FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响

在场致发射显示器 (FED)中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动 ,从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 ,对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 :采用有限元法计算带有介质支撑墙的 FED电场分布 ,采用 Runge- Kut-ta法计算该空间电子轨迹 ,得出了支撑墙对 FED电子轨迹影响的数值结果。模拟结果显示 ,在三极型和四极型 (聚焦型 )结构中 ,支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射和电荷积累效应 ;与之相反 ,平面型发射结构则很好地避免了这一负面影响     

场致发射显示屏技术的研究

介绍了场致发射显示技术的工作原理及特点,分析了微尖型场致发射阴极、膜状型场致发射阴极的场致电子发射特性,对场致发射显示屏（FELLS）的结构做了研究,并讨论了影响场致发射显示屏性能的主要因素及改进的措施．     

Ni颗粒对碳纳米管场致电子发射的影响

根据Fowler-Nordheim的场致电子发射机制建立了顶端被催化剂Ni颗粒封闭的碳纳米管场致电子发射模型.利用该模型分析了Ni颗粒被移去前后碳纳米管场致电子发射性能的差异.分析结果表明Ni颗粒被移去前后碳纳米管场致电子发射性能的差异主要起源于碳纳米管顶端处电场强度的不同.     

一种含有吩噻嗪基团的二氟硼化合物荧光性能研究

采用吩噻嗪作电子供体,二氟硼核为电子受体,构筑一种供体-受体型电子结构化合物,并对其进行荧光性能测试和量子化学计算.结果表明,该化合物具有一定的溶剂效应、固态荧光发射和机械力致荧光变色性能.     

PLZT阴极的电子发射性能研究

本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能。从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材料的方法．     

等电子谱线法诊断等离子体电子温度实验研究

在"星光Ⅱ”激光装置上对Mg/Al混合材料平面靶和Mg/Al示踪层金盘靶进行三倍频激光打靶实验,用平面晶体谱仪测量靶材料发射的X光光谱,获取了示踪离子谱线实验数据.采用多组态Dirac-Fock方法计算所需原子参数,并在局域热动平衡条件下建立了双示踪离子谱线强度比随电子温度变化关系.在此基础上由双示踪元素等电子谱线法确定了Mg/Al混合材料平面靶及金盘靶激光等离子体的电子温度.     

HL-2A装置中的电子回旋波电流驱动

 通过将相对论Fokker Planck方程与波迹方程联合求解,对HL-2A装置中的电子回旋波电流驱动进行了数值模拟,研究了在HL-2A单零偏滤器条件下,中平面弱场侧发射的电子回旋波寻常波电流驱动。结果表明,HL-2A中的电子回旋波电流驱动效率较低并且受温度影响较为明显。     

Ge_6H_6几何构型的稳定性和电子结构的研究(英文)

应用GAUSSIAN 92从头算方法研究了Ge6H6 几何构型的稳定性和电子结构 ,主要研究了两种最可能的几何构型 ,发现最稳定的构型是平面六锗苯 .平面六锗苯比棱柱六锗苯的能量低 2 0 .9kJ/mol,我们也研究了平面六锗苯和棱柱六锗苯的电子结构     

腺嘌呤衍生物的合成及光学性质表征

以天然碱基腺嘌呤为母体,通过酰胺键和脲键引入芳环,合成出10个腺嘌呤衍生物。与腺嘌呤相比,腺嘌呤衍生物的紫外最大吸收波长红移至283～295nm,在吸收有害紫外射线UVA、UVB方面更具优势。通过分析紫外吸收和荧光发射数据,探讨了分子共轭体系、取代基类型以及分子非平面结构对紫外吸收能力和荧光发射强度的影响,并对腺嘌呤衍生物光学性能与分子内氢键开合之间的关系作出初步讨论。     

声发射信号通过螺栓紧固联接界面的试验研究

在声发射的实际应用中,采集的声发射信号很多都是经过不同界面传输的,其传播特性也受到不同程度的影响,其中通过螺栓紧固联接平面界面传播是最常见的一种。分析了引起声发射信号衰减的各种原因,采用成都动科信号采集卡及其相应的分析系统,模拟设计几组螺栓紧固联接平面试件来进行声发射信号传播特性研究。初步分析研究了在表面粗糙度、压力、接合面介质等不同条件下声发射信号通过螺栓紧固联接平面界面传播后的衰减情况,为声发射检测复杂结构设备具有重大参考意义。     

NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究

在无铅铁电阴极钛酸铋钠（NBT）中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中，观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响，修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式，由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象，揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生，也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理，进行了NBT与锆钛酸铅（PZT）的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常     

