共查询到20条相似文献，搜索用时 15 毫秒
1.
比较阻塞性睡眠呼吸暂停（Ｏｂｓｔｒｕｃｔｉｖｅｓｌｅｅｐａｐｎｅａ,ＯＳＡ）患者、打鼾者与正常对照的颌面结构,以探讨ＯＳＡ的发病过程及可能机制。研究对象为８６例男性ＯＳＡ患者、４５例男性打鼾者及３７例健康成年男性,均行多导睡眠仪检查证实或排除ＯＳＡ;数字化技术摄取头颅侧位片,应用ＮＩＨＩｍａｇｅ软件测定骨性结构、软组织结构、舌骨位置、咽气道口径参数２３项。ＯＳＡ患者、打鼾者的骨性结构、软组织结构、舌骨位置、咽气道口径均在异常,其中舌长度、口腔外舌面积、舌骨位置、腭水平气道口径在对照组、ＯＳＡ患者与打鼾者间均有显著差异,经身高体重指数（ＢＭＩ）校正后除舌长度、部分舌骨位置参数外结果基本不变．多元逐步回归分析提示胞胖程度、上颌骨缺陷、软腭舌接触线长度、咽长度对ＯＳＡ严重度影响较大。打鼾者与ＯＳＡ患者同样存在颌面结构异常,其中部分软组织相关参数介于ＯＳＡ患者和正常人之间,软组织的变化可能在ＯＳＡ发生发展中起重要作用。 相似文献
2.
阻塞性睡眠呼吸暂停患者的上气道狭窄与头姿变化 总被引：7，自引：2，他引：5
探讨阻塞性睡眠呼吸暂停（Ｏｂｓｔｒｕｃｔｉｖｅｓｌｅｅｐａｐｎｅａ，ＯＳＡ）患者上气道狭窄的程度、头姿改变情况，以及这些形态学指标与病理生理学参数之间的关系。研究对象为８６例男性ＯＳＡ患者及３７名健康男性。经整夜多导睡眠仪检查诊断或排除ＯＳＡ；采用数字化技术摄取受试者头颅侧位片，并用ＮＩＨＩｍａｇｅ软件测定上气道口径、面积及头姿指标共１５项。ＯＳＡ患者各水平上气道前后径均显著小于对照组；经年龄及身高体重指数校正后，上述结果不变。重症ＯＳＡ患者呈显著头颅前倾。头姿变化指标与呼吸暂停指数及多个水平的气道前后径呈显著相关。亚洲人种ＯＳＡ患者存在明显及广泛的上气道狭窄；随ＯＳＡ程度加重及上气道阻塞程度加重，患者可能出现代偿性头姿改变 相似文献
3.
探讨加用气流阻力负荷（ＦＲＬ）状态下流速－容量（Ｆ－Ｖ）曲线检查对初检ＯＳＡ患者的意义。对象为２４名健康成年男性及２１例男性阻塞性睡眠呼吸暂停（ＯＳＡ）患者。经整夜多导睡眠仪检查诊断或排除ＯＳＡ。模拟实验结果发现只有同时加上可陷闭管及ＦＲＬ时，才出现显著吸气气流受限。无ＦＲＬ时，Ｆ－Ｖ曲线（以ＦＥＦ５０／ＦＩＦ５０比值大于１为指标）检查发现ＯＳＡ的敏感性和特异性分别为３３．３％和９１．６％，阳性预 相似文献
4.
探讨加用气流阻力负荷（ＦＲＬ） 状态下流速容量（ＦＶ） 曲线检查对初检ＯＳＡ 患者的意义对象为２４ 名健康成年男性及２１ 例男性阻塞性睡眠呼吸暂停（ＯＳＡ） 患者经整夜多导睡眠仪检查诊断或排除ＯＳＡ模拟实验结果发现只有同时加上可陷闭管及ＦＲＬ 时,才出现显著吸气气流受限无ＦＲＬ时,ＦＶ 曲线（ 以ＦＥＦ５０／ＦＩＦ５０ 比值大于１ 为指标） 检查发现ＯＳＡ的敏感性和特异性分别为３３ ．３ ％ 和９１ ．６ ％ ,阳性预测率为６３ ．６ ％ 加用ＦＲＬ 时敏感性为７６ ．２ ％ ,特异性为７５ ％ ,阳性预测率为７２ ．２ ％ 吸、呼气相峰值流速比值及中期峰值流速比值与ＯＳＡ 严重呈显著相关联合应用加ＦＲＬ及常规ＦＬ曲线检查可能对ＯＳＡ 患者初筛有较高价值 相似文献
5.
