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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 203 毫秒
1.
电致发光矿灯由电致发光板和电池盒组成.L型场致发光板采用发光二极管(LED)阵列,驱动电压1.5V.输出功率10mw,发光强度4500mcd.寿命十年以上。D型场致发光板采用直流粉末厚膜发光器件DCEL,激励电源为脉冲振荡器.DCEL比LED更简单,成本更低.电致发光矿灯体积小,重量轻,功耗低,寿命长,坚固抗震,防爆安全,是二十一世纪理想的替代光源.  相似文献   

2.
文章简要介绍了 4 1/2 BCD码输出的 A/D转换器芯片 ICL7135的功能特点、引脚含义、工作原理及工作时序,给出了ICL7135与单片机以及用ICM7212作为其LED接口的应用实例。  相似文献   

3.
用可编程逻辑器件设计语言“ABEL”开发GAL器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
可编程逻辑器件PLD是七十年代发展起来的新型逻辑器件,近几年发展十分迅速。而PLD中的一种-CAL器件由于其性能及价格优良,在我国应用发展更是日益广泛。本文通过几个实例简要叙述怎样用可编程逻辑器件语言-“ABEL”开发可编程逻辑器件GAL。  相似文献   

4.
DDE与OLE是Windows3.1的比较重要的概念之一,它可在Windows系统中实现数据的共享,达到快速传送数据的目的。在此剖析了DDE和OLE,并给出应用实例。  相似文献   

5.
DDE与OLE是Windows3.1的比较重要的概念之一,它可在Win-dows系统中实现数据的共享,达到快速传送数据的目的。在此剖析了DDE和OLE,并给出应用实例。  相似文献   

6.
LED译码驱动器MC14499是MOTOROLA公司推出的一种较新型的串行BCD码输入--十进制码输出的CMOS集成电路芯片,本文介绍其结构功能及应用。  相似文献   

7.
1 显示器件的现状主要的显示器件 ,可概括为CRT和平板显示两大类 ,目前主要的显示器件如图 1所示。近 2 0年来 ,显示器件发展极快 ,其市场规模不断扩大。上升速度之快 ,市场规模之大 ,是其他电子器件所不及的。显示器件CRT显像管显示管示波管雷达指示管储存管平板显示LCD (液晶显示器 )PDP (等离子显示板 )VFD (真空荧光显示 )ELD (电致发光显示 )图 1 显示器件的分类在 1 999年 2月的日本东京会议预计 ,世界大屏幕电视市场 ,将迅速增长 ,2 0 0 2年可达 5亿美元 ,2 0 0 3年将达到 1 0亿美元 ,2 0 0 4年将达到 2 0亿美元…  相似文献   

8.
对近几年来有机薄膜电致发光(EL)器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜EL器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。  相似文献   

9.
利用电影脚本理论的基本思想,研究了LED(LightEmitingDiode)图文显示自动生成系统的数据体系结构,并给出了基于该数据模型的LED图文实时显示系统的应用.  相似文献   

10.
以PDDOPV作空穴传输层,配合两类不同厚度的Alq3电子传输层制作了两种有机LED器件,两种器件的电致发光特性有许多的不同处,本文讨论了发射光变量民各处合区域之间的关系。  相似文献   

11.
Wide bandgap(3.37 eV)and high excitonbinding energy of ZnO(60 meV)make it a promising candidate for ultraviolet light-emitting diodes(LEDs)and low-threshold lasing diodes(LDs).However,the difficulty in producing stable and reproducible high-quality p-type ZnO has hindered the development of ZnO p–n homojunction LEDs.An alternative strategy for achieving ZnO electroluminescence is to fabricate heterojunction devices by employing other available p-type materials(such as p-GaN)or building new device structures.In this article,we will briefly review the recent progress in ZnO LEDs/LDs based on p–n heterostructures and metal–insulatorsemiconductor heterostructures.Some methods to improve device efficiency are also introduced in detail,including the introduction of Ag localized surface plasmons and single-crystalline nanowires into ZnO LEDs/LDs.  相似文献   

