高压电气设备交流耐压试验中的特殊情况研究

高压电气设备交流耐压试验,在电路安全性、稳定性检验中,发挥着基础性作用。基于此,本文结合高压电气设备交流耐压试验的相关理论,着重对常见的高压电气设备交流耐压试验特殊情况以及处理措施进行分析,以达到合理把握技术实践要点,优化电力供应线路结构的目的。     

交链聚乙烯电缆的超低频耐压试验

介绍了0.1Hz超低频耐压在降低试验容量以及有效发现电力电缆缺陷等方面的优点。详细介绍了0.1Hz超低频耐压设备的工作原理以及0.1Hz超低频高压发生器在现场XLPE电力电缆耐压中的应用。     

双管串联的功率变换器控制电路研究

结合一高频高压开关电源实际课题，针对高压输出情况下功率管的耐压问题，提出了在功率变换级采用双管串联反激组态电路解决功率管耐压这一有效措施，并对功率变换级采用双管串联反激组态的开关电源控制电路进行了实验研究。     

交联电缆变频串联谐振耐压试验方法探讨

列举了交联电缆直流耐压试验的缺点,论述了变频串联谐振系统进行高压电力电缆谐振耐压试验的基本原理,并通过采用变频串联谐振系统在工程实践中的应用实例,论证了变频串联谐振方法在交联电缆现场交流耐压中的效果和可行性。     

结合工程探讨直流耐压试验技术

电气工程中交流及直流耐压试验的比较，在电气安装中的运用非常广泛，对电缆、高压特性开关、避雷器、互感器、高压盘柜、绝缘子等都要进行预防性耐压试验来鉴定它们的合格程度，以判断设备能否投入运行，来提高工程进度，降低工人的劳动强度。     

橡塑电缆的交流耐压试验

本文简单叙述几种高压试验设备的工作原理及优缺点，通过最近的一次施工中遇到的一务长距离交联聚乙烯橡塑电缆的交流耐压试验，在我公司现有单套试验设备容量不能满足该条电缆的交流耐压试验时，提出用两套小容量变频谐振高压试验系统并机，做大电容量橡塑电缆的交流耐压试验。目的在于加深对变频谐振串联试验系统原理的理解，灵活的应用现有试验设备，使其充分发挥最高效能。     

漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型

为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构．利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度．借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31％．在相同耐压下比导通电阻降低了34．8％．     

GIS调频式串联谐振耐压试验方案研究

为了检查220 kV六氟化硫组合电器安装后的绝缘性能,详尽阐述了对其进行交流耐压试验的步骤与操作方法,试验时特别要注意以下事项:试验前应对相关人员进行培训,促使其加强自我保护意识,对于未现场操作过高压耐压试验的调试人员,要在具有相关资质人员的指导下进行;耐压试验过程中要注意环境湿度与气体、粉尘对设备绝缘性能的影响,试验...     

单端反激式高频高压开关稳压电源

结合一实际课题,对单端反激式高频高压开关电源进行了系统的设计和实验性研究。针对高压输出情况下功率管的耐压问题,提出了在功率变换级采用双管串联反激组态电路解决管子耐压这一有效措施;文中给出了主电路,尤其是主电路变压器的详细设计步骤,并给出实际的元器件参数;成功研制出一台输入220V,输出2000V／3mA的样机。样机实验证明了分析和设计的正确性。     

获得高耐压P—n结的有关工艺技术

从节省能源的意义出发,大功率硅整流元件和晶闸管的制造及应用在国民经济中占有不可低估的作用。元件的高压化、大电流化、快的开关速度化将成为今后大功率半导体器件的明确发展方向。在高耐压化、大电流化、快的开关速度化特性中,其中高耐压化受工艺技术难度的影响比较大。目前,就国际水平范围内,超4000伏耐压也还很不普遍。为了突破大功率半导体元件高耐压的问题,我们的实验室试做了3000—4000伏耐压的 p-n 结,并以此为基础,对有关工艺技术问题做些探讨。     

