首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到16条相似文献,搜索用时 250 毫秒
1.
在RHF/6 31G 和B3LYP/6 31G 水平下优化了3,6 二甲氧基环丙基萘(MOCPN)的平均几何构型,用B3LYP/6 31G 方法计算了该化合物的红外光谱,并用GIAO分别在B3LYP/6 31G 、B3LYP/6 311G 和B3LYP/6 311 G 水平对该化合物的核磁共振谱进行了研究;计算结果与实验结果吻合很好.  相似文献   

2.
利用ab initio HF和密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,在6-31G*基组下对1,3-二甲基-5-吡唑-2,4-二氯苯甲酸酯及其同分异构体进行了构型优化和频率分析.在6-31 G**,6-311G*,6-311 G*和6-311 G**不同基组下进行了能量计算,系统分析了前线分子轨道特征和能级分布规律.计算结果表明:标题化合物比其同分异构体的能量低、结构稳定.  相似文献   

3.
给出了用3,6-二氧辛二酸二乙酯和醋酸铵反应合成目标化合物2,2′-(吡咯烷-2,5-二亚基)二乙酸乙酯(Ⅳ)的具体方法并优化了反应条件.采用密度泛函方法,在B3LYP/6-311G**水平上计算了Ⅳ的优化构型和电荷分布.  相似文献   

4.
给出了用3,6-二氧辛二酸二乙酯和醋酸铵反应合成目标化合物2,2′-(吡咯烷-2,5-二亚基)二乙酸乙酯(Ⅳ)的具体方法并优化了反应条件.采用密度泛函方法,在B3LYP/6-311G**水平上计算了Ⅳ的优化构型和电荷分布.  相似文献   

5.
用密度泛函B3LYP方法在6-31 G(d,p)水平下优化了三种第一系列过渡元素单核羰基化合物几何构型,进行了振动分析,并用GIAO方法在相同的基组水平上对它们的核磁共振碳谱进行了研究;同时,在B3LYP/6-31G(d,p)基组水平上对两种第一系列过渡元素双核羰基化合物进行了构型优化和振动分析,并在B3LYP/6-31 G(d,p)基组水平上进行核磁共振碳谱的计算.计算结果与实验结果吻合较好.  相似文献   

6.
对几种橙酮化合物的荧光光谱进行了理论研究.在B3LYP/6-31G水平下优化了3种化合物的几何构型.结构分析表明:3种化合物的各环均处于同一平面,体系为较大的共轭体系.在振动分析中,均未出现虚频率.基于此,分别用C IS方法在B3LYP/6-31G和B3LYP/6-311G水平下计算了该类化合物的荧光光谱,相对误差在可接受范围内.此外,对两种水平下的计算结果进行了分析比较.研究表明:虽然两种基组的计算结果都与实验值较为吻合,但6-311G基组水平上的计算结果相对较好,所以在对计算精度要求较高时,优先选择6-311G基组水平进行计算.  相似文献   

7.
用量子化学密度泛函理论对路易斯酸Sn(OTf)2催化活化供电子-吸电子环丙烷的机理进行了量子化学研究.在B3LYP/6-31G计算水平全优化了反应势能面上所有驻点的几何结构,用自洽反应场极化连续介质模型分别在B3LYP/6-31G和B3LYP/6-311G(d,p)计算水平计算了单点溶剂化效应.结果表明,Sn(OTf)2催化活化D-A环丙烷是通过它们的配位作用增大C1-C(2)偶极矩和降低反键轨道σ*(C1-C2)的能量来实现的  相似文献   

8.
利用Gaussian 03软件计算了1,1-二氯乙烯分子在不同外加电场条件的结构和光谱.首先采用Density Functional Theory (DFT)理论,在B3LYP/6-311++G(d,p)高精度基组水平上获得了不同外电场下1,1-二氯乙烯分子的优化构型、键长、总能量、电偶极矩、电荷分布和轨道能级.其次,利用相同的方法进行了频率计算,进一步获得了不同外电场下1,1-二氯乙烯分子的基态振动模式和红外光谱.最后,利用Time-Dependent Density Functional Theory (TD-DFT)方法,在B3LYP/6-311++G(d,p)高精度基组水平上计算并分析了不同外电场对分子激发态的能量、激发波长以及紫外吸收光谱的影响.这些结果不但可以为实验上研究外电场中1,1-二氯乙烯分子物理化学性质提供数据支撑,而且可以为进一步预测1,1-二氯乙烯分子电场解离机制和降解提供理论指导.  相似文献   

9.
用量子化学从头计算(HF)和密度泛函理论(DFT)对1,3-磷锗丙二烯及其相关分子进行了研究.在6-311 G(d,p)和6-311 G(3df,2p)基组水平优化上计算了各标题物的平衡几何构型.结果表明:1,3-磷锗丙二烯及1,2,3-磷硅锗丙二烯为弯曲几何构型,负离子也为弯曲几何构型.另外,在B3LYP/6-311 G(d,p)水平上计算了各标题物的旋转势垒,定性估算了各标题物分子中Ge=C、Ge=Si、C=P、Si=P和Ge=P等双键的相对强度.  相似文献   

