化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

PTFE多孔膜驻极体电荷储存稳定性的机理研究

借助于等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流测量等方法较系统地研究了充电气的聚四氟乙烯多孔材料的空间电荷稳定性了比较。通过热刺激放电电流谱分析和组合热脉冲技术探索了ＰＴＥＥ驻极体多孔膜内电荷重心的迁移规律,研究了多孔ＰＴＥＥ薄膜驻极体内脱阱电荷的输运规律。     

两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。     

聚丙烯驻极体电荷内衰减过程分析

该文对电晕极化的聚丙烯（ＰＰ）薄膜驻极体高温下电荷衰减实验的微观过程进行了分析。结果表明，由驻极体内部的电场推动的固有载流子的跃迁是造成表面电位衰减的主要原因。根据电荷衰减实验得出的数据进行计算，电荷跃迁的平均步距具有１０￣（－８）ｍ左右的大小，Ｘ射线衍射实验对此进行了验证。     

驻极体辐射剂量计的制备和剂量测量研究

介绍了电晕法制备的驻极体在电离辐射γ射线剂量测试中的应用,重点介绍了驻极体的电晕法制备装置和驻极体剂量测试装置的设计制作,描述了剂量测量装置的感应电流法工作原理、结构和特点,说明了这些特点对准确测量辐射剂量的重要性,给出了电晕法制备驻极体的电荷稳定性及辐射剂量测试的实验结果.结果表明电晕法制备的驻极体及其所建实验装置能够用于γ辐射剂量的测量.     

TiO_2锐钛矿晶化度对其光生电荷性质及光催化活性的影响

采用溶胶-水热法合成掺杂La、Zn以及La和Zn共掺杂的纳米TiO2。重点调控纳米TiO2的热稳定性及改善锐钛矿相的晶化度,在维持与P25型TiO2具有相似晶相组成条件下,考察锐钛矿相晶化度对光生电荷分离及光催化活性的影响。结果表明,La或Zn离子的引入能抑制晶相转变过程,且前者的抑制作用明显大于后者,相转变温度从500℃升高至750℃。表面光电压谱证实,锐钛矿相的晶化度越高,光生电荷越易分离。虽然La或Zn的引入可以提高纳米TiO2单位面积上的光催化活性,但却不能超过P25的活性。此结果表明锐钛矿晶化度强烈影响光生电荷的性质和光催化活性。     

油中水球静电极化束缚电荷面密度的分布

采用旋转椭球模型模拟油中水球极化后的形状，将其视为椭圆边界的物理问题，通过儒可夫斯基的正反变换，求解椭球内外的电势、电场，再由电介质的性质和椭圆有关性质，得出了束缚电荷面密度的表达式，并引入了相对束缚电荷面密度概念，得出相对束缚电荷面密度的分布与束缚电荷面密度分布两端增强中间减弱，随着D值增大，束缚电荷面密度由端点到中点的衰减率增大等结果。     

地球电场、电荷和电势状况及其分析

根据有关资料,本文讨论了地球电场、电荷和电势状况.分析了地面与大气层间电势稳定原因,好即它们之间存在复杂的电荷交换,但始终维持电荷分布的动态平衡.     

平面高反压器件的优化设计与工艺分析

本文用有限差分法解两维泊松方程,分析了在带有场限制环的平面高反压器件的制作中,硅表面不同的正电荷对最优环间距和击穿电压的影响及在掩膜间距不变的情况下击穿电压对衬底掺杂浓度和结深的灵敏性.这些结果对实际工艺生产有指导意义.     

改性膨润土吸附重金属离子

利用有机高分子改变彭润土端面带有的正电荷为负电荷，从而使膨润土的端面和表面都带有负电荷，增大了膨润土所带的负电荷总量和表面积．同时，研究了提高吸附重金属离子(Hg^2 、Cr^6 、CO^2 )的性能．实验结果表明：改性的膨润土端比未改性的膨润土对金属离子的吸附提高近20个百分点，利用X射线图证明膨润土端面改性是成功的，并解释了改性膨润土吸附重金属离子提高的原因，利用改性的办法可能进一步扩大膨润土处理工业废水的应用.     

溶胶-凝胶法合成Sr2SiO4:Eu3+,Bi3+发光体及其发光行为

采用溶胶-凝胶法，合成了Sr2—2(x y)Eux^3 Biy^3 Li^1(x^ y)SiO4发光体．得到了最佳合成条件．探讨了发光体在不同激发波长激发下的发光特性以及在激活剂、敏化剂、不同掺杂量下的发光行为．探讨了Sr2SiO4基质中Bi^3 对Eu^3 的能量传递和敏化作用．     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

CrⅥ载体氧化试剂的制备和应用研究--微波促进三氧化铬/硅胶氧化试剂的制备

研究了三氧化铬/硅胶氧化试剂的制备方法,以苯甲醇选择性氧化成苯甲醛为探针反应,考察了载体、制备方法、活化条件及微波处理对氧化剂性能的影响.实验结果表明载体对氧化剂的活性影响很大,不同载体制得的氧化剂活性顺序为HZSM-5<HM-2,石英砂,NaY<CrO3<硅藻土<硅胶;微波可有效地促进载体试剂的活化,大大缩短活化时间,提高氧化剂的活性.