La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3中Mn位上的Cu掺杂效应研究

Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３系统中Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂效应通过测量其结构和输运性质而得以研究。结果表明,尽管Ｃｕ掺杂未引起晶体结构的变化,但输运性质却发生了明显改变,未掺杂样品在￣２６０Ｋ附近出现的由半导体到金属要相变随着掺杂量的增加而逐渐被抑制,取而代之的是低温下出现新的相变。液氨温度下磁电阻测量表明,适当的Ｃｕ掺杂可导致磁电阻效应比的实质性提高。     

水淬法制备Zr41Ti14Ni8Cu12.5Be22.5Fe2大块非晶合金

用水淬法制备出直径为９ｍｍ的Ｚｒ４１Ｔｉ１４Ｎｉ８Ｃｕ１２．５Ｂｅ２２．５Ｆｅ２非晶棒；ＸＲＤ和ＤＳＣ对获得的非晶合金进行各种分析，研究了铁元素对Ｚｒ４１Ｔｉ１４ＮｉＣｕ１２．５Ｂｅ２２．５Ｆｅ２非晶形成能力，硬度及热稳定性的影响。     

Sc的掺杂对La0.7Sr0.3MnO3磁电阻性能的影响

采用配合物热分解法制备了Ｍｎ位Ｓｃ掺杂Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３的多晶相材料，考察了掺杂对结构，磁性和磁电阻性能的影响。结果表明，少量Ｓｃ的掺入可使体系Ｃｕｒｉｅ温度大大降低，电阻急剧增加，并可显著提高磁电阻效应。     

Alq3 有机发光二极管中的正负磁电导转变

制备了基于Alq₃ 的有机发光二极管, 器件结构为ITO/CuPc/NPB/Alq₃/LiF/Al, 并在不同温度下测量了器件在恒压偏置下传导电流的磁电导效应. 当Alq₃ 发光层的厚度为15 nm 时, 在器件的传导电流从双极电流过渡到单极电流的过程中, 器件的磁电导发生了明显的正负转变; 而当Alq₃ 发光层的厚度为65 nm 时, 在传导电流从双极电流到单极电流的过渡过程中, 器件的磁电导呈现随电流减小先上升后下降的变化趋势, 但磁电导的值在任何测量条件下始终为正, 并未出现正负转变的现象. 双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型和激子-电荷反应模型来进行解释, 而单极电流的磁电导效应虽然可归因于器件中的极化子-双极化子转变, 但仍需要进一步的研究.     

η3-苯并三唑-噻吩甲酰三氟丙酮的五核铜簇合物的合成和晶体结构

报道了以噻吩甲酰三氟丙酮和苯并三唑两种配体为桥的铜－氮簇合物Ｃｕ５（ＢＴＡ）６（ＴＴＡ）４·５ＤＭＦ的合成和晶体结构．配合物由Ｃｕ（１），Ｃｕ（２），Ｃｕ（３）和Ｃｕ（４）离子围绕中心的Ｃｕ（５）离子构成四面体骨架结构，簇合物的中心铜离子具有六配位的扭曲八面体结构，周边的４个铜离子具有五配位的扭曲四方锥结构．每个苯并三唑分子的３个氮原子同时桥连３个金属铜离子（η３　－形式），周围的铜离子与中心离子Ｃｕ（５）的距离为０．３５６２～０．３７５５　ｎｍ，而４个周围铜离子相互之间的距离为０．５７８７～０．６３０２　ｎｍ．     

钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3巨磁电阻p-n结

用激光分子束外延成功地制备出钙钛矿氧化物La_0.9Sr_0.1MnO₃/SrNb_0.01Ti_0.99O₃p-n结, 首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和巨磁电阻效应. 其巨磁电阻特性与掺杂的镧锰氧化物是非常不同的, 当温度为300, 200和150 K时, p-n结具有正磁电阻特性; 当温度为100 K时, 在低磁场条件下, p-n结呈现正磁电阻特性, 随着磁场强度的增加, p-n结变为负磁电阻特性. p-n结的磁电阻变化率ΔR/R₀(ΔR = R_H -R₀, R₀是外磁场为0时p-n结的电阻, R_H是外磁场强度为H时p-n结的电阻) 在300 K条件下, 当磁场强度为0.1和5 T时, 达到8%和13%; 在200 K条件下, 当磁场强度为5 T时, 达到41%; 在150 K条件下, 当磁场强度为1 T时, 达到40%; 在100 K条件下, 当磁场强度为0.13和5 T时, 达到10%和-60%.     

