PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数，计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的，对实验结果进行了物理本质的初步探讨。     

限流用陶瓷及有机PTCR元件的可靠性研究

对用于程控交换机的陶瓷和有机ＰＴＣＲ限流元件进行了温度循环，电流冲击及耐雷击波冲击等几项可靠性试验，对两种限流元件失效的理化模型进行了初步的分析，在失效判据电阻变化相同及试验频率相同的情况下，陶瓷元件寿命优于有机ＰＴＣＲ元件。     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

还原气氛热处理对BaTiO3热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐｏ２｝ｐａ＝－４．１１０６￣－０．４０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究。结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率。     

用热处理方法降低PTC陶瓷发热体的电阻值

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

有效介质理论与金属—陶瓷复合材料PTC效应

用有效介质理论对金属－陶瓷复合材料的ＰＴＣ效应进行定量分析。通过将ＧＥＭ方程应用于金属－陶瓷二相复合系统的电导率分析，发现所得到的方程与实验结果及有关工作基本相符。从而探明了提高金属－陶瓷复合材料的ＰＴＣ效应的有效途径。     

低电阻率PTCR热敏陶瓷材料的研制

采用草酸盐和铵盐溶液法制备ＰＴＣＲ热敏陶瓷的前驱体（Ｂａ＿ｘＳｒ＿（１－ｘ））ＴｉＯ＿３和（Ｂａ＿ｙＰｂ＿（１－ｙ））ＴｉＯ＿３，加入半导化剂Ｓｂ＿２Ｏ＿３、或Ｎｂ＿２Ｏ＿５，以及ＡＳＴ剂（Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２和ＴｉＯ＿２）等，研制成功低电阻率（ρ≈１０Ω．ｃｍ）　的ＰＴＣＲ热敏陶瓷产品。     

2，4－二硝基五环［4．3．0．0~（2，5）．0~（3，8）．0~（4，7）］壬烷~1H和~（13）C NMR的完全归属

利用１Ｈ－１ＨＣＯＳＹ，１３Ｃ－１ＨＣＯＳＹ，１３Ｃ－１Ｈ远程ＣＯＳＹ以及选择性远程ＤＥＰＴ１３ＣＮＭＲ谱，对２，４－二硝基五环［４．３．０．０２，５．０３，８．０４，７］壬烷的１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱进行了完全的归属．     

程控交换机过电流保护元件的研制

介绍了低电阻率陶瓷ＰＴＣ的设计方法及研制过程，并按照邮电部行业标准对这一实用课题的研制结果进行了分析与讨论．生产的实践证明，用国产原料、国产设备完全可以生产出这类难度较大的自复性过流保护元件．     

使用铝电极的BaPbO3陶瓷的PTCR效应

为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数(PTCR)的高居里点陶瓷材料,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料．实验发现,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率,且呈现出和金属导体一样的电导体特征;使用铝电极的BaPbO,基陶瓷体表现出PTCR特性,并且这种特性可以通过调整掺杂物的量进行改善．利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对陶瓷的微观结构进行了表征．微观结构分析表明,一薄层的烧结陶瓷表层为具有金属性质的正交结构BaPbO,纳米相,并由此使其表现出极低的电阻率;具有PTCR特性的陶瓷体内部是由具有畴结构的铁电相组成,所以除去烧结陶瓷表层后,喷镀铝电极的陶瓷体表现出正电阻温度效应．     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

改性剂Sb对BaTiO3基PTCR陶瓷电学性能的影响

以溶胶－凝胶一步法合成了含有改性剂Sb的BaTiO3基正温度系数电阻（positive temperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷,着重讨论了改性剂Sb掺杂量的变化对PTCR陶瓷电学性能的影响。结果表明,随改性剂含量的增加,材料的室温电阻率（ρ室）、电阻－温度系数（α）、耐电压强度（VB.max)均呈现“W”形变化。     

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...     

施主杂质引入方式对BaTiO3材料PTCR效应的影响

采用了不同的施主掺杂方式，通过过剩施主的一次和二次掺杂材料的室温电阻率和PTCR效应的研究，从缺陷化学的角度，讨论了引入方式与施、受主相互补偿机制的关系和对材料电学性能的影响。     

钛酸钡粉体的表面包覆与电子陶瓷改性

为实现改性杂质与钛酸钡粉体的均匀混合，达到对材料微结构、相结构和电学特性的准确控制，对水热纳米晶钛酸钡粉体进行了改性杂质的非均匀形核表面淀积包覆．文中利用包覆Y（OH），后的钛酸钡粉体在水中的毛细管浸润性得到改善、以及两种工艺方法制备的粉体在液一固分离离心过程中离心转速对液一固分离率的影响，判断Y（OH），对钛酸钡粉体的包覆效果；探讨了掺杂工艺对Y掺杂钛酸钡陶瓷半导化和室温电阻率的影响，以及用非均匀形核表面淀积包覆工艺制备的陶瓷PTCR和细晶介质陶瓷的性质．润湿性实验显示，利用表面淀积包覆工艺确实能获得良好的包覆效果．     

高性能PTCR陶瓷材料的制备

采用正交试验法设计实验,用溶胶－凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 ＰＴＣＲ（Ｐｏｓｉｔｉｖｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 ４种元素掺杂量的改变和烧结制度的改变对ＰＴＣＲ陶瓷材料性能的影响,结果在一定的锰掺杂物浓度范围内,只要各掺杂物彼此搭配合理,利用较高受主浓度掺杂也能获得高性能的低阻 ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

高功率半导体激光器的电噪声

对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相 同缺陷源的产生复合噪声（g-r噪声）进行了研究. 实验结果表明, 如果老化电流远高于阈 值电流I_th, 爆破噪声和g-r噪声将会被引入, 甚至会出现多重g-r噪声. 通过 对比样品老化前后光电导数的特征参量发现, 老化后产生爆破噪声和g-r噪声的器件为失效 器件, 表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g-r噪声 . 通过缺陷能级理论和p-n结势垒高度变化, 讨论了爆破噪声、 g-r噪声及多重g-r噪声 产生的原因.     

CeO2掺杂KNN-LiSbO3无铅压电陶瓷的压电性能研究

利用传统固熔烧结法研究了Ce掺杂的95KNN-5LiSbO3无铅压电陶瓷（简称KNN-LS）的微观结构、压电性质、老化率和防潮性能。实验结果显示,掺杂CeO2对KNN-LS陶瓷在烧结温度、质量损耗、压电性质和微观结构有特殊的影响规律,本文从微观反应机理上对其做了解释。成功制备出高压电常数（255pC/N）、高致密度（98.1%）、低老化率和高防潮性能的无铅压电陶瓷样品,表明这是一种很有应用潜力的无铅压电材料。