硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系

该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多功流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型，获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致；而在重掺杂时，解决了已有文献未能解决的难题；杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算。     

量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

表面光学声子对表面杂质激发态的影响

用变分法计算了表面光学声子对表面浅态杂质原子的激发态的影响，发现表面光学声子对其激发态也有明显的影响。     

量子线中电子有效质量失配对电子—声子散射率的影响

以GaAs/GaAlAs量子线为例,计算电子的最低子能带内电子－声学波声子散射率,结果表明,电子有效质量失配对电子－声学波声子散射率的影响不可忽视。     

超晶格基元的声子结构

应用Dyson方程推导了超晶格基元的声子格林函数，并以此为基础研究了超晶格基元的声子结构．计算结果表明，由于表面与界面效应，在超晶格基元中，声子能带分裂为一系列微带，在界面耦合力常数较大时，还出现了界面局域声子模．     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子声子耦合系统的状态表示和基态特征(英文)

求出了在电子声子耦合系统中由于电子密度的涨落所导致的非绝热声子对系统的基态,极化子的特征和声子测不准关系的量子修正,在这计算中我们使用了一个表征相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式．由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定,极化子能带变窄的效应受到抑制,由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量．研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合．     

新型铝酸锶铕长余辉磷光体

报道铕激活的铝酸锶新型长余辉磷光体．由Ｘ射线粉末衍射法测量，该磷光体为ＳｒＡｌ＿２Ｏ＿４单斜晶体结构．激发光谱与发射光谱的测量表明，其发光属于典型的Ｅｎ￣（２＋）ｄ－ｆ跃迁．经紫外光激发后，其余辉发光可达１０小时以上，余辉衰减呈双曲线型，具有复合发光的特征．热释光谱的测量表明，磷光体中存在电子陷阱能级，而热释光峰值温度分别为３３３°Ｋ及３７８°Ｋ．进一步的实验分析揭示，磷光体中的杂质Ｍｇ加强了杂质陷阱能级，导致了磷光体的长余辉发光．     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子—声子耦合系统的状态表示和 …

求出了在电子－声子耦合系统中由于电子密度的涨落的导致的非绝热声子对系统的基态，极化子的特征和声子测不准关系的量子修正，在这计算中我们使用了一个表征和相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式。由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定，极化子能带变窄的效应受到抑制。由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量。研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合。     

纳米结构体系的物理性质：重正化群研究

发展重正化群格林函数方法，计算了纳米结构体系的粒度分布、界面结构等对其声子态密度的影响．结果表明，粒度分布对纳米结构体系声子性质有重要影响，但不造成频移，造成纳米结构体系频移的因素是因尺寸变小时的结构畸变．     

杂质Cr^3＋对K2SO4结晶过程的影响

研究杂质Ｃｒ＾３＋对Ｋ２ＳＯ４结晶过程的影响，并计算在杂质Ｃｒ＾３＋存在下Ｋ２ＳＯ４结晶过程中成核特征值的变化。结果表明，Ｃｒ＾３＋改变Ｋ２ＳＯ４溶解度，使其亚我宽度变宽。     

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响

半绝缘(S.I)GaAs材料既在微波MESFET器件中用作外延生长的衬底又在集成电路中用作直接离子注入的掺杂层材料,因此进一步了解S.I-GaAs材料的质量是十分重要的.本文将Si²⁸直接注入到不同质量的掺Cr.S.I-GaAs衬底,然后测量注入层的载流子浓度分布和迁移率,从而直接评价SI-GaAs材料的质量,并对实验结果进行了讨论.     

低温下KTaO3陶瓷的介电非线性

用均衡热压法制备的性能优良的KTaO₃陶瓷,通过测量低温下介电常数与偏置电场的关系,研究它们的介电非线性.结果表明,在温度60K以下,介电常数与偏置电场强度有关;温度愈低,介电非线性愈强烈;这与KTaO₃陶瓷在低温下表现出具有量子顺电性质特征相应.根据Devonshire模型,用最小二乘法使实验数据与之相吻合,估算出KTaO₃陶瓷的介电非线性系数值,并与单晶的数据进行比较.结果表明,KTaO₃陶瓷与其单晶一样,也是有希望在超高频低温电子学中实现非线性相互作用的材料.     

温度和时间等因素对喷气燃料电导率测定的影响

采用大庆3号喷气燃料,按照航空燃料与馏分燃料电导率标准试验方法,研究了喷气燃料抗静电剂T1502、容器、温度、杂质等因素对喷气燃料电导率的影响规律.结果表明,储存在金属容器中喷气燃料的电导率随着时间的延长而衰减,随着温度的升高而增大.杂质对喷气燃料电导率有影响,杂质越高,电导率越大.喷气燃料加入T1502抗静电添加剂后,随着温度的升高,电导率逐渐增大,另外,随着储存时间的延长,电导率在逐渐减小.     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

真实磁垒作用下的量子线的霍尔电导

研究了长量子线系统在一真磁叠作用下的霍尔电导，结果发现了台阶状的霍尔电导，随费米能的增加，将出现了霍尔电导的淬灭及负的强振荡性的霍尔电导。     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

基于TS-DFT高速光谱解调的FBG温度分布检测

基于时间拉伸-色散傅里叶变换（time-stretch dispersive Fourier transformation,TS-DFT）技术实现了光纤布拉格光栅反射谱高速解调。解调系统由锁模激光器、环行器、色散补偿光纤、参考光栅、传感光栅以及数据采集和处理模块组成。实验得到了传感光栅在不同温度场下的时域映射光谱,通过与光谱仪测量光谱对比,验证了系统高速光谱解调能力,解调速率为51.2 MHz。结合光谱反演算法得到了沿光栅轴向的温度分布,空间分辨率为200μm,实现了传感光栅高速、高空间分辨率温度传感。     

汽相Cd压控制下熔体生长CdTe晶体的研究

根据测定的CdTe熔体平衡蒸汽分压与温度关系,通过汽相Cd压控制熔体组成生长CdTe晶体,有效地控制了晶体组成对化学计量比的偏离,且晶体完整性、电学与光学特性有了明显改善.测定的若干性能达到或超过国际上报道的最佳值.国内有关单位用以制作的温度传感器和液结光化学电池以及用作CdTe热壁外延衬底,均取得满意结果.