八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

LiF：Co^2＋和NaF：Co^2＋晶格中的Co^2＋—F^—键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋和ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋晶体中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长，结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋中，Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ－Ｆ距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ－Ｆ键长，从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所     

LiF：Co~（2＋）和NaF：Co~（2＋）晶格中的Co~（2＋）－F~－键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ２＋和ＮａＦ：Ｃｏ２＋晶体中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长．结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ２＋中，Ｃｏ２＋－Ｆ－键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ＋－Ｆ－距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ２＋中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长则有很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ＋－Ｆ－键长．从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所得结果是合理的     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

MgO：V^2＋和MgO：Cr^3＋的四角畸变与零场分裂

Ｃｒ＾３＋和Ｖ＾２＋离子分别掺进晶体ＭｇＯ时，将引起局域结构产生四角畸变，本文研究了掺杂晶体ＭｇＯ；Ｖ＾２＋和ＭｇＯ；Ｃｒ＾３＋的ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算和实验观察基本一致；并指出，ＭｇＯ：Ｖ＾２＋局域结构的四角畸变程度应小于ＭｇＯ：Ｃｒ＾３＋。     

α—LiIO3：Ni^2＋l晶体中的Ni^2＋_VLi三角中心局域结构？…

通过计算α－ＬｉＩＯ３：Ｎｉ＾２＋晶体零场分裂Ｄ和ｇ因子，研究了掺杂Ｎｉ＾２＋的α－ＬｉＩＯ３晶体中Ｎｉ＾２＋＿Ｖｕ三角中心的局域结构，估算出Ｎｉ２＋离子应向Ｌｉ＾＋空位位移，以及Ｖｕ附近的氧离子应位移△ｘ≈０．１４９Ａ。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2＋的光谱及g因子的研究

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献,用此方法解释了ＧａＰ,ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ＾２＋的光谱和ｇ因子,并对结果进行了讨论     

单晶Co^2＋：MgGa2Se4光学吸收谱的理论解释

该文考察了ｄ电子ｔ２ｇ轨道ｅｇ轨道局域性差别的影响，并计及Ｒａｃａｈ参量Ａ对光谱跃迁的贡献，导出了３ｄ＾７电子组态在Ｔｄ对称下的哈密顿矩阵公式。从理论上研究了Ｃｏ＾２＋：ＭｇＧａ２Ｓｅ４中Ｃｏ＾２＋离子的吸收光谱，理论结果与实验结果吻合很好。     

LiTaO3：Fe^3＋（Mn^2＋）的EPR参量D与局域结构的研究

用晶体场理论研究了ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋（Ｍｎ＾２＋）的ＥＰＲ参量Ｄ和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合较好。结果表明,ＬｉＴａＯ３：Ｍｎ＾２＋局域结构的畸变程度大于ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋。     

CsMgC3：Co^2＋和CdCl2：Co^2＋的EPR谱的研究

应用三角晶场中ｄ＾３（ｄ＾７）电子组态的强场能量矩阵元，采用精确计算零场分裂Ｄ值和ｇ因子的方法，计算了具有Ｄ３ｄ对称的ＣｓＭｇＣ３：Ｃｏ＾２＋和ＣｄＣｌ２：Ｃｏ＾２＋的ＥＰＲ谱，其结果与实验符合得很好。     

ZnSiF_6·6．6H_2O·V~（2＋）的零场分裂D和三角畸变的研究

本文利用高阶微扰公式研究了三角晶场中３ｄ３离子零场分裂Ｄ与晶体畸变的关系，井由此判定晶体ＺｎＳｉＦ６·６Ｈ２Ｏ：Ｖ２＋的局域结构应为伸长的三角畸变：在此基础上，进一步研究了零场分裂Ｄ和顺磁ｇ因子与静水压的联系。     

掺杂KZnF3：Cr^3＋激光晶体K^＋空位三角晶场参量研究

用Ｎｅｗｍａｎ的叠加模型研究了ＫＺｎＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体Ｃ＾３＋－ｋ＾＋空位的三角晶场参量。研究表明，晶格畸变对晶场的贡献不可忽略，进一步证实了晶格畸变：Ｃｒ＾３＋离子上方三个Ｆ＾－离子下方三个Ｆ＾－离子分别偏离［１１１］晶轴２．６６１°和－１．１４９°。     

