利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.     

双量子阱结构有机电致发光器件

报道了采用双量子阱结构制备的一种新型的黄光有机电致发光器件.器件结构为:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Alq3:Rhodamine B/Alq3/Alq3:RhodamineB/AlqJLiq/Al,当Rhodamine的掺杂浓度为1.5wt%时,得到最大电流效率1.526cd/A,最大发光亮度为1300cd/m2的黄光有机电致发光器件.     

DCM染料掺杂对有机电致发光磁效应的影响

制备了DCM染料掺杂的有机电致发光器件ITO/NPB/Alq3： DCM/Alq3/ LiF/Al, 研究了15 K-R.T.（室温）温度范围内, 器件的电致发光随磁场的变化关系（即电致发光的磁效应）. 发现电致发光的磁效应由低场（0≤B≤40 mT）效应和高场（B≥ 40 mT）效应两部分组成. 室温下, 对于未掺杂的参考器件, 发光在低场部分随磁场的增加迅速增强, 高场部分随磁场的增加缓慢并逐渐趋于饱和. 而对于掺杂器件, 尽管发光在低场部分随磁场也迅速增强, 但高场部分却在低场增加的基础上出现下降. 器件的注入电流越大, 发光在高场下降越明显. 低温下（T ≤150 K）, 尽管未掺杂器件电致发光的磁效应的高场部分也出现减弱趋势, 但掺杂样品的高场部分受温度的影响要远弱于未掺杂样品的结果. 基于掺杂引起的能级陷阱效应, 通过讨论外磁场作用下的三重态激子淬灭过程, 我们对实验结果进行了定性解释.     

Electroluminescent property of tetrakis(phenyl)porphyrin carbonyl ruthenium(Ⅱ)

Luminescent tetrakis(phenyl)porphyrin carbonyl ruthenium (Ⅱ) (RuTPPCO) complex was employed as a doped emitting material to fabricate red organic electroluminescent (EL) devices. The EL device structure was [ITO/copper phthalocyanine (Cu-Pc) (15.0 nm)/N,N′-di(α-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4, 4′-diamine (NPB)(60.0 nm)/tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3):RuTPPCO (50.0 nm)/LiF (1.0 nm)/Al (200.0 nm)]. The codeposited films of Alq3:RuTPPCO were utilized as the emitting layer to construct EL devices. Experimental results showed that energy transfer from Alq3 to RuTPPCO occurred in the codeposited films. The EL property of the codeposited Alq3:RuTPPCO films with different RuTPPCO concentrations was described. For the EL device with the RuTPPCO concentration of 15% by weight, deep red electroluminescence at 656 nm with the maximum EL efficiency of 0.32 cd/A was achieved.     

激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响

制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3（发射绿光）/Alq3：DCM（发射红光）/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光（Magneto-ElectroLuminescence,MEL）和磁电导（Magneto-Conductance,MC）.在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场（B50mT）效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼长的现象,表明激子复合区域随温度变化发生了移动.通过分析工作温度对器件各发光层中的三重态激子对间相互作用及载流子迁移率的影响,对双发光层器件中MEL的高场效应随温度的非单调变化进行了定性解释.实验结果进一步验证了在单发光层器件中得到的有机磁效应高场变化的相关结论.     

掺杂浓度对四苯基卟啉掺杂电致发光器件的发光性能影响研究

以8-羟基喹啉铝(Alq3)为主体发光材料,四苯基卟啉(TPP)为掺杂染料,制备了5种不同摩尔掺杂浓度(0．5％、1．0％、1．5％、2．0％、2．5％)的掺杂电致发光器件,考察了掺杂浓度对其器件的电致发光光谱、色度、亮度和发光效率的影响;并结合掺杂器件的发光机理,对实验结果进行了分析和讨论     

金属-有机-金属电激发表面等离激元器件

在p型硅衬底上,制备了金属有机金属(metal-organic-metal,MOM)电激发表面等离激元器件。器件结构是p-Si/Au/V2O5/NPB/Alq3:DCM/Sm/Au,掺杂DCM的Alq3为发光层。高倍显微镜下,器件侧面发光图像显示,绝大部分光被限制在双金层结构波导中传播。采用微区共焦拉曼光谱仪,分别测量了侧面出射的非偏振模式、TM模式和TE模式电致发光谱。TM模式强度约为TE模式强度的2倍。分析认为,具有TM偏振特性的表面等离激元(surface plasmon polariton,SPP)在侧面电致发光中起重要作用。发光体的能量耗散谱表明SPP模式能量约占总能量65%。利用时域有限差分法(finite-different time-domain,FDTD)对简化结构进行模拟,得到了泄漏模和SPP模式的二维电场强度分布。     

一种白色有机电致发光器件的发光和电学性能

以铟锡氧化物(ITO)玻璃基片为衬底,8-羟基喹啉锂(Liq)掺杂红荧烯(Rubrene)作为单一发光层,制备结构为ITO/PTV:TPD/Liq:Rubrene/Alq3/Al的白色有机电致发光器件(OLED),对4种不同掺杂浓度器件进行比较,分析了掺杂剂对器件发光亮度的影响,并对上述器件的发光和电学性能进行了研究和探讨.     

