砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。     

碱金属锂蒸气中新的红外辐射带(b3∑g+-x3∑u+)

Konowalow等人首先从理论上预言了在钠和锉的双原子分子里获得b³∑_g⁺-x³∑_u⁺的受激辐射^[1,2].文献[3]在钠蒸气里观察到b³∑_g⁺-x³∑_u⁺辐射带,但是至今尚未见到关于Li₂(b³∑_g⁺-x³∑_u⁺)辐射带的报道.     

等离子体改性聚合物表面动力学的动态接触角法研究

详细研究了有关高分子材料的动态接触角.对于未处理高分子材料,其前进接触角都大于后退接触角,有滞后现象主要是由于材料表面化学组成不均匀性引起的.经CF₄/CH₄等离子体处理后,使得前进接触角增大而后退接触角变化幅度较小,滞后程度增大是由于表面化学组成不均匀性增大引起的.聚合物薄膜经CF₄/CH₄等离子体处理在浸水过程中,表面动力学衰减常数随等离子体处理条件CF₄(%)的变化而变化,可将整个浓度区域分为三个区域,这是由于各区域内等离子体作用机制和改性聚合膜的性质不同而引起的.预先经CH₄等离子体处理的表面动力学衰减常数普遍小于未经CH₄等离子体前处理的表面动力学衰减常数,证实了高度交联的炭阻挡层可在一定程度上阻止表面动力学的运动.     

基于Y2O3∶Tm3+, Eu3+荧光粉FIR线性变化的光学温度传感特性研究

以尿素为沉淀剂,采用均相沉淀法制备了Tm³⁺、Eu³⁺共掺杂的Y₂O₃荧光粉.X射线衍射仪表明样品为体心立方结构,扫描电子显微镜观测到亚微米级球形颗粒.测得了样品的温度依赖性发射光谱,发现Eu³⁺表现出正常的热猝灭趋势,而Tm³⁺有缓慢的热增强现象.随着温度变化,Tm³⁺和Eu³⁺的荧光强度比(FIR)呈现线性上升趋势,可用于温度的表征.样品的最大相对灵敏度(S_r)为0.423%K^-1(303 K).温度循环测试表明,Tm³⁺和Eu³⁺的FIR具有良好的可重复性,适用于温度传感领域.     

金属离子和氧化剂对4-氯酚光化学降解的影响

在实验条件下,Mn²⁺/Fe²⁺/Cu²⁺/Zn²⁺/Al³⁺/Y³⁺/La³⁺(特别是Y³⁺和La³⁺)、KMnO₄/K₂S₂O₈/KClO₃/KClO₄/KBrO₃/KIO₃对4氯酚光化学降解起加速作用,且随其浓度增大而增强.KIO₄对4氯酚光化学降解起抑制作用,且随其浓度增大而增强.KClO₃/KBrO₃+Y³⁺对4CP光化学降解的加速作用更为显著.无光照时,KMnO₄、KIO₄+Mn²⁺/Fe²⁺都能够使4氯酚立刻发生化学降解,尤其以KMnO₄、KIO₄+Mn²⁺的作用更为显著.     

基于适配体的荧光生物传感器对Hg2+的检测技术研究

工业迅速发展所带来的重金属污染，是目前威胁人类健康的重要环境问题之一。Hg²⁺是一种毒性强且污染较为普遍的重金属离子，较低浓度Hg²⁺就会对人体造成很大危害。基于核酸适配体错配结合Hg²⁺的原理，以特异性双链核酸染料SYBR GreenⅠ为荧光指示探针，构建了新型的无标记核酸适配体荧光生物传感器，建立了一种高灵敏度、快速检测Hg²⁺的方法，实现了Hg²⁺高效检测。在优化条件下，传感器对Hg²⁺的检测线性范围为10 nmol/L～1μmol/L,相关系数(r²)为0.99,检出限为1 nmol/L。5种干扰离子(Ca²⁺、Fe²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Ag⁺)的存在不影响Hg²⁺检测，表明该方法对Hg²⁺检测具有较好的特异性。在自来水样的Hg²⁺加标检测实验中，平...     

ITO复合电极在Pb2+检测方面的应用

以金纳米粒子和多壁碳纳米管(MCNT)修饰的ITO玻璃为工作电极，铂片和饱和甘汞电极(SCE)分别作为对电极和参比电极构筑了针对Pb²⁺检测的化学传感器。采用方波溶出伏安法(SWSV)对构筑的化学传感器的灵敏度、稳定性、抗干扰能力进行了评价。研究结果表明，所构建的针对Pb²⁺检测的化学传感器的灵敏度为0.112 93 mA/mmol/L,Pb²⁺的校准曲线方程为Y=0.112 93X+8.153 1,相关系数(R²)为0.97,检测限为1.6μmol/L;抗干扰实验结果表明，Zn²⁺、Cu²⁺、Cd²⁺、Ag⁺4种金属离子对Pb²⁺的检测干扰较小；此外，稳定性实验结果表明，所构建的针对Pb²⁺的化学传感器具有优异的稳定性。该化学传感器适用于对自来水中的Pb²⁺的含量进行检测。     

