氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究

一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs_(1-x)P_x材料中注入Zn~ 和N~ 提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs_(1-x)P_x发光二极管主要是在结区产生电致发光。因此要提高发光效率就必须研究     

加氨砷压法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x:N/GaP

近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x>0.5)由低发光效率的间接跃迁型能带结构,转变为具有高发光效率的“类直接跃迁”型能带结构GaAS_(1-x)P_x:N(x>0.5),这种材料可用来制造橙红色和黄色发光器件.由于较短波长具有较高的视感度,其实际流明效率超过用GaAs_(0.06)P_(0.04)/GaAs制成的红色发光器件.     

磷压法气相外延 GaAs_(1-x)P_x

本文系采用赤磷、三氯化砷、砷化镓(或镓)为原料,在砷化镓衬底上进行GaAs_(1-x)P_x 气相外延生长的试验总结。文中分析了影响生长速度、合金组成、外延层表面形态的因素;叙述了此体系生长GaAs_(1-x)P_x(x≈0.40)外延层的操作工艺和条件。从制造发光器件的结果和投产的情况说明,此法可作为工业生产方法。     

GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱

前言近年来,对GaAs_(1-x)P_x材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。     

磷压法生长GaAs_(1-x)P_x的特性和最佳条件

一、前言在以前的报道中,我们叙述了磷压法的一般工艺条件和初步结果。在文[1]的基础上,我们对磷压法作了较为深入的研究和改进。从制管结果看,发光效率又有所提高。本工作对磷压法生长的GaAs_(1-x)P_x材料进行较为全面的性能测试和制管分析,研究生长工艺条件与外延参数以及发光性能之间的关系,并由此确定最佳生长条件。磷压法以前采用过的掺杂方法是在镓源中加入掺碲的砷化镓片。此法操作不便,纯度欠高,制备     

Sb组分对InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带结构及载流子复合动力学影响

本文研究Sb组分对InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带结构和载流子复合动力学特性的影响.采用8带k·p法计算InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带结构,当Sb组分从0.08增加到0.14, InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点从Ⅰ类向Ⅱ类能带转变,电子限制在量子点中,空穴逐渐进入GaAsSb盖层,波函数空间交叠减小,跃迁几率降低.为验证计算结果,生长不同Sb组分的InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点,并进行光谱测试.当Sb组分超过0.14,光致发光谱表现出明显的Ⅱ类量子点特征:发光峰红移明显,发光强度减弱,峰位随着激发光功率的增加蓝移.时间分辨光谱测试结果表明, InAs/GaAs_(1-x)Sb_x量子点能带由Ⅰ类转变为Ⅱ类,少数载流子寿命从0.41 ns增加到14.3 ns,复合被抑制.在中间带太阳电池中使用InAs/GaAs_(1-x)Sb_xⅡ类量子点,有助于维持导带、中间带、价带独立的准费米能级,避免因引入量子点造成电池开路电压下降.     

混晶GaAs1—xPx禁带中央附近能级的研究

用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。     

发光二极管及其亮度

发光二极管因其体积小、耗电省,可靠性高(寿命达10~4——10~6小时),响应速度快(10~(-9)——10~(-7)秒)、工作电压低、能与集成电路匹配,近年来在袖珍计算机、钟表、各种小型数字化仪表等装置中得到广泛的应用。发光二极管目前大多由Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体及它们的混晶材料制成。我们所制作的发光二极管就是用有一定混晶比x的磷化镓(GaP)和砷化镓(GaAs)的混晶材料磷砷化镓(GaA_(s1-x)P_x)这种三元化合物,依其混晶比之不同,禁带宽度可以在一个很宽的范围内变化。发光二极管是结型场致发光器件。它的主要结构是一个在外加正向电压下能发光的P—N结。图1(a)表示热平衡状态下P—N结的能带图.当给P—N结加上一定的正向     

GaAs1—xPx：N中氮浓度的光吸收法测量

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60相似文献   

a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H pin型发光器件的研制

晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P~+μc-Si∶H/pn~-in/a-Si_(1-x)C_x∶H/n~+μc-Si∶H 多层结构电注入发光器件,在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光(EL),     

静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光

通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。     

磷砷镓(GaAsP)数码管试制小结

随着电子设备的固体化、数字化的飞跃发展,Ⅲ—V族化合物半导体发光器件引起人们的重视,用磷砷镓（GaAs_(0.6)P_(0.4)）制成的固体数码管,发光峰值波长在6500A°附近,采用环氧树脂封装,具有体积小、重量轻、耐震动、寿命长、可靠性好、耗电少、工作电压低、响应速度快等优点。 在批林批孔运动中,我们进一步批判了过去“三脱离”的修正主义科研路线,坚     

稳定丝状发光的电极条形InP-In_(1-x)Ga_xAs_(1-y)P_yDH激光器

本文叙述了电极条形InP-In_(1-x)Ga_xAs_(1-y)P_yDH激光器的特性。由于有源区的不均匀而导致灯丝状发光行为,在一定注入电流水平以下可得到稳定的横模工作。电流扩展效应可能是电极条形器件的T_0低于其他条形结构器件的原因之一,15μm条宽的器件在1.3倍阈值前是单纵模工作。随着注入电流的增加,波长向长波方向移动的变化率是0.8/mA。     

