浅析价层电子对互斥理论

本文阐述了价层电子对互斥理论,定性地解释和预测AB_n型的一些共价分子(或离子)的空间构型,使用起来比较简便、易懂,易被人们接受,但在预测较复杂分子的空间构型时,显得无能为力。     

对使用VSEPR模型的一个改进——定量推算AX_nE_m分子或离子的几何构型

目前常使用VSEPR模型定性确定共价型AX_nE_m分子或离子的几何构型.为了推动这一理论的发展,使VSEPR模型更为可靠,作者对该模型作了一些改进——定量推算这类分子或离子的稳定结构,供读者参考.     

一种预测轨道杂化类型的简便方法

根据用杂化轨道理论和价层电子对互斥理论预测和判断共价多原子分子或离子（不包括配合物）空间构型的原理，导出了一种用价层电子对数直接预测中心原子轨道轨化类型的简便方法。     

论多原子分子极性的判断

多原子分子极性的判断是化学教学中的难点,学生受知识的局限,难于掌握。本文依据价层电子对互斥理论,借助立体几何知识,论证了一种新的判断多原子分子极性的方法。此方法首先推导出价层电子对的空间构型,其次分析价层电子对的构型与分子结构和中心原子最外层电子数的关系。此方法的优点表现在方法简便、易懂。在具体判断多原子分子极性时,直观、全面。     

VSEPR法对分子几何构型的判断

本文重点分析了孤对电子对分子构型的影响,从而确定分子的几何构型;另外还介绍孤对电子对分子键角的影响。     

影响无机共价分子键角的因素

键角是决定物质分子空间结构的一个重要因素,与键长一起决定着物质分子的极性和对称性,从而影响物质的物理和化学性质。本文对影响无机共价分子中键角的因素进行了较系统地分析和总结,掌握这些影响因素可实现对分子键角大小的准确判断,更好地运用无机结构相关理论知识。     

杂化轨道理论与价层电子对互斥理论应用于分子构型的比较研究

介绍了杂化轨道理论和价层电子对互斥理论的基本要点和在分析分子的几何构型方面的应用，并对它们进行了比较研究．相对而言，杂化轨道理论比价层电子对互斥理论应用范围较广，在大学化学教学中应重点讲授．     

在教学中使用价层电子对互斥理论(VSEPR)的探讨

由ＮＶＳｉｄｗｉｃｋ和ＨＭＰｏｗｅｌ于１９４０年提出，后经ＲＪＧｉｌｅｓｐｉｅ和ＲＳＮｙｈｏｌｍ发展改进了的ＶＳＥＰＲ理论，概念简单不用原子轨道的概念，就能较好地判断和解释许多共价分子的空间构型，因而得到了普及并为一般教科书所采用。［...     

钙钛矿型铁电材料立方相价电子结构理论计算

应用固体与分子经验电子理论(EET)计算BaTiO3,BaZrO3,PbTiO3,PbZrO3,KNbO3,NaNbO3,CaTiO3,SrTiO38种典型立方相钙钛矿氧化物的价电子结构,并讨论晶体中各组成原子的实际价电子数.计算结果表明:8种钙钛矿氧化物的价键电子结构表现为离子性和共价性的混合,原子的种类是影响化合物价电子结构的重要因素,而相同的晶体结构决定了价电子分布的相似性;组成晶体的原子的实际价电子数与标准自由离子电荷有差异,且具有与玻恩有效电荷相似的特点.     

ABn型分子（或离子）空间几何构型判断的一种方法

该方法简单，易懂，易掌握，对一般ＡＢｎ型分子或离子都适用，不考虑具体成键情况，只需计算出价层电子对数和孤电子对数，就能迅速判断分子或离子的空间几何构型。     

氮气辉光放电阴极鞘层区氮离子输运过程模拟研究

从连续性方程出发，在考虑离子与中性分子动量交换输运动力学模型下，通过理论模拟研究了氮气辉光放电阴极鞘层区N^ 、N2^ 和电子浓度、电 位、电场强度的分布规律，考察了不同气压与初始离子浓度比例对上述物理量空间分布的影响。     

配合物的氧化还原反应机理

配合物之间的氧化还原反应是电子从一个配合物分子的中心原子（或离子）转移到另一个配合物分子的中心原子（或离子）上去的电子转移反应。本介绍此类反应的两种反应机理，即外界反应机理和内界反应机理。     

关于结构化学教学中三个基本问题的讨论

对结构化学教学中的三个基本问题进行了讨论,旨在加强学生对这三个基本问题的理解和应用.     

配位场理论的LFSE-d~n图及其应用

时常见配合物构型作出LFSE－dn图，并利用该图对不同dn组态的金属离子所形成的配合物构型进行解释.     

离子与分子碰撞的空间构象设计

离子与分子碰撞是涉及复杂电子关联效应、多通道耦合效应的多体反应动力学过程,具有重要的科学研究意义,其过程广泛存在于多个领域,一直以来备受关注.在碰撞参数模型的半经典理论框架内,以几种典型分子(线性分子、平面分子和立体分子)分别作为靶分子,固定入射离子的初始速度方向,根据靶分子结构的对称性相对于入射离子速度方向的空间取向,设计离子与分子碰撞的空间构象,并结合球坐标的角度参数将方法推广至离子与对称性较低的靶分子碰撞的普遍情况.最后,以质子与一氧化碳分子碰撞的含时密度泛函理论模拟结果为例,分析5种碰撞空间构象下的电子俘获概率随碰撞参数的变化规律.     

BiFeO3晶体价键电子结构对铁电性质的影响

利用固体与分子经验电子理论(EET)方法,研究得到了钙钛矿型单相多铁材料BiFeO3"赝立方"顺电相和斜方铁电相价键电子结构,分析了价键电子结构变化对铁电性的影响.结果表明,EET理论不但给出了与第一性原理较为一致的计算结果,而且给出了原子间共价键更为细致的描述.     

碳化硼B4C价键电子结构研究

在固体与分子经验电子理论(EET)框架下,利用键距差(BLD)方法,选取可能的一种碳化硼晶体结构作为计算模型。计算得到符合EET理论判据的碳化硼晶体的价键电子结构。基于价键电子结构讨论了碳化硼电子结构与性能的关系。     

单核体系电子结构的VSEPR理论研究

价电子对互斥(VSEPR)理论一般用于解释ABn型体系的电子结构,尚未见应用VSEPR理论解释单原子分子或离子电子结构的报道。本文应用VSEPR理论,讨论了Ne、F-、O2-、N3-和C4-等单原子分子或离子的外层价电子对分布。并在所得电子结构的基础上,通过"虚拟反应"的方法解释了H2O、NH3和CH4的键角变化规律。同时通过相关分子案例讨论了VSEPR理论与杂化轨道理论在解释单原子分子或离子结构方面的关联。     

VSEPR理论应用问题讨论

本文提出了求算ＶＳＥＰＲ理论中中心原子价层电子对总数的亲方法：探讨了如何运用该理论来判断包括内部存在π键、大π键在内的各种多原子分子的几何构型、中心原子的杂化方式及分子内部的价键结构等问题。