10.
在B3LYP/6-31G**水平下优化了8种B环间位取代异黄酮衍生物的几何构型,在振动分析中,均未出现虚频率,在B3LYP/6.311G**的水平下计算了该类化合物的核磁共振谱,研究结果表明:其中前4种分子均有氢键形成,因此整个分子形成了一个四环的交叉共轭体系,进一步讨论了取代基引入之后对C和H的化学位移的影响.  相似文献   

11.
利用量子化学的从头算方法, 在6-311+G**基组下, 分别应用HF, MP2, BLYP, B3LYP方法优化各种可能的S4分子构型, 计算 各构型的振动光谱, 并在HF/6-311+G**优化的几何结构基础上, 分别在MP4/6-311+G **和QCISD(T)/6-311+G**水平上考虑相关能修正对总能量的影响. 比较各 种方法计算的几何结构的差别和各构型的相对稳定性, 得出顺式平面C2v对称 构型为基态的结论. 计算表明, 确定该类分子的基态构型必须考虑电子关联效应的影响, B3LYP是计算该类分子既经济又实用的方法.  相似文献   

12.
对一些叠氮化合物的叠氮自由基键离解能的计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
用4个高精度的完全基组CBS(CBS-Q,CBS-QB3,CBS-Lq和CBS-4M),B3LYP/6-311G,B3LYP/6-311 G和MP2配合6-311G与6-31 G等多个不同大小的基组的计算方法,对HN3、CH3N3、C2H5N3、NCN3、C2H3N3和NH2CH2N3中离解掉叠氮自由基(·N3)时的键离解能进行计算.将计算的键离解能与实验值进行比较,发现B3LYP和4种完全基组计算方法都不能为这些叠氮化合物计算出满意的键离解能,而MP2方法,尤其配合6-31 G基组时,能够计算出与实验值吻合得很好的R—N3键离解能.因此,当计算这些中小型叠氮化合物中离解掉叠氮基的键离解能时,用MP2/6-31 G是一种可靠的计算方法.  相似文献   

13.
用密度泛函理论B3LYP方法研究了单、三重态CCl2与HNCS的反应机理.在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体和过渡态进行了全几何参数优化;通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)方法确认了中间体和过渡态;并用CCSD(T)/6-311++G**//B3LYP/6-311++G**方法计算了各个驻点的单点能.结果表明,对于单、三重态CCl2与HNCS反应,共有4条可行的反应通道,且通道CCl2(S)+HNCS→IM1→TS1→IM2→HCN+CCl2S(P1)反应能垒最低,为该反应的主反应通道;单重态抽提亚氨基通道反应能垒也比较低,为主反应通道的竞争通道.可为进一步实验研究提供参考.  相似文献   

14.
硝酸酯含能材料中O-N键离解能的计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用密度泛函方法B3LYP、B3PW91和B3P86结合6-31G**和6-311G**基组,计算了4个硝酸酯化合物的键离解能,并将其与试验值进行比较。结果表明:B3P86方法结合6-31G**基组可以得到与试验符合较好的键离解能。使用这种方法,计算了其他19个硝酸酯类含能材料的键离解能。进一步将C-NO2键、N-NO2键和O-NO2键的键离解能进行比较,结果发现含有一个C-NO2键或N-NO2键的化合物的键离解能要比含有一个O-NO2键的键离解能大。  相似文献   

15.
CH2CO+CN的多通道反应的理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用密度泛函B3LYP/6-311G^**方法和CCSD(T)理论研究了CH2CO与CN自由基反应的微观机理,揭示了该反应存在加成-消除机理和直接吸氢机理.研究结果表明,生成CH2CN(CH2NC)+CO的反应是主反应通道,且理论计算结果和反应速率常数的计算结果较好地解释了实验中观察到的主要产物和副产物并存的现象.  相似文献   

16.
采用密度泛函DFT(B3LYP)方法,在6311G**,6—311++G**以及cc-pvtz基组水平上,计算了2-硝基丙烯在热解反应过程中反应物、过渡态和中间体的几何结构,研究了各反应沿极小能量途径反应分子几何构型的变化,并通过电子密度拓扑分析,讨论了反应过程中化学键断裂、生成的变化规律.结果表明,2-硝基丙烯的热解反应存在2种反应机理,一是甲基上的H原子进攻硝基上的O原子直接生成CH2CCH2和HNO2,反应位垒为199.6kJ/mol;二是O原子进攻亚甲基C原子首先生成四元环状中间体,住垒为200.3kJ/mol,环状中间体进一步发生C—C键和N-0断裂生成CH2CNO和CH2O,此反应是一个一步反应,位垒为144.7M/mol,所得环状中间体的分解反应机理与现有的AM1的研究结果不同.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号