12.
高功率半导体激光器标准列阵单元及散热器的设计与制作   总被引:1,自引:0,他引:1  
对高功率半导体激光器的标准列阵单元及散热器进行了设计和制作.采用该标准列阵单元及散热器对不同占空比的二维半导体激光器列阵的测试表明,中间通过插入不同厚度的无氧铜散热片,可有效地把不同负载的热量散发出去,保证器件有效工作,增加可靠性.并且可以通过简单地改变标准单元之间的散热片的厚度,从而改变激光器列阵的散热能力,控制不同的占空比因子。  相似文献   

13.
发光二极管(LEDs)是三明治结构的半导体材料。LED芯片是产生光和热量的核心功能器件,但累积的热量会严重影响LED的光学性能。因此,热管理在LED的封装和应用中十分重要。综述了一些现有的热故障。为了有助于进一步理解热管理,介绍了LED封装、热阻网络系统以及传热强化技术,以及通过降低热阻来实现有效温度控制的方法。  相似文献   

14.
高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照试验结果进行了对比分析研究.实验研究结果表明:掺金器件有最佳的VF~TRR折衷曲线,但高温特性却最差;掺铂器件有最佳的高温特性,但VF~TRR折衷曲线却最差;全面衡量器件各参数,12MeV电子辐照最有利于器件参数的最佳化.据此,提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案.  相似文献   

15.
对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产生与OLED内部电场的分布有着密切的关系,负电容开始出现的频率与电压的平方根呈指数关系。与超薄的单层空穴注入层相比,掺杂的空穴注入层不仅能降低器件的驱动电压,而且其载流子传输特性和出现负电容时的初始电压对频率有着更强的依赖性。  相似文献   

16.
针对非对称限幅光正交频分复用(ACO-OFDM)的可见光通信系统中发光二极管引起的非线性失真问题,提出了一种选择性判决反馈均衡(s DFE)方法.该法设计了一个具有选择反馈均衡功能的模块,用线性信号来补偿非线性信号解决了ACO-OFDM的非线性失真,所产生的线性补偿信号可根据限幅边界范围进行选择性判决反馈,实现补偿ACO-OFDM信号频谱.仿真结果表明:在不同光功率条件下,该方法能够有效改善误码率性能,比特误码率可以达到1.37×10~(-4),恢复信号的频谱幅度可达38 d Bm.  相似文献   

17.
测量了GaP:N绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱.从谱中可见,老化后的590um和1260um发光带的发光强度较老化前明显增强,650um有新的发光带.研究了老化产生的深能级的来源及对LED发光特性的影响.  相似文献   

18.
CsPbX_3(X=Cl, Br, I)全无机钙钛矿量子点具有高发光量子效率、制备工艺简单、发光光谱可调、较窄的半峰宽、较高的缺陷容忍度等优点,受到了研究人员的广泛关注,已经在太阳能电池、发光二极管、柔性显示和光电探测等领域展示出了广阔的应用前景。目前,CsPbX_3量子点主要通过卤素组分调控,表面改性和掺杂稀土离子、过渡金属离子等手段来实现量子点的多色发光,然后实现多色发光LED器件的制作。总结了近年来多色钙钛矿量子点CsPbX_3(X=Cl, Br, I)的制备、光学性质及其在LED器件中的应用进展。  相似文献   

19.
以单层聚对苯乙炔(PPV)薄膜发光二极管为例,研究其薄膜中的电场分布,探讨其电场分布对载流子注入、输运和复合的影响,研究结果有助于揭示其发光机理,为提高发光效率提供了有益的启示。  相似文献   

20.
以国内外深海发光二极管(LED)照明灯的研究为主要对象,试图理清现有的国内外深海LED照明灯研究的发展过程和成果.整理出现有深海LED照明的关键技术,总结深海LED照明技术研究的热点和难点,以及该技术将来的发展趋势,并对现有的国内外技术做出初步的定位和分析,为进一步研究提供参考依据.  相似文献   

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