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1.
电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析. 相似文献
2.
李迪 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》2011,31(2):46-49
目的从理论上给出LiNbO3:Ni2+晶体基态自旋哈密顿参量的理论解释。方法采用自旋哈密顿理论,建立了LiNbO3:Ni2+晶体中晶体结构和自旋哈密顿参量之间的关系,对LiNbO3:Ni2+晶体自旋哈密顿参量进行了计算。结果计算结果与实验结果能够很好地符合。结论本文采用的晶格畸变模型是合理的。 相似文献
3.
Ru3+离子在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构和自旋哈密顿参量研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用合适的模型和参量,用适于强场低自旋(S=1/2)d5组态的微扰公式计算了4d5离子Ru3+在Y3Al5O12晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g∥, g⊥和超精细结构常数 A∥和A⊥).通过计算,合理地解释了这些自旋哈密顿参量并获得了Ru3+杂质中心在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构. 相似文献
4.
5.
我们建立了3d9离子在斜方对称中的完全能量矩阵和高阶微扰公式 (基态为|dx2-y2〉), 依赖对角化此完全能量矩阵和用微扰公式二种方法, 计算了Cu2+离子在CuAl6(PO4)4(OH)8·4H2O晶体中的光谱和电子顺磁共振谱. 计算结果显示这二种方法的计算值均与实验值一致. 表明它们都可用于解释3d9离子在斜方结构中的光谱和电子顺磁共振谱. 相似文献
6.
钛酸铅晶体中3种Cu2+离子中心的电子顺磁共振研究 总被引:1,自引:1,他引:0
电子顺磁共振谱(EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等。在晶体场理论基础上, 采用高阶微扰方法, 通过分析电子顺磁共振谱参量,确定了压电铁电材料PbTiO3晶体中3种Cu2+离子中心的局域结构。目前, 对PbTiO3:Cu2+的EPR谱研究一般认为Cu2+离子在PbTiO3中只占据Ti4+位置。理论研究表明,除了传统认为的Cu2+离子占据Ti4+位置外, 杂质Cu2+离子还可同时占据Pb2+ 相似文献
7.
赵敏光 《四川师范大学学报(自然科学版)》1999,22(3)
根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性,本文导出了3d3,7离子在三角对称四面体场中的基态4A2(F)的电子顺磁共振参量的微观公式.利用这些公式和对角化120阶能量矩阵,可以统一地解释ZnO:Co2+的光吸收和电子顺磁共振谱 相似文献
8.
赵敏光 《四川师范大学学报(自然科学版)》1999,22(3):304-310
根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性,本文导出了3d^3,7离子在三角对称四面体场中的基态^4A2(F)的电子顺磁共振参量的微观公式。利用这些公式和对角化120阶能量矩阵,可以统一地解释ZnO:Co^2+的光吸收和电子顺磁共振谱。 相似文献
9.
ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从晶体场理论出发,用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量, 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合,并对结果进行了讨论。
相似文献
10.
我们建立了3d9离子在斜方对称中的完全能量矩阵和高阶微扰公式(基态为|dx2_y2〉),依赖对角化此完全能量矩阵和用微扰公式二种方法,计算了Cu2+离子在CuA16(PO4)4(OH)8·4H2O晶体中的光谱和电子顺磁共振谱.计算结果显示这二种方法的计算值均与实验值一致.表明它们都可用于解释3d9离子在斜方结构中的光谱和电子顺磁共振谱. 相似文献