金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝（Rb—Alq3）薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为，结果表明铷和Alq3分子发生显著反应，电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道，形成活泼金属／有机接触中典型的带隙态，结合能位于1．2eV．在低温退火后，Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0．1eV，真空能级保持不变，带隙态仍然可辨；深度氧化后，带隙态消失，最高占据态（HOS）基本回到退火氧化处理前的位置，但真空能级抬高了近1ev．Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1eV，而纯净Alq3薄膜只增大0．05eV左右．     

NPB/Alq_3有机发光二极管的光学模拟

采用偶极子源项和转移矩阵来描述结构内外的光电场分布,并通过Matlab编程,建立了符合有机发光二极管(OLED)实际器件的光学模型。利用该光学模型进行模拟计算具有NPB/Alq3结构的OLED,得到了电致发光(EL)光谱与器件中光出射角之间的关系并结合人眼视觉函数,得到器件亮度与角度的关系,当出射角度逐渐增大时,亮度逐渐减小。另外,制备了不同8-羟基喹啉铝(Alq3)电子传输层厚度的器件,并测量其电致发光光谱,发现模拟计算的理论光谱与测量结果相吻合。并且还发现随着Alq3有机层厚度增加,OLED电致发光光谱的峰位会发生一定的红移。     

LED器件热管理分析方法及其应用

发光二极管(LEDs)是三明治结构的半导体材料。LED芯片是产生光和热量的核心功能器件,但累积的热量会严重影响LED的光学性能。因此,热管理在LED的封装和应用中十分重要。综述了一些现有的热故障。为了有助于进一步理解热管理,介绍了LED封装、热阻网络系统以及传热强化技术,以及通过降低热阻来实现有效温度控制的方法。     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.     

表面等离激元调控自发辐射研究进展

表面等离激元可以有效地调控自发辐射体的内量子效率和外量子效率,为发展高效新能源提供了可行的方案。特别是近年来,国内外研究人员将该技术应用到固体发光器件中,取得了许多有价值的研究成果。基于这些研究成果,文章介绍了表面等离激元调控固体发光器件自发辐射的原理和实验进展。     

含PPV结构的电致发光材料

评述了含PPV(聚苯乙炔)结构的高分子型电致发光材料近几年来的研究进展工作,并对这类材料的分子设计做了简要展望.介绍和引用了有代表性的文献31篇.     

有机发光材料专利分析以及中国企业的应对策略

有机发光二极管(OLED)作为一种新型显示技术,因其在显示领域内的巨大应用前景而引起广泛关注。本文对OLED所使用的有机发光材料的专利保护状况进行了调查和分析,并据此提出了中国企业的应对策略。     

GaP：N发光二极管深能级对发光特性的影响

测量了ＧａＰ：Ｎ绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱．从谱中可见，老化后的５９０ｕｍ和１２６０ｕｍ发光带的发光强度较老化前明显增强，６５０ｕｍ有新的发光带．研究了老化产生的深能级的来源及对ＬＥＤ发光特性的影响．     

主链含冠醚的交替共聚物的合成及其发光电化学池的性能

采用分子设计的思想,合成了一种分子主链由离子传导链段--24-冠-8和共轭发光链段--1,5-二苯乙烯基萘组成的新型交替结构的发光聚合物,并用多种手段对其结构进行了表征.实验结果表明,该聚合物具有优异的溶解性能,可以溶于苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、乙腈等诸多有机溶剂中,并均可采用旋转涂覆法形成均匀、透明、几无针孔的薄膜.并采用该聚合物成功地制备了结构为ITO/PEDOT/聚合物 LiCF3SO3/Al和ITO/PEDOT/聚合物 LiCF3SO3 PEO/Al的2种发光电化学池器件.     

Stability study of saturated red polymer light-emitting diodes

Saturated red polymer light-emitting diodes have been fabricated with a single emitting polymer blend layer of poly[2-(2-ethylhexyloxy)-5-methoxy-1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV) and poly[9,9-dioc- tylfluorene-co-4,7-di-2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole] (PFO-DBT15). Saturated red emission with the Commission Internationale de l’Eclairage (CIE) coordinates of (0.67, 0.33) was obtained. The device stability was investigated. The results showed that energy transfer occurred from MEH-PPV to PFO-DBT15, and MEH-PPV improved the hole injection and transportation.     

含联吡啶结构单元的超支化发光聚合物的合成

利用Wittig-Horner方法合成了一种新的联吡啶基π-共轭分子,将其作为n-型发光单元（A2单体）,同时将溶解性较好的丁氧基二取代的二苯乙烯基苯作为p-型发光单元（A′₂单体）,采用A₂＋A′₂＋B₄的路线合成了一类新型的部分共轭型超支化发光聚合物。采用红外、核磁共振等手段对产物的结构进行了初步表征,用差示扫描量热仪（DSC）、热失重仪(TGA)、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）和荧光分光光度计等仪器对产物的性能进行了研究。结果表明,相比于同类的线性聚合物聚对亚苯基乙烯,该聚合物具有优良的热稳定性、更高的玻璃化转变温度,在氯仿,四氢呋喃等溶剂中均具有优良的溶解性能,尤其是呈现出特有的光物理性能。