从对称到非对称双势阱中量子隧穿特性的研究

利用二能级近似通过对对称和非对称双势阱波函数的研究,揭示了基态和激发态量子隧穿随外场变化的规律。对称势阱内的量子隧穿是自发的、活跃的。非对称势阱内,即使附加静电场相当小时波函数就出现了定域,量子隧穿现象完全消失。根据波函数的动态定域特点得到了量子隧穿的动态消失过程。     

4f双ζ波函数和稀土氟化物中的化学键

在自旋不限制的INDO方案的基组中,采用了4f原子轨道双ζ径向波函数,计算了LnF_s的电子结构(Ln=Nd,Eu,Yb),并且和相应的以4f原子轨道单ζ波函数为基的INDO计算进行了比较。结果支持了稀土三氟化物中4f电子基本定域不参与成键的结论。     

静电场作用下非对称双势阱中本征问题的研究

利用二能级近似和迭代方法,研究了静电场作用下W型双势阱的本征问题和对称及非对称双势阱内本征值所呈现的各种特性.结果表明,对称势阱内存在双能级结构和确定宇称的波函数.在非对称势阱中,外场较小时,仍为双能级结构,但波函数出现定域;外场较强时,双势阱向单阱过渡,能级分布失去双能级结构,即类似单阱内能级分布.     

电子结构计算方法研究进展

电子结构方法是化学物理研究中的一个重要的研究领域。电子结构方法普遍被用来计算分子和固体材料的各种物理和化学性质,并在理解各种化学反应机理方面有着重要的基础地位。改进现有方法、发展新的电子结构方法一直是该领域的研究热点。分析和讨论了电子结构计算方法特别是基于波函数的低标度电子结构方法研究的最新进展;报告了最近在定域关联方法的发展及其在有机光电材料理论研究的应用方面所作的工作,结果表明,定域关联方法可以在大幅度降低计算代价的同时保证计算精度,是一种很有前途的实现低标度电子结构方法的途径。     

电子结构计算方法研究进展

电子结构方法是化学物理研究中的一个重要的研究领域。电子结构方法普遍被用来计算分子和固体材料的各种物理和化学性质,并在理解各种化学反应机理方面有着重要的基础地位。改进现有方法、发展新的电子结构方法一直是该领域的研究热点。分析和讨论了电子结构计算方法特别是基于波函数的低标度电子结构方法研究的最新进展;报告了最近在定域关联方法的发展及其在有机光电材料理论研究的应用方面所作的工作,结果表明,定域关联方法可以在大幅度降低计算代价的同时保证计算精度,是一种很有前途的实现低标度电子结构方法的途径。     

表面激子极化激元的定域化

在存在着随机粗糙和空间色散时，利用了一个数字模型研究表面激子极化激元的定域化．发现定域化出现在表面激子极化激元的最大频率附近，在广延态上的衰减长度大于定域态上的衰减长度，表面激子极化激元的定域化是受到粗糙表面散射波的毁灭性干涉所引起的．     

入射粒子、规范场和几何位相

证明了只要粒子在规范场中运动的方程具有定域规范不变性 ,则其波函数就是相应的无势方程的波函数和规范势沿粒子运动闭合路径不可积位相因子之乘积 .在场强为零、势不为零的复连通区域中 ,上述不可积位相为几何位相 ,由此推得 :①重力势或惯性力势沿相干中性原子运动闭合路径的不可积积分 ;②胶子势沿夸克运动闭合路径的不可积积分 ;③中间玻色子势沿轻子左 (右 )手场运动闭合路径的不可积积分 ,在上述复连通区域都各将贡献一几何位相     

随机引力场的能量─—动量张量

首次论证了在随机引力场中，其能量─—动量张量ｔｉｋ不会变零．因此，它能够具有随机的定域值．虽然，在确定性的引力场中ｔｉｋ通常被认为是不可定域的．     

随机引力场的能量———动量张量

首次论证了在随机引力场中，其能量－动量张量ｔ＾ｉｋ不会变零，因此，它能够具有随机的定域值，虽然在确定性的引力场中ｔ＾ｉｋ通常被认为是不可定域的。     

薄膜干涉的定域分析

由于实际光源有一定的大小,从而引伸出了薄膜干涉的定域问题。本文从扩展光源对干涉条纹可见度的影响,分析了确定薄膜干涉定域中心及定域深度的方法。     

SURFACE SPIN WAVES FORSEMI—INFINITE MAGNETIC SEMICONDUCTOR WITH A MAGNETIC IMPURITY LAYER IN THE NARROW—BAND LTMIT

The s-d (or s-f) Heisenberg interaction modal is used to investigate the localized surface spin waves in semi-infinite magnetic semiconductor with a single impurity layer in the narrow-band limit. The dispersion relations of localized surface spin wave (LSSW) excitations are obtained by use of Green‘s function theory and the transfer matrix method, The characteristic results in some particular cases are discussed.     

