反铁磁超晶格体磁/声极化子分布性质研究

利用等效介质法推导得到了反铁磁超晶格的等效介电系数和等效磁导率,进而得到体系的体磁/声极化子方程.以FeF_2/SnTe超晶格为例进行了数值模拟.结果表明,在反铁磁共振频区附近体系存在具有负群速的高频和低频两个体模带.通过外磁场的变化,可以在不改变反铁磁超晶格结构和尺寸的情况调节负群速体模带的频率位置与宽度.研究结果将为新型慢光器件开发提供一定指导意义.     

一维简单晶格声子非线性局域态

利用量子相干态表象和多重尺度与准连续近似方法，研究了考虑格点间相互作用势展开至4阶项的一维简单晶格模型，求得了该晶格系统脉冲与扭结2种包络形式的声子非线性局域态，与用经典方法研究同一系统所得结果一致。     

碲化汞晶格热导反常压应变效应的第一性原理研究

众所周知施加静水压通常会增强块体材料的声子输运性质.通过采用第一性原理结合玻尔兹曼输运方程计算,该文发现碲化汞这种同时拥有优异热电性能和负热膨胀系数的材料具有反常的压应变热输运行为,即:与传统块体材料不同,碲化汞的晶格热导会随着压应变的增强反而迅速减小.这种反常的热现象主要归因于碲化汞中横波声学声子模式格林爱森常数的增强.该常数的增强也是碲化汞在低温区负热膨胀行为的主要原因.通过与传统块体材料(如金刚石)相比,我们的第一性原理计算还表明,正是由于碲化汞中奇特的电子分布特征导致了其较弱的剪切模量和较强的非简谐声子散射.这些发现为理解负热膨胀材料中声子输运性质与压应变的内在关联提供了新的见解,同时也为增强热电材料能量转换性能提供了新的方案.     

纳米结构体系的物理性质：重正化群研究

发展重正化群格林函数方法，计算了纳米结构体系的粒度分布、界面结构等对其声子态密度的影响．结果表明，粒度分布对纳米结构体系声子性质有重要影响，但不造成频移，造成纳米结构体系频移的因素是因尺寸变小时的结构畸变．     

侧向铁磁/铁磁超晶格的静磁模式

用等效介质理论计算了半无限侧向铁磁／铁磁超晶格的静磁模．以Fe／Ni超晶格为例具体计算了该超晶格的表面模式和体模式,展示出一些与磁性／非磁性超晶格不同的有趣性质．在这种超晶格中表面模式有两个分支,将这两支表面模与大块镍的表面模做比较．对于一个固定的传播角,其中一支表面模的频率高于大块镍的表面模的频率,另一支表面模的频率低于大块镍的表面模的频率．     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

Cu／TiO2超晶格的拉曼光谱

用拉曼光谱对Ｃｕ／ＴｉＯ２超晶格微结构进行研究。     

侧向表面超晶格膜的表面静磁模式

我们计算了一个侧向磁性－非磁性超晶格膜的表面静磁模式，其中膜厚度为Ｗ，并且超晶格周期是足够短以致这个超晶格膜可以被看做一个等效各向异性的磁性膜，此文重点研究了表面静磁模式的频率随超晶格膜中磁性介质比例变化的规律，并进一步证明当磁性介质的比例比非磁性介质的比例小时表面静磁不能存在，计算建立在Ｎｉ／Ｍｏ超晶格基础上并设磁性介质中的磁化和外场沿磁条的方向。     

TiO2／Cu超晶格结构表征

用磁控溅射方法制备TiO2/Cu超晶格，通过X射线衍射和电镜手段对其进行测试，利用X射线傅氏线形分析法对超晶格的微观进行表征，通过TEM对超晶格的截面形貌进行观察，发现其具有柱状生长结构。     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

囚禁离子内态的相干导致声子场的压缩

在非Lamb-Dicke近似下,当驱动经典激光场的频率与质心模红边带发生共振时,两个囚禁离子的内态与声子场耦合的动力学可用非线性Jaynes-Cummings模型来描述.当离子的初始内态处于无相干性混合态、振动声子场初始处于真空态时,演化后声子场无压缩性;而当离子的初始内态处于有相干性的迭加纯态、振动声子场初始处于真空态时,演化后声子场将表现出压缩性.在适当的初始条件下,声子场将表现出永久性压缩状态,并且压缩随时间作周期性变化.     

声子色散对激子的影响

本文计及纵光学声子的色散,用微扰法导出了激子的有效哈密顿,发现激子的有效质量、自陷能、电子-空穴有效作用势都与声子的色散有关.随着色散的加强,激子的有效质心质量、有效约化质量增大,电子-空穴有效作用势的屏蔽半径变短.     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子声子耦合系统的状态表示和基态特征(英文)

求出了在电子声子耦合系统中由于电子密度的涨落所导致的非绝热声子对系统的基态,极化子的特征和声子测不准关系的量子修正,在这计算中我们使用了一个表征相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式．由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定,极化子能带变窄的效应受到抑制,由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量．研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合．     

声子色散对极化子的影响

本文计及纵光学声子的色散,在抛物线近似下,计算了极化子的基态能量、有效质量和极化电势,从中发现:随着声子色散的加强,极化子的自陷能变大,有效质量增大,极化电势的屏蔽半径减小.     

超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。     

基于虚拟仪器技术的连轧管机组在线监测系统

为了保证连轧管机组的安全运行，对机组设备的运行参数进行在线监测是十分必要的。本文介绍了基于虚拟仪器技术的连轧管机组在线监测系统，并讨论了该系统硬件、软件的配置、结构和功能，现场运行表明，本系统具有抗干扰能力强，可靠性高，实时性强，可提供丰富的动态图形功能和良好的用户界面等优点。     

侧向超晶格中自旋波推迟模式的色散方程

本文利用磁性超晶格中自旋波的等效介质理论及麦克斯韧方程组，推导出侧向超晶格中自旋波推迟模式的色散方程。根据此方程可以计算出各种结构的侧向超晶格的自旋波推迟模式随外界条件的变化情况。