多维数据集的一种高效层次聚集存储结构

根据多维数据集模式中维的层次性提出了层次式B⁺树(hierarchical B⁺ tree,HB⁺ tree)与层次聚集CUBE (hierarchical cluster CUBE,HCDC)的概念,并应用于多维数据集数据的保存与查询中.利用保存的层次信息,对多维数据集查询与更新效率进行了优化,且支持多维数据上的上钻、下钻、旋转操作,且层次存储结构也使得多维数据集模式更新操作成为可能,从而更好地满足实际应用.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

2-氨基芴缩邻香草醛荧光探针的合成及对锌离子的检测

以2-氨基芴和邻香草醛为原料,成功合成了席夫碱荧光探针2-氨基芴缩邻香草醛(L)并对其进行了光谱和结构表征。实验结果表明,该探针的荧光强度与Zn²⁺浓度在1×10^-5～15×10^-5 mol·L^-1具有良好的线性关系,检测限可达4.32×10^-8 mol·L^-1。通过Job曲线确定L-Zn²⁺配位比为2∶1,由Benesi-Hildebrand方程得出L-Zn²⁺配位常数为2.2×10⁸。L与Zn²⁺配位后有效改善了略扭曲的L分子的共平面性,荧光性能较L大大增强。因此,荧光探针L可实现裸眼识别Zn²⁺,抗干扰性良好,灵敏度高,合成及检测方法简便可靠,为检测环境体系中的Zn²⁺提供了依据。     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

离子迁移LiNbO3光波导中Ag、Tl的XPS分析

本文对电场增强离子迁移法制作的LiNbO₃光波导^[1]样品作了不同于已有分析方法^[2,3]的X光电子能谱(XPS)分析,对不同模数正、负波导面上的Ag、Tl、Nb、O等元素进行了测定,并对波导层中所含的Ag、Tl离子进行了剖面分析.分析结果表明:电场增强离子迁移法制作的LiNbO₃波导中,Nb⁵⁺没有变价.正波导面上Ag离子的含量随盐浴时间的延长而增加,而负波导面上则无此规律.剖面分析结果表明,Ag⁺、Tl⁺离子内迁的深度为500~2500(Å);正波导面的离子分布呈现一个台阶然后再以余误差分布下降,负波导面的离子分布为余误差分布;与光学测量计算结果比较,离子内迁深度不超过波导层的1/10.     

Fe3O4生成过程的研究

化学共沉淀工艺制备Fe₃O₄的磁性与沉淀剂、混合方式、溶液浓度、Fe⁺⁺与Fe⁺⁺⁺、Fe⁺⁺与OH^-1离子的克分子比率等密切相关.当碱性溶液缓慢滴入Fe⁺⁺,Fe⁺⁺⁺混合溶液中时,Fe₃O₄的生成过程大致上分为两个阶段.     

强脉冲电子束引发气相沉积过程的研究

近年来,随着等离子体技术的迅速发展,等离子体化学气相沉积在微电子、超导、光纤通讯等新技术领域里被广泛用于材料表面改性,制备各种具有特殊性能的薄膜等.作者在这方面作了一些有意义的工作.本文将介绍一种类似于激光产生化学气相沉积的新手段,即在低压气体环境中,利用强脉冲电子束轰击靶物质,在衬底表面生成固体薄膜的实验结果,以及用AES,ESCA.电子显微镜等分析手段观察,探讨样品表面的化学组成和结构变化.     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

六角晶系铁氧体中的稀土离子置换

用草酸盐共沉淀工艺制备了六角晶系铁氧体,并用稀土族元素离子R (La、Ge、Gd)代换Ba²⁺,研究了稀土离子在六角晶系铁氧体中的最大代换量以及对磁性与生成相图的影响.     

X射线粉末衍射法对不同含水量NaY分子筛结构的探讨

对不同含水量的样品,用12kW高功率转靶X射线粉末衍射仪阶梯扫描,收集S(H²+K²+L²) ≤ 384的全部衍射线强度.以傅立叶和差值傅立叶电子密度函数法测定各样品骨架原子、钠离子、水的位置和占有率粗值,再用最小二乘法修正全部结构参数,使R值在0.16以下.由坐标参数计算了晶胞中各离子、原子间的键长数值.     

金属镁原子簇离子碎片的二次离子质谱研究

由于SIMS分析具有很高的表面检测灵敏度,可以检测超轻元素和用作同位素分析,特别是它能检测以电离态形式存在的靶材料的原子簇碎片,因而可比其它许多表面分析方法(诸如AES和XPS)更直接地提供有关这些离子碎片构型的信息.本文通过把对清洁的金属镁表面进行SIMS分析的实验结果,同我们用量子化学从头计算法对镁的某些原子簇离子的稳定性计算结果相比较,从实验和理论两方面探讨了金属镁在熔盐中的化学结构和形成原因,为熔盐-液体金属的相互溶解作用提供了有参考价值的信息.     

Y-Gd-Ca-V-InIG系的磁性和穆斯堡尔效应的研究

本文实验研究了Y_1.2Gd_1.2Ca_0.6V_0.3In_xFe_4.7-xO₁₂(x=0,0.2,0.4,0.6和0.8)的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应,并用Néel,Gilleo和Dionne理论分别计算了材料的饱和磁矩和居里点,结果表明实验与Gilleo理论(居里点)和Dionne理论(饱和磁矩)符合较好.由唯象理论讨论了铁磁共振线宽在3.6~17GHz频段内随频率呈线性增加的实验结果.由顺磁穆斯堡尔谱间接确定了V⁵⁺和In³⁺离子在四面体(d)和八面体(a)晶位的占位.