三个自旋为1／2的粒子的自旋波函数

本文介绍了如何构造三个自旋为1/2的粒子的自旋波函数的方法，对于构造多粒子体系的自旋波函数具有重要的作用。     

海森堡铁磁体表面自旋波

用格林函数运动方程方法研究了海森堡铁磁体表面自旋波谱．对简单立方结构的（００１）自由表面，给出了推迟格林函数的解析表达式和自旋波的色散关系．     

自旋密度波对有次近邻互作用超导体的影响

本文研究具有次近邻互作用的2 1维BCS型超导体与自旋密度波共存的系统。在平均场近似下,应用含温度格林函数方法讨论自旋密度波序参量M对超导相变温度Tc的影响。计算表明不可能出现自旅密度波提高Tc的情况,而当M较大时,往往破坏超导电性。     

自旋非对易和各向同性谐振子

以自旋非对易为背景,研究了三维各向同性谐振子.将非对易效应看作微扰项,得到了基态和第一激发态能级的二级修正和波函数的一级修正.在得到的波函数中发现了自旋非对易引入了位形自由度和自旋自由度的纠缠,这是对易空间中完全没有的新现象.     

甲氧基取代的半醌自由基和质子超精细耦合常数的非限制Hartree-Fock计算

利用从头算非限制Hartree-Fock方法,分别计算了甲氧基取代的对一半醌和对一氢化半醌系列的不同组份的自旋密度,用经验的McConnell关系估算了电子自旋共振(ESR)实验测定的质子各向同性超精细分裂。结果表明,理论计算符合较好,经验的加和性规则不灵。为了解释醌环上两个相邻甲氧基取代基的ESR的异常测定值,必须考察溶剂效应。利用投影算符技巧讨论了有关解释得自非自旋本征态的非限制Hartree-Fock波函数的自旋密度的基本问题。得到的各体系的UHF波函数几乎全为纯的双重态。     

铁磁-反铁磁双层系统低温内能

应用线性自旋波的理论导出铁磁－反铁磁双层系统的Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型哈密顿量,采用矩阵格林函数运动方程技术得到自旋波的色散关系,利用数值计算的方法得到铁磁－反铁磁双层的低温内能。     

具有最近邻和次近邻相互作用的亚铁磁体中的自旋波

本文在无规相近似下，利用格林函数方法，研究了具有最近邻和次近邻相互作用的亚铁磁体中的自旋波。同时还计算了在有限温度下〈Ｓｚ〉随温度的变化趋势。结果表明ＮａＣｌ和ＣｓＣｌ结构亚铁磁体中的自旋波谱及Ｚ方向上的平均自旋与只考虑最近邻相互作用的亚铁磁体有很大的差别．其根源在于次近邻相互作用的引入造成了每个自旋的关联范围和强度的增加。     

单壁磁性纳米管的自旋波谱

利用量子统计理论的多体格林函数方法计算了单壁磁性纳米管的自旋波的色散关系.Armchair型纳米管的自旋波谱只有一支,这一支有int(m/2+1)条色散曲线.当q1a+q2a=2π时,自旋波能量是简并的.当纳米管的管径m(亦即圆周方向上的格点数)一定时,自旋波能量曲线随温度的升高而降低.Zigzag型磁纳米管的自旋波谱分为两支:ω1支和ω2支.每一支都有m条色散曲线.当q1b+q2b=π时,自旋波能量是简并的.自旋波能量简并在物理上是由对称性所致.     

La0.67Ca0.33MnO3电子自旋共振线宽的自旋波理论

 采用固相反应法制备巨磁电阻材料La_0.67Ca_0.33MnO₃, 测试其电子自旋共振, 并采用自旋波理论解释自旋共振线宽的变化. 通过对自旋波能量的计算机自洽计算, 得到了自旋相互作用的重正化因子{1-e(T)/S}, 重正化因子随体系温度升高而降低表明,  温度上升导致自旋波频率发生软化现象, 使得体系结构不稳定, 由此可知实验未探测到相变区自旋波能量的原因.  理论计算表明, 自旋共振线宽随温度升高而减小是由于自旋波耦合模的数目减少所致.