低电子亲和势的场助热电子发射阴极

具有金属 /绝缘层 /半导体 /金属结构的场助热电子发射阴极是大屏幕显示器中的主要候选部件。电子发射受到各层薄膜的厚度、材料组分和结晶状态等的严重影响。由Au/Ag双层薄膜构成的上电极使得电子亲和势降低0 .5 e V,发射电流提高了数倍。半导体材料 Zn1 - x Mgx O具有低的电子亲和势以及适合电子注入的带隙宽度 ,并且已经较为容易地用溅射方法制备。上电极和半导体层之间的晶格匹配可以降低电子在界面上的散射 ,对提高发射电流是很重要的 ,这已经在 Zn1 - x Mgx O/Au和 L i F/Au界面上实现。在绝缘层和半导体层之间引入界面态控制层可以大大降低驱动电压 ,对采用宽带隙半导体层的阴极尤其具有实用价值     

Y_2O_3掺杂压制钡钨阴极的制备及发射性能研究

通过溶胶凝胶法制备氧化钇、活性盐和钨均匀混合的前驱粉末,结合氢气高温烧结制备得到稀土氧化物Y2O3掺杂压制钡钨新型阴极材料,并分别测试其热电子发射性能和二次电子发射性能。试验结果表明,采用溶胶凝胶法制备的阴极粉末颗粒分布均匀且细小,在高温烧结过程中有利于活性盐与基体钨之间反应充分,从而形成有利于提高发射的活性物质。发射性能测试结果显示:激活良好的阴极在测试温度1 050℃时的零场电流密度J0为4.18A/cm2;二次电子发射系数随Y2O3含量增加而增大,最大二次电子发射系数δm可以达到2.92。对阴极进行表面分析,激活过程中活性元素Ba、Y和O等从阴极内部向表面扩散,在表面形成均匀分布的发射活性层,促进了阴极的发射。     

高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.     

氟化镧掺铕/氧化石墨烯纳米复合物的水热合成及荧光性能

利用简单的水热合成法得到了氟化镧掺铕/氧化石墨烯纳米复合物(La1-x F3∶Eux3+/GO).利用X射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FE-SEM),扫描透射电子显微镜(STEM)和荧光光谱(PL)对样品的组成和形貌进行了表征.结果表明粒径为20nm左右的六边形La1-x F3∶Eux3+纳米片均匀分布在GO表面.详细讨论了反应条件对合成的影响.在397nm紫外光的激发下,在588nm处的橙色发射峰为最强峰.     

Influence of pulse polarity on electron emission property of antiferroelectric ceramic

The electron emission property of a novel antiferroelectric cathode material lanthanum-doped lead zirconate stannate titanate （PLZST） on the application of positive or negative triggering voltage pulses has been investigated. All experiments were performed in a vacuum of 10-5 Torr and at room temperature. It was discovered that there were two electron emission pulses when low positive triggering voltage was applied to the rear electrode, and three electron emission pulses when high positive triggering voltage was applied. However there were always two electron emission pulses when negative triggering pulses were applied. This phenomenon is proposed to be a result of both field electron emission at triple junctions and electron emission caused by polarization reversal. The experimental observations indicate that domain movement in the vicinity close to the triple junction under applica- tion of the triggering voltage pulse may be a primary origin of electron emission from PLZST.     

PZT阴极的XPS研究

通过对PZT 阴极进行XPS 微观分析及发射前后性能参数变化的对比,在极化反转致电子发射的理论基础上,从发射电子的能量出发,发射后介电常数的减小及XPS分析得出的表面介质层的增厚均增大了发射电子能量,合理解释了实验中观察到的多次发射后起始阈值降低的现象。在此基础上制做的非化学计量整比铁电阴极具有更低的发射起始阈值。     

反向偏压下的异质结聚合物电致发光机理分析

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 .     

掺氮碳纳米管阵列的制备及其场发射特性

使用结构简单的单温炉设备,以二茂铁为碳源与催化剂,三聚氰胺为氮源在硅基底制备出了碳纳米管阵列。所得的碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm,长度为15μm,有着很好的定向性。透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子谱(XPS)分析表明所得的碳纳米管是氮掺杂的。利用场发射显微镜研究了掺氮碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启场强为1.60V/μm,场发射图像表明了其有较高的场发射点密度。     

测量氧化镁的二次电子发射系数

介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科技工作者所测的氧化镁的最大二次电子发射系数的范围内,表明用磁控溅射法制备的氧化镁的二次电子发射系数较低.