用国产器件配制视见函数的尝试

一、概述发光二极管(包括数码管)、萤光屏等显示器件以及其它发光材料、光源的亮度测量,是研制发光器件和鉴定产品质量时不可缺少的;各种日照条件及其它光照条件下的照度测量在三大革命中应用也很广泛。这些光度测量问题的一般方法已有文章作了较详细地介绍。实现客观光度测量的关键问题,是如何将一个光电接受器的光谱灵敏度配制成和人眼的     

三价铕在(Y,Gd)_2 O_2 S体系中的发光

为了寻找新的荧光粉基质材料,本文研究了紫外线、阴极射线和 X 射线激发下,三价铕激活的(Y,Gd)_2O_2S 二元体系的发射光谱、发光颜色和发光亮度等发光特性随基质组成变化的规律性,并研究了三价铕离子浓度对固溶体(Y_(0.7)Gd_(0.2))_2O_2S 发光性能的影响。结果表明,在 Y_2O_2S 中加入 Gd,明显地提高了在阴极和 X 射线激发下的发光亮度。Eu~(3+)离子激活的稀土硫氧化物是一类高效率的荧光材料,早在六十年代就已将 Y_2O_2S:Eu 用作彩色电视显象管的红色荧光粉。近年来又有人将 Eu~(3+)激活的硫氧化钇及稀土硫氧化物固溶体用于低压显示器件中,但 Eu~(3+)激活的稀土硫氧化物固溶体的研究文献中报道不多,缺乏系统的研究。为了寻找新的荧光粉基质材料,本文首先合成了(Y_(1-x)Gd_x)_2O_2S:Eu固溶体试样,较系统地研究了它们的基质组成与发射光谱、发光颜色、发光亮度、发光的衰减以及粒度的关系。在此基础上,又讨论了(Y_(0.7)Gd_(0.3))_2O_2S 作为基质时,Eu~(3+)离子浓度对该固溶体发光性能的影响。     

La_(1-x)Bi_xOX体系(X=F、C1、Br、I)及Tb~(3+)在其中的发光

本文利用La_2O_3和Bi_2O_3(含铽样品加Tb_4O_7)与NH_4X及KX之间的高温固相反应制备了La_(1-x)Bi_xOX,La_(1-x)Bi_xOX:Tb(X=F, Cl, Br, I)的试样。用品格参数法确定了LaOX-BiOX体系固相线下的相关系;LaOF-BiOF,LaOCl-BiOCl,LaOI-BiOI是无限互溶的二元固溶体体系,LaOBr-BiOBr为有限互溶的二元固溶体体系。测定了试样在阴极射线,x射线下的发光性能。La_(1-x)Bi_xOX的发射光谱为两个宽带,在x=0.05～0.10时发光强度最大。La_(1-x)Bi_xOX:Tb的发射光谱为Tb~(3+)的发射光谱,发光强度在X=0.01或X<0.01时最大。初步探讨了在La_(1-x)Bi_xOX:Tb中Bi~(3+)对Tb~(3+)发光的敏化与猝灭作用.     

光声光谱法测定磷砷化镓外延层固溶体组分

测定磷砷化镓(GaAs_(1-y)P_x)外延层固溶体组分参数常用的方法是通过测定其禁带宽度,然后利用其组分参数与禁带宽度的关系曲线或经验公式得到组分参数的数值.本文是利用被测样品的光声光谱图(见图1)确定与样品禁带宽度相对应的入射单色光波长九λ_(E(?)),再用公式     

CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料的研究进展

CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料是具有黄铜矿结构的半导体化合物,由于具有大的吸收系数,并可通过改变x来调整禁带宽度从而实现能隙裁剪等优点,已广泛应用于制备太阳能电池,其转化效率可高达18.8%。目前,CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜的制备主要有三段制备法和金属层预置后硒化法两种。对上述两种制备方法进行了介绍,总结了CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料在太阳能电池中的商业化现状。并提出今后CuGa_(1-x)In_xSe_2薄膜材料研究应在进一步研究薄膜的形成机理,降低缺陷,寻找更合适的晶格适配率衬底材料等方面进行。     

In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP液相外延材料的组分分析

一引言随着光纤通信技术的发展,发射波长λ=1.3μm光纤损耗小、色散低的光源制造已受到普遍重视。由于外延材料是器件制造的基础,因此如何确定和控制四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的组分x、y,乃是制造发射波长λ=1.3μm光源的重要问题。四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)有二个自由度x、y,且其晶格常数和带隙(波长)是x,y的函数(服从Vegard定律),适当调整化学配比可使InGaAsP四元固溶体的带隙在1.35eV～0.74eV(对应波长λ=0.92～1.68μm)范围内变化,能得到与InP衬底相匹配的完整的外延     

Ge/Si(100)界面研究

半导体超晶格材料的研究对于飞速发展着的微电子技术和光电子技术有着非常广泛的应用前景.从七十年代初期首次在GaAs半导体表面制成超晶格材料至今,对超晶格材料的研究已扩展到了其他半导体,Si_(?)Ge_(1-x)合金就是一种可在Si表面生长的超晶格材料.研究Si_xGe_(1-x)/Si超晶格首先是从Ge/Si界面的研究入手的,无论是从半导体-半导体界面研究的角度出发还是从实际应用的角度来考虑,如寻找一种便宜衬底材料来生长具有高效的GaAs太阳能电池薄膜等光电器件和GaAs电子器件,Ge/Si这种体系的界面研究就成了一个非常有兴趣的课题.本文用XPS、AES、ELS、CEED等表面手段研究在室温条件下Ge/Si(100)的界面形成.