乔亚科 《河北科技师范学院学报》1996,(4)
同源四倍体高粱、约翰逊草及杂种Ｆ＿１的同工酶分析乔亚科（河北农业技术师范学院农学系，昌黎，０６６６００）ＩＳＯＥＮＺＹＭＥＡＮＡＬＹＳＩＳＯＦＡＵＴＯＴＲＡＰＬＯＩＤＳＯＲＧＨＵＭ，Ｓ．ｈａｌｅｐｅｒｓｅ（Ｌ）ＰｅｒｓＡＮＤＴＨＥＩＲＨＹＢＲＩＤＦ＿... 相似文献
6.
Jiang Cuiyu Department of Chemical Engineering in the University of Petroleum China 《中国石油大学学报(自然科学版)》1997,(6)
ＳＹＮＴＨＥＳＩＳＯＦＡＩ，ＯＯＡＮＤＤＢＡＰＰＲＯＡＣＨＥＳＭａＹｕｓｈｕＨｕＨａｉｆｅｎｇ（ＡＩＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｏｆｔｈｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｅｔｒｏｌｅｕｍ，ＣｈｉｎａＢｅｉｊｉｎｇ１０２２００）ＢＡＲＴＨＥＳＪｅａｎ．Ｐａｕ... 相似文献
7.
ＮＥＴＳＯＦＬＦＳＥＴＳＩＮＬＦＳＵＭ─ＴＯＰＯＬＯＧＩＣＡＬＳＰＡＣＥＳ￥ＺｈｕＭｉｎｇｋｕｉ；ＳｕｎＱｕｎ（ＴｈｅＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｗｅｄｉｓｃｕｓｓｔｈｅｒｅｌａｔｉｏｎｏ... 相似文献
8.
《南京大学学报(自然科学版)》1997,(4)
ＴＨＥＭＯＴＩＯＮＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳＯＦＴＨＥＳＴＡＲＳＣＯＮＦＩＮＥＤＴＯＴＨＥＳＹＭＭＥＴＲＩＣＡＸＩＳＯＦＡＮＯＳＣＩＬＬＡＴＩＯＮＫＵＺＭＩＮＤＩＳＫＦｕＹａｎｎｉｎｇ１，２）ＳｕｎＹｉｓｕｉ１）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｓｔｒｏｎ... 相似文献
9.
胡继承 《四川师范大学学报(自然科学版)》1994,(2)
ＡＰＰＲＯＸＩＭＡＴＩＯＮＯＦＳＩＮＧＵＬＡＲＩＮＴＥＧＲＡＬＳＢＹＷＡＶＥＬＥＴＳＨｕＪｉｃｈｅｎｇ（胡继承）（ＷｕｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕｈａｎ４３００７２）Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒｗｅａｒｅｇｏｉｎｇｔｏｓｈｏｗｈｏｗｗａｖｅｌｅｔｍｅｔ... 相似文献
10.
刘士强 《四川师范大学学报(自然科学版)》1994,(2)
ＡＣＬＡＳＳＯＦＮＯＮＨＯＭＯＧＥＮＥＯＵＳＩＮＶＥＲＳＥＲＩＥＭＡＮＮＢＯＵＮＤＡＲＹＶＡＬＵＥＰＲＯＢＬＥＭ￥ＬｉｕＳｈｉｑｉａｎｇ（刘士强）（ＮｉｎｇｘｉａＵｎｉｖｅｒｓｉｌｙ，Ｙｉｎｃｈｕａｎ７５００２１）０ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔ... 相似文献
11.
关于渔船航行安全的探讨ＯＮＴＨＥＳＡＦＥＴＹＯＦＦＩＳＨＩＮＧＶＥＳＳＥＬＮＡＶＩＧＡＴＩＯＮ郑奇侃，吴龙斌，朱伟ＺｈｅｎｇＱｉｋａｎＷｕＬｏｎｇｂｉｎｇＺｈｕＷｅｉ（浙江水产学院舟山３１６１０１）（ＺｈｅｊｉａｎｇＦｉｓｈｅｒｉｅｓｃｏｌｌｅｇｅ，... 相似文献
12.