RbCdF3：Cr^3^＋的EPR 参量和Cd^2^＋空位研究

本文采用叠加模型和对角化哈密顿矩阵的方法，研究了ＲｂＣｄＦ３：Ｃｒ３＋晶体的电子顺磁共振（ＥＰＲ）参量Ｄ与Ｃｒ３＋－Ｖｃｄ中心结构参量的关系，在此基础上分析并计算了Ｃｄ２＋空位和由它产生的晶格畸变的晶体场，发现Ｃｄ２＋空位的贡献不可忽略，同时，得出（０，０，１）方向的下向中心Ｃｒ３＋离子移动△≈０．０５Ａ。     

AgBr：V^2＋晶体中的V^2＋—VM四角中心局域结构的研究

采用同时考虑中心ｄ＾３离子和配体旋轨耦合作用贡献的双旋轨耦合参量模型，通过计算ＥＰＲ参量Ｄ和ｇ因子，估算出ＡｇＢｒ：Ｖ＾２＋晶体中的Ｖ＾＋－ＶＭ四角中心的局域结构参量ΔＲ，并与只考虑中心ｄ＾３离子旋轨耦合作用的传统单旋轨耦合参量模型的结果作了比较。研究表明，当配体含有大的旋轨耦合系数时，其以ＥＰＲ参量的贡献不能忽略。     

掺杂对酸法铁黄制备过程的影响

研究了酸法铁黄制备过程中掺杂Ｚｎ＾２＋，Ｎ＾２＋，Ｃｄ＾２＋，Ｃｒ＾３＋，ＰＯ４＾３－等离子对晶种及铁黄形态和结构的影响，并初步探讨了杂质的作用机制。研究发现：掺杂离子改变晶种及铁黄的形态和结构，掺杂Ｚｎ＾２＋可增加晶种轴比，减少枝权和孪晶，优化铁黄形态。     

RbCdF3：Fe^3＋和CsCdF3：Fe^3＋晶体中Fe^3＋—Li^＋缺陷…

本文计算了掺入三价Ｆｅ＾３＋离子和Ｌｉ＾＋杂质后，晶体ＲｂＣｄＦ３和ＣｓＣｄＦ３中的Ｆｅ＾３＋－Ｌｉｕ＾＋缺陷中心的零场分裂参量，微扰计算进行到第六阶。     

（pno（CuCl.H2O的反常零场分裂

晶体（ｐｎｏ）ＣｕＣｌ．Ｈ２Ｏ中Ｃｕ＾２＋（ｄ＾９）离子的零场分裂轴对称分量Ｄ和斜方分量Ｅ出现了不为零的反常现象。根据该晶体中局域张离子有双聚成链结构的特点，使用中心金属离子对ｄ＾９－ｄ＾９的交换相互作用机制，满意地解释了这一反常现象。     

ZnO:V3+及CdS:V3+的零场分裂和g因子的研究

考虑到３ｄ＾ｎ离子ｄｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥＝ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ：Ｖ＾３＋及ＣｄＳ：Ｖ＾３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥，结果与实验值吻合较好。     

三角晶场下六配位Co^2＋离子的EPR

利用三角晶场中ｄ＾３（ｄ＾７）电子组态的强场能量矩阵元，采用完全对角化方法精确计算出零场分裂Ｄ值和ｇ因子。讨论了Ｄ３ｄ对称下的Ｃｏ＾２＋：ＣｓＣｄＣｌ３和Ｃ３ｖ对称下的Ｃｏ＾２＋：ＬｉＮｂＯ３的ＥＰＲ，其结果与实验符合很好。     

MgO,AgCl和AgBr中Ni^2＋的g因子研究

用分子轨道和双自旋－轨道（双ＳＯ）耦合模型研究了ＭｇＯ、ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ中掺杂Ｎｉ＾２＋（ｄ＾８）离子的ＥＰＲｇ因子。研究表明，由于配体Ｂｒ（４ｐ电子）有大的ＳＯ耦合系数和较强的共价性，其对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋的ｇ因子有重要的贡献。