Bi2Sr2CaCu2O8+x内禀结在毫米波段的谐波混频

报道了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ内禀结在毫米波段的谐波混频。在３ｍｍ波段上,谐波次数达５０次。还给出了谐波混频中直流偏置和本征功率与中频输出功率的关系曲线,并对实验结果作了初步讨论。     

CuO/TiO2体系中的氢溢流效应

以ｎ型半导体ＴｉＯ2为载体的负载型催化剂在那些涉及微区内或穿过界面的电荷传递或质子转移的氧化还原反应中,往往显示出与其他负载型催化剂不同的特性[1].最近,我们用浸渍法制备了ＣｕＯ/ＴｉＯ2(锐钛矿)系列样品,以其为代表来研究这一性质.ＴＰＲ结果表明,负载在ＴｉＯ2载体上的ＣｕＯ在540Ｋ后就已经全部被还原.继续升高温度至650Ｋ左右,ＴｉＯ2载体开始还原,这个ＴＰＲ峰在图谱上表现为一个弥散的“大包”(图略),峰温在760Ｋ左右,而且,还原温度并不随ＣｕＯ的负载量不同而发生改变.计算表明,仅有最外层的Ｔｉ4 离子得到了还原,成为Ｔｉ…     

用锥形量热仪研究Cu2O和MoO3对PVC阻燃抑烟的作用

大量的研究工作表明Ｃｕ２Ｏ及ＭｏＯ３对ＰＶＣ具有明显的阻燃,特别是抑烟的效果。锥形量热仪是新一代的量热手段之一,可以同时给出多种热及烟的参数,对材料在实际火情中的行为具有重要的实用和理论价值。     

单晶C60压力诱导相变

在２９０Ｋ温度下和０－０．６００ＧＰａ流体静压国和范围内,通过对块体Ｃ６０单晶的直流电导测量,观察到在０．１７６ＧＰａ的压力下Ｃ６０单昌的电导发生一个大的跳跃,该跳跃对应于Ｃ６０单晶分子自旋取向从有序琶无序可逆相变。     

FeCo-SiO2颗粒膜的磁性和隧道磁电阻效应

利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量ｆｖ的Ｆｅ－ＳｉＯ２金属－绝缘体颗粒膜，系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应，在ｆｖ＝０．３３处得到最大磁电阻值为－３．３％，在同样的制备条件下保持ｆｖ＝０．３３，用Ｃｏ取代Ｆｅ得到一系列的（Ｆｅ１００－ｘＣｏｘ）０．３３（ＳｉＯ２）０．６７的颗粒膜，对其ＴＭＲ的研究发现在ｘ＝５３时得到最大磁电阻值－４．５％，且Ｃｏ对Ｆe的替代基本没有影响     

一步室温固相化学反应法合成CuO纳米粉体

利用ＣｕＣｌ２．２Ｈ２Ｏｇ与ＮａＯＨ的室温固相化学反应直接合成了ＣｕＯ纳米粉体,用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜对固相反应物的组成,大小,形状进行了表征,结果表明,产物ＣｕＯ颗粒大小均匀,粒径为２０ｎｍ左右。     

南沙海域基于234Th -238U不平衡的颗粒态有机碳输出通量及其时间演化

测定了南沙海域一时间系列站 ｔ１， ｔ２时刻（相距 １２．３ ｄ）水柱各相态２３４Ｔｈ比活度及相关的水化学要素．结果发现真光层中溶解态２３４Ｔｈ比活度随时间的推移而降低，颗粒态２３４Ｔｈ比活度随时间的推移而升高，总２３４Ｔｈ比活度则几乎保持恒定，表明２３４Ｔｈ在溶解相与颗粒相两相间的快速转换．水柱总２３４Ｔｈ的垂直分布呈现“双亏损层”的分布模式．运用稳态不可逆清除模型估算出两个时间点上真光层的颗粒态有机碳（ＰＯＣ）输出通量，分别为４６．５和１３．１ｍｍｏｌＣ／ｍ２·ｄ．对ＰＯＣ输出通量的估算产生显著影响的不是２３４Ｔｈ清除模型而是真光层底部 ＰＯＣ／２３４Ｔｈｐ值的选取．     