Arthur R. Murdoch 《安徽大学学报(自然科学版)》1995,(1)
ＥＳＴＡＢＬＩＳＨＩＮＧＡＮＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＳＴＲＹＭＩＣＲＯＳＣＡＬＥＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹＰＲＯＧＲＡＭ￥ＡｒｔｈｕｒＲ．Ｍｕｒｄｏｃｈ（ＭｏｕｎｔＵｎｉｏｎＣｏｌｌｅｇｅ，Ａｌｌｉａｎｃｅ，Ｏｈｉｏ，ＵＳＡ）（Ｖｉｓｉｔｉｎｇｐｒｏｆｅｓ... 相似文献
13.
本文提出一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式，几何结构，内部布线及对输入输出的考虑，实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出了一个用该系统设计的应用实例。 相似文献
14.
《南京大学学报(自然科学版)》1997,(3)
ＡＵＳＥＲ：ＡＰＯＳＳＩＢＬＥＶＷＣＥＰＴＹＰＥＢＩＮＡＲＹＬｉＺｏｎｇｙｕｎ１）ＤｉｎｇＹｕｅｒｏｎｇ１）ＺｈａｎｇＺｈｏｕｓｈｅｎｇ２）ＬｉＹｕｌａｎ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｓｔｒｏｎｏｍｙ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，２１... 相似文献
15.
常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs 总被引：1，自引：0，他引：1
采用自己发展的ＨＦ化学预处理技术和常压ＭＯＣＶＤ法在多孔硅（ＰＳ）上首次生长出了基本上是单晶的ＧａＡｓ膜，研究了ＧａＡｓ膜的结构和光学特性．通过对Ｓｉ、ＰＳ、ＧａＡｓ／Ｓｉ和ＧａＡｓ／ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射分析，初步论述了ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关． 相似文献
16.
《南京大学学报(自然科学版)》1995,(1)
ＤＩＳＫＡＣＣＲＥＴＩＯＮＯＮＴＯＭＡＧＮＥＴＩＣＮＥＵＴＲＯＮＳＴＡＲＳ￥ＬｉＸｉａｎｇｄｏｎｇ；ＷａｎｇＺｈｅｎｒｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｓｔｒｏｎｏｍｙ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，２１００９３，Ｎａｎｊｉｎｇ，ＰＲＣ）Ｋｅｙｗｏ... 相似文献
17.
ＩＮＶＡＲＩＡＮＴＨＡＮＫＥＬＯＰＥＲＡＴＯＲＳＰｅｎｇＬｉｚｈｏｎｇ（彭立中）（ＰｅｋｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００８７１）ＺｈａｎｇＣｈｅｎｇｇｕｏ（张成国）（ＣｅｎｔｒａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＮａｔｉｏｎａｌｉｔｉｅｓ，Ｂ... 相似文献
18.
《南京大学学报(自然科学版)》1995,(3)
ＯＮＴＨＥＥＸＰＯＮＥＮＴＳＥＴＯＦＰＲＩＭＩＴＩＶＥＬＯＣＡＬＬＹＳＥＭＩＣＯＭＰＬＥＴＥＤＩＧＲＡＰＨＳ￥ＺｈａｎｇＫｅｍｉｎｇ１）；ＢｕＹｕｅｈｕａ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｃｍａｔｉｅｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎ... 相似文献
19.
ＭＩＣＲＯＳＰＨＥＲＵＬＥＳＩＮＳＵＺＨＯＵＧＲＡＮＩＴＥ：ＡＢＬＡＴＥＤＰＲＯＤＵＣＴＳＯＦＡＣＯＭＥＴＡＲＹＥＸＰＬＯＳＩＯＮＨｕＺｈｏｎｇｗｅｉ１）ＷａｎＹｕｑｉｕ２）ＷａｎｇＥｒｋａｎｇ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｓｔｒｏｎｏｍｙ，... 相似文献
20.
一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理 相似文献