温度和量子线的纵横比对电导振荡现？…

利用两端区域为二维自由电子气，中间区域为准一维均匀值通道的简单理论模型，即２Ｄ－准１Ｄ－２Ｄ模型，了低温下不同纵横比（通道长宽比）的量子线电子弹道输运性质。理论计算结果表明，量子线弹道区电子输运性质与道纵横比和温度两者有密切关系，即随重整化标准费米能变化而产生的电导量子化和电导振荡现象强烈地依赖于温度和通道纵横比两者，而不仅仅依赖温度。     

势垒对量子线电子输运性质的影响

理论研究了势垒对量子线中电子弹道输运性质的影响．我们采用了转移矩阵方法和截断近似技术．计算结果表明,当不存在势垒时,量子线的电导呈现出台阶的性质．电导的每一台阶对应于一横向能级被占据．当量子线的一边存在势垒时,电导的台阶特征仍能保持．但当量子线的两边都存在势垒时,电导的台阶特征被破坏了．     

耦合量子线-量子点体系中的Fano效应

利用非平衡格林函数方法,研究了耦合量子线-量子点体系的相干电子输运性质.研究发现:对于旁耦合一个2能级量子点的量子线的线性电导呈现有趣的电导降中带电导峰的现象;而对于耦合2量子点体系,线性电导表现为有趣的多共振现象.由于Fano干涉,上述电导峰电子的线型不是洛仑兹型的.     

钠纳米线的结构与电子特性

将密度泛函理论基础上的第一性原理计算同经验分子动力学模拟相结合系统的考察了晶状和螺旋两类典型钠纳米线的结构特征和输运性质.对纳米线的力学和热学稳定性分析表明,螺旋线的综合稳定性优于晶状线.而根据量子电导的计算,纳米线的电导总体上随着线径的增大而增加,并且晶状线比螺旋线具有更多的电导通道.     

边缘势效应对电子输运性质的影响

研究了磁场及无序杂质存在条件下,边缘势效应对磁场下二维无序杂质系统中的电子输运性质的影响.边缘势越小,电子输运通道越容易打开,电导"台阶"越易向能量小的区域平移;边缘势较大,电子需要较大的费米能才能打开一个量子通道,电导"台阶"越向右平移;边缘势一大一小时,"台阶"有先左后右的平移趋势.系统电导随着磁场的变化表现出周期性振荡行为,系统电导的极值也随边缘势的变大而减小.受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质质量百分数的增大而减小.     

点内库仑相互作用对三量子点系统输运性质的影响

本文利用非平衡格林函数运动方程方法,研究了与两个电极耦合在一起的三耦合量子点系统中,点内部的库仑关联或阻塞与点间的耦合强度对体系输运性质,即对系统微分电导和系统态密度的影响.通过理论计算发现,由于量子点上的局域态密度的不同从而导致系统微分电导或隧穿性质的不同,会开启新的Kondo输运通道,也会增强一些原有的输运通道.     

气体原子吸附对铜原子线输运性质的影响

采用广义梯度近似下的密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法系统研究了纯铜原子线的输运谱及氢、氧气体原子吸附对铜原子线输运性质的影响.结果表明,氢、氧原子吸附会大幅降低铜原子线的平衡电导,通过电导本征通道分解方法,观察到这主要是由于气体原子吸附对电子波函数产生强烈散射,导致本征通道透射几率减小造成的.     

人造双原子分子的自旋极化电子输运

利用非平衡格林函数方法研究了Aharonov-Bohm环中人造双原子分子的自旋极化电子输运性质.计算了量子点中自旋相关的占有数、自旋积累以及系统总电导和自旋极化率.发现两电极之间的耦合强度以及量子点之间的耦合强度对系统自旋相关输运性质以及总的电导有重要影响.     

马约拉纳费米子-量子点杂化系统输运性质的研究

从理论上研究马约拉纳费米子-量子点杂化系统的输运性质.基于广义主方程方法,计算通过此系统的电流、微分电导和Fano因子.计算结果表明:马约拉纳费米子与量子点中电子的耦合导致系统的零偏置反常,而2个马约拉纳费米子的耦合压制系统的零偏置反常.     

Pd纳米粒子点阵的电子输运特征及其与纳米粒子覆盖率的关系

研究了Pd纳米粒子点阵在不同温度下的电子输运特性.对于覆盖率达到渗流阈值附近的纳米粒子薄膜,其电导具有显著的量子输运的特征.随着温度的降低,I-V特征曲线表现出越来越明显的非线性,满足Middleton-Wingreen(MW)模型所描述的标度律.处于量子传导态的Pd纳米粒子阵列在低温下以变程跳跃(VRH)为主要输运方式,而在高温下则是以热激活隧穿为主要输运形式.     

圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态

半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.     

温度对量子点接触电导量子化的影响

利用简单的２Ｄ－准１Ｄ－２Ｄ（二维－准一维－二维）理论模型，研究了零温和有限温度下，介观尺寸量子点接触中的电导随费米能的变化关系，计算表明，在较低温度下（如８Ｋ），温度效应使一定纵横比的量子点接触电导一台振荡消失，但电导仍２ｅ＾２／ｈ为单位的量子化。     

取代基对分子线电子性质的影响

采用Gaussian98量子化学软件中的AM1方法，分别计算不同取代基下分子线的电子结构。通过对最低未占有轨道（LUMO）形状的分析，研究了不同取代基对分子线电子性质的影响。结果显示吸电子基可以引起LUMO的定域化，从而对分子线的电子输运产生了影响。     

电场对抛物量子线中强耦合极化子性质的影响

采用线性组合算符法和变分法研究了电场对抛物量子线中强耦合极化子性质的影响，在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下，计算了抛物量子线中强耦合极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中强耦合极化子的基态能量Eo随约束强度ω0的增强而增大，而随电场强度F和量子线长Z的增大而单调减小．     

准一维量子线阵列天线研究

基于对影响传统天线增益因素以及准一维量子线结构中的电子输运特性的分析,提出了利用准一维量子线阵列构建新型纳米阵列天线的设想,并利用碳纳米管阵列构建了研究纳米阵列天线辐射原理的实验样机.实验结果表明,由准一维量子线构成阵列天线的电磁辐射效率和带宽均优于传统微带天线.     

在水相中优化合成CdTe半导体量子点

用巯基丙酸(MPA)作稳定剂,在氮气保护下,水相中合成了CdTe半导体纳米量子点.通过荧光光谱(PL)分析、透射电子显微镜(TEM)和X线粉末衍射(XRD)光谱分析对产物进行了表征.实验结果表明:反应时间、温度、pH值、Te2-和Cd2+的物质的量比及巯基丙酸与镉离子的比例,对CdTe量子点的粒径大小、粒径的分布和粒子...     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

电磁场辐照下量子线的两能级电子波函数

从理论上研究了在横向极化的外电磁场辐照下量子线的电子态．使用量子光学中两能级原子与电磁场相互作用的半经典方法，得到了在自由电子和弱场假设下两能级电子与场相互作用的波函数表达式．此波函数包含了外场的频率和强度以及量子线的几何参量，由此可研究决定系统与时间有关的输运性质．     

边耦合量子点系统的全计数统计研究

基于有效粒子数分辨的量子主方程,研究了边耦合双量子点系统中电子的全计数统计.当点间隧穿耦合强度与量子点电极耦合强度的比值小于某一数值(约为1/3)时,可以观察到超泊松噪声,并且超泊松散粒噪声可以用快慢输运通道解释.此外,系统量子相干性对电子全计数统计的影响只有在点间隧穿耦合强度相对于量子点电极耦合强度较弱时起主要作用.