、垂直亲和势和二阶能量差分等性质。在广义梯度近似下,对(HgTe)n各种可能的几何结构进行了优化,预测了各团簇的最稳定结构,并对其电子性质进行了计算。研究结果表明:当n=2、n=3时,团簇的最低能量构型是平面结构;当n≥4时,团簇的最低能量结构是三维结构,并且可以看成是由(HgTe)2和(HgTe)3单元组成。(HgTe)n团簇的能隙、垂直亲和势和二阶能量差分表明:(HgTe)3和(HgTe)6是团簇的稳定结构,即n=3和n=6是团簇的幻数。     

AlnN+m(n+m=2～5)团簇的结构与稳定性

用自洽场理论 (HF)在 STO- 3G水平上对 Aln N+m(n+m=2～ 5)团簇的几何构型进行优化和频率计算 .通过对得到的各团簇基态结构的键型、键长以及键角等几何参数进行的分析和讨论表明 Al- N键为主要键型 .对其系统的能量和原子化能的比较和研究发现 ,Al N+m (m>1 )基态结构均为多重度较高的电子态对应的结构 ;在相同原子数时 Aln N+结构最稳定 .     

ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能

通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件.     

静电纺丝制备n型和p型多晶结构ZnO纳米纤维及器件

通过静电纺丝技术制备镧和铈掺杂的p型ZnO纳米纤维,运用SEM对样品的表面形貌进行表征。XRD结果表明,稀土元素掺入了ZnO晶格内,两种掺杂的纳米纤维以ZnO相为主相,拉曼图谱的检测结果也表明铈掺入了ZnO晶格中。伏安特性的检测结果表明,ZnO纳米材料具有良好的光电效应,经掺杂后光电效应变差。典型的场效应曲线检测表明镧及铈掺杂的ZnO是典型的p型半导体材料,经12个月后再次检测证明其具有良好的稳定性。通过二次双层纺丝的方法制备了镧及铈掺杂的ZnO同质结。由p型和n型ZnO组成的同质结表现出非常好的整流效应,开启电压为3V。     

C_（60）@（n,0）与C_（20）@（n,n）的组装与性质——纳米豆荚的量子化学计算与研究

采用从头计算法对锯齿豆荚管C60@（n,0）的结构与电子性质进行量子化学计算,结果表明,在由一条松散堆积的富勒烯链填充的纳米管之费米能级附近电子结构可以近似为这两个已发生固定相对位移组成部分电子结构的叠加.把这种固定的能带位移近似扩展到由一条密堆积C60链严格填充的（n,0）纳米管中,在电子性质方面会出现一种从半导体（n=17）到金属（n=18～19）的戏剧性变化.并且有报道C60填充（17,0）半导体纳米管所形成的导带上之精细双峰结构已被观察到.这种理论上最小的纳米豆荚其直径为1.064nm.     

新型二维ZnO/InSe纳米复合材料电子结构与光催化性能的第一性原理研究

基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维ZnO/InSe异质结的电子结构和光催化性能。计算结果表明,二维ZnO/InSe异质结的晶格失配率为3.3%,形成能为-2.43eV,表明异质结的结构稳定。异质结表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为0.51和1.34eV,能够有效降低电子和空穴的复合率,提高ZnO/InSe异质结的光催化性能。二维ZnO/InSe异质结是带隙值为2.23eV的直接带隙半导体材料,对应有良好的可见光吸收范围,且光吸收系数高达10~5 cm~(-1),能够进一步提升光吸收效率。此外,异质结的带边位置分别跨过水的氧化还原电位,可用于光解水制备氢气。因此,二维ZnO/InSe异质结是一种有前景的可见光光催化材料。     

ZnO荧光薄膜的发光机理研究

氧化锌是宽禁带（33eV）直接带隙n型半导体材料,并具有较高的的激子束缚能（60eV）。这使其成为紫外激光器和真空荧光显示的理想材料。在荧光显示方面,人们比较关注的是ZnO薄膜蓝-绿光发射特性,以便使其作为绿色荧光材料应用于平板显示领域。本文主要探讨了ZnO的发光机理。     