全桥DC-DC变换器中SiC器件损耗分析

目前以碳化硅(SiC)MOSFET为代表的第三代宽禁带半导体有着高工作频率、低开关损耗、耐热性高等优点,可以有效的降低DC/DC变换器的整体损耗,提升电能转换效率。在以金属氧化物半导体场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)作为开关器件的全桥DC-DC变换器中,软开关技术的使用虽然会导致循环电流和较大的电流纹波,产生额外的损耗,但一般该损耗远低于开关损耗,可以有效降低变换器整体损耗。但对于SiC MOSFET全桥DC-DC变换器,碳化硅器件的开关损耗很低,可能会低于软开关技术的额外损耗,因此软开关技术在SiC MOSFET中的有效性面临挑战。本文采用英飞凌官方提供的型号为IMZA120R014M1H的SiC MOSFET的PLECS热仿真模型,对其在全桥DC-DC变换器中的软开关和硬开关损耗进行了全面的仿真实验和分析,以探究软开关技术在SiC MOSFET全桥DC-DC变换器中的有效性,同时提供一种变换器开关损耗和总体损耗研究的方法。实验结果表明,在100kHz的SiC MOSFET主流工作频率下,软开关开关损耗和总体损耗仍旧远低于硬开关,软开关技术在基于SiC器件的全桥DC-DC变换器中仍旧具有重要的作用和意义。     

单端反激变换器的状态空间平均模型的建立

结合一高频高压开关电源实际课题,采用状态空间平均法建立了单端反激式开关电源的状态空间平均模型和传递函数,可用于这类电源的稳定性分析     

单端反激式高频高压开关电源的数字仿真研究

结合一高频高压开关电源实际课题,建立了单端反激式电源系统的ＰＳＰＩＣＥ仿真模型,并对单端反激式高频高压开关电源进行了详细的仿真研究。     

双栅极空气计数管多路混合电源设计与实现

基于双栅极空气计数管的工作原理 ,提出了多路输出电源的设计指标。根据电路形式的不同对多路输出电源的高压、中压和低压三个部分进行了深入设计 ,给出了不同形式的开关变压器的设计方法。中压输出电路以TL494为控制核心 ,它实现的功能包括 :设置输出控制、PWM控制、软启动、过流保护。实验表明 ,多路输出电源能够满足双栅极空气计数管的工作要求     

单端反激式开关电源的稳定性分析

结合一实际课题用状态空间平均法建立了单端反激式高频高压开关电源的状态空间平均模型,并求得系统的闭环传递函数,然后对这类电源系统进行了稳定性分析。     

一种新型的零电压过渡全桥软开关电路的研究

指出了移相全桥型零电压开关ＰＷＭ变换电路的缺点,在此基础上提出了一种适合大功率开关电源的零电压过渡全桥软开关电路,分析了电路的工作原理,通过实验研究验证了电路的可行性,并测定了效率．     

一种新型的电压源换流器

为了改善轻型直流输电网络的波形质量,目前电压源换流器使用较多的高频开关器件,导致成本增高,损耗加大,限制了其实际应用.提出了一种Buck型电压源换流器(BVSC),该BVSC由一组双Buck变换器和一个工频逆变桥组成,仅用2个高频开关,即可取得较好的输出波形.为了进一步解决大功率应用时的高频开关的局限性,还提出了一种新型的双频控制Buck型电压源换流器(DBVSC),DBVSC在BVSC的基础上附加了一个双Buck变换器,使原BVSC工作在高频,仅处理谐波功率,而附加的BVSC工作在低频,处理基波功率.DBVSC既可以改善换流器输出电流波形质量,又可以减小系统损耗,提高功率等级,特别适合于大功率应用.推导了基于单周控制思想的控制方程,运用简单的控制电路实现要求,通过仿真研究,证实了理论分析的正确性.     

基于SG3525A和M57959的高频逆变电源设计

介绍了以PWM控制器SG3525A和IGBT专用驱动器M57959为核心的容量为2kVA的高频逆变电源设计．此高频逆变电源可将75-130V的蓄电池直流电压逆变为110V,20kHz的交流电压．     

基于TOP227的开关稳压电源实验研究

介绍了单片开关电源的电路主要原理,并提出设计和实际中需注意的问题.实验结果可知,基于TOP227设计的开关稳压电源负载调整率、电压调整率均可达0.5%,实际DC-DC效率可高达75%以上.