FeXCu1-X颗粒膜反常输运性质

介绍ＦｅＸＣｕ１－Ｘ纳米颗粒膜的输运研究工作。用磁控溅射的方法制备了系列组分的ＦｅＸＣｕ１－Ｘ颗粒膜,发现在很宽的温度范围内（１２￣２９０Ｋ）有显著的负阻温特性,而且随着溅射时间、铁铜原子比、退火条件的改变分别有着负阻温特性向正阻温特性的转变过程;当Ｘ＝０．６４溅射时间为１ｍｉｎ时,出现了比一般非晶合金大一个数量级的负阻温变化;结合非晶态理论对实验现象给出了定性解释。     

磁性多层膜研究进展──各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应和特巨磁电阻效应

磁性和非磁性层交替重叠构建的金属磁性多层膜通常具有巨磁电阻效应、其中每层膜的厚度约纳米数量级。本文拟就讨论各向异性磁电阻效应、巨磁电阻效应和特巨磁电阻效应。由于在信息存储技术中的应用潜力，人们对巨磁电阻效应发生了浓厚的兴趣。     

Fe/Ag/Fe夹层结构中磁光效应和光学常数的振荡

近年来,磁性夹层结构和多层膜中相邻磁层间的层间耦合受到各国科学家的广泛重视,一方面,在于多层膜中由反铁磁耦合导致的巨磁电阻效应比传统的坡莫合金要大1～2个量级,在磁头材料和磁电阻敏感器件等领域具有重要的应用价值;另一方面,在于它包含诸如传导电子间交换相互作用等深刻的物理问题.与层间耦合相关联的磁光效应振荡也引起了人们浓厚的兴趣,在夹层结构Fe/Cu/Fe和Co/Au/Co中发现磁光效应随着中间非磁层厚度的变化作周期性的振荡,且振荡周期与层间耦合的振荡周期相同;但是Katayama等人在Fe/Ag,Au/Fe     

磁性多层膜研究进展：各向异性磁电阻效应,巨磁电阻效应和特巨磁电阻…

磁性和非磁性层交替重叠构建的金属磁性多层膜通常具有巨磁电阻效应，其中每层膜的厚度约纳米数量级。本文拟就讨论各向异性磁电阻效应，巨磁电阻效应和特巨磁电阻效应。     

复合材料Terfenol-D/PMNT的磁电和逆磁电响应

给出了Terfenol-D/PMN-PT/Terfenol-D(TD/PMNT/TD)和PMNT/TD/PMNT两种层状复合材料的磁电和逆磁电响应的测试方法和测试结果. 这两种复合结构的优化直流偏置磁场大小均为350 Oe(1 Oe=79.58 A/m). 在1 kHz频率下, 这两种复合材料的最大磁电电压系数分别为384 mV/Oe和158 mV/Oe, 最大逆磁电系数分别为118 mG/V和162 mG/V (1 G = 10^-4 T). 另外研究了这两种复合材料在谐振频率下的磁电响应. 通过对两种复合结构的比较得知, 磁致/压电/磁致复合结构具有好的磁电响应; 而压电/磁致/压电复合结构具有好的逆磁电响应. 这一结果有助于优化设计高性能压电/磁致复合磁电材料.     

TCNQ 分子在Cu(111)面上吸附结构的电化学扫描隧道显微技术

用电化学扫描隧道显微技术（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＥＣＳＴＭ）研究了０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌＯ４溶液中ＴＣＮＱ分子（ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）在Ｃｕ（１１１）表面的吸附结构。结果表明，ＴＣＮＱ分子在Ｃｕ（１１１）表面形成有序的（４＊４）结构，分子的π结构，分子的π电子与Ｃｕ表面相互作用，形成“平卧”的水平     

Fe/Mo多层膜巨磁电阻及层间耦合振荡

近年来研究发现,由磁性材料和非磁性材料交替沉积而构成的金属多层膜和三层(Sandwich)结构系统中,非磁性层厚度发生变化时,相邻磁性层之间出现铁磁性耦合和反铁磁性耦合的交替变换,这种现象称为层间耦合的振荡.零场时若多层膜的相邻磁层呈反铁磁耦合,在外磁场作用下将导致多层膜电阻的大幅度下降,即产生巨磁电阻(Giantmagnetoresistance)效应.巨磁电阻效应最初在Fe/Cr多层膜系统中发现,随之在Fe/Cu,