HgmSen (m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇的结构与光谱性质

本工作采用LANL2DZ赝势基组及B3LYP方法对HgmSen(m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇微观结构和电子性质进行了计算,并用含时密度泛函理论（TD-DFT）计算吸收光谱,得到了基态结构、电子性质、结合能、能隙和偶极矩等微观性质,分析了前线分子轨道特征、指认了全部简谐振动模式、吸收光谱性质。结果表明：当m+n=1~3时,以线型和角型为基态稳定构型,m+n=4~5时,环状为基态稳定构型,且HgSe2团簇分子较其它组成的团簇分子稳定性最强、结合能最大、能隙最小。HgmSen(m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇都有较好的电子供体和受体等活性部位,导电性良好。不同组成的各团簇的最大吸收波长λmax值呈现的规律性不强,但对于相同组成的团簇分子与其相应正负离子间,出现显著的红移或蓝移现象。本结果可为今后实验及应用研究提供重要理论参考,有助于深入理解实验现象的本质及更好认识大块凝聚物质的某些性质和规律。     

关于方程x~(n/(n 1)) y~(n/(n 1)) z~(n/(n 1))=a~(n/(n 1))的图形特征

本文给出形如方程n/x~(n 1) n/y~(n 1) n/z~(n 1)=n/a~(n 1)(a>0)的图形的一个共同特征,并得到一个逆定理和一些应用.     

完全四部图Kn,n,n,n（n为奇数）的竞赛数

本文中,我们给出了关于完全四部图Kn,n,n,n（n为奇数）的竞赛敷的一些结论： k（Kn,n,n,n）{=1,当n=1时,=4,当n=3时,=n^2-4n＋8,当n=2m＋3（m=1,2,…）时     

关于不定方程（a^nx^m±1）／（x^nx±1）=y^n

证明了方程(anxm±1)/(anx±1)=yn没有x是一个n次完全幂的整数解(a,x,y,m,n),推广了乐茂华的结论(xm-1)/(x-1)=yn没有x是一个n次完全幂的整数解(x,y,m,n).     

C^n中Bergman型算子的有界性

研究了Cn中单位球上混和赋范空间中一个Bergman型算子的有界性,得到了(1)若T是Lp,q（Φ）上的有界算子,则m≥－b;(2)若t＞b＞a＞－m,则T是Lp,q（Φ）上的有界算子．     

完全四部图Kn,n,n,n（n为偶数）的竞赛数

本文利用ECC来给出关于完全四部图Kn,n,n,n（n为偶数）的竞赛数的一些结果：k（Kn,n,n,n）{=2,当n=2;≤n2-7n/2＋7,当n=2m＋2（m=1,2,…）.     

关于同余式nσ(n)≡m(modφ(n))

对任给定正整数m，证明了当4トm时同余式nσ（n）≡m（modφ（n））的解数有限。     

正丁醇—正十六烷的固液相平衡与正丁醇的自缔合

测制了正丁醇—正十六烷的固液平衡相图，属简单低共熔混合物类相图．计算出体系在２９８．１５Ｋ的摩尔过量吉布斯自由能ＧＥｍ，其最大值为１７８３Ｊ·ｍｏｌ－１．用Ｗｉｅｈｅ－Ｂａｇｌｅｙ（ＷＢ）模型进行处理，得到正丁醇的自缔合常数ＫＡ，２９８．１５Ｋ正丁醇在正十六烷中ＫＡ的值为１１８     

关于方程φ(n)+σ(n)＝3n的一个注记

证明了对1≤s＜r－2，如果q＝7     

n×n矩阵环的多项式恒等式

基于泛矩阵代数的理论和矩阵环的楼梯方法,用交错或对称的多项式构造Mn(C)的恒等式和中心恒等式,这些结果是Formanek关于Mn(Z)的恒等式和中心恒等式的推广.     

零因子个数为n,阶数为(n~2)/2的环

证明了具有ｎ（＞２）个左（右）零因子的环Ｒ,当｜Ｒ｜＝ｎ２２时,必有ｎ＝２ｓ＋１（ｓ∈Ｎ）,｜Ｒ｜＝２２ｓ＋１,且Ｒ的特征是２,４或８．又当Ｒ是特征为２的可换环时,Ｒ只能是有４个零因子的８元环．