提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

大功率晶体管材料参数计算与分析

为更好地研究大功率晶体管的工作原理,针对集电极最大允许耗散功率P=50 W的具体大功率晶体管参数要求,利用近似方法结合制造工艺条件进行综合分析,计算出大功率晶体管的晶片电阻率、基区和发射区表面浓度、外延层杂质浓度和电阻率等材料参数;并分析了材料质量对大功率晶体管成品率的影响和大功率晶体管的击穿原因,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。分析方法通过实验验证,具有较好的实用性。     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50,基极开路下,收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V,晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。     

E类调谐功率放大器的功率合成

通过功率合成器将Ｅ类放大器的输出功率叠加起来,作为高效的大功率ＲＦ发射机的功率输出源;对Ｅ类放大器的工作特性和同相功率合成网络的隔离、合成特性进行了分析,在最佳工作条件下,导出了集电极电流、集电极 -发射极电压波形和负载网络参数;给出了千瓦级同相功率合成实用电路,为ＲＦ发射机的设计提供了参考依据。     

Π4功率晶体管热阻的测量

一、引言在无线电设备中应用功率晶体管时,往往需要利用晶体管所能获得最大限度的输出功率以及延长管子的使用寿命。为此,在设计功率晶体管时,要求能准确地计算它的热阻;在制造和应用功率晶体管时,要求能准确地测量它的热阻。早几年,许多工作者对小功率晶体管的热阻进行了研究,建立了等效热路,提出了热阻的测量方法。但是,直到目前为止,尚未找到精确测量大功率管热阻的方法,而且     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

超高频晶体管的砷扩散问题

一、为什么要用砷(As)代替磷(P)扩散超高频硅n—p—n 平面晶体管需要有良好的高频特性,要提高晶体管的特征频率f_T,在设计中一般都采用减少发射极面积和采用窄的发射极条宽以降低发射结电容,另一方面是采用浅结薄基区以降低基区渡越时间。制版和光刻技术的发展使得管子发     

功率晶体管的并联运用

引言 在晶体管功率放大器的维修或实验中,受器材等因素的制约,常采用晶体管(型号相同,参数相近。下同)并联运用的方式,以代换某个大功率管。但并不是简单地将若干个晶体管并接,就可以稳定地工作。本文仅对功率晶体管并联运用中应考虑的几个问题作一探讨。     

细线条光刻中的一些做法和体会

近年来,超高频低噪声晶体管得到了广泛的应用,从而促进了这种器件性能的进一步提高。如已制得6千兆赫下噪声为3.3分贝的管子。众所周知,左右超高频晶体管性能的关键参数是元件横向和纵向的几何尺寸,其发展结果是横向尺寸愈作愈细,纵向尺寸愈作愈浅,刻蚀细条和浅结扩散就成为制作超高频器件工艺的特点。在确定材料参数和特性后,纵向几何尺寸只与扩散条件有关,横向几何尺寸(包括基极、发射极、基极—发射极间距、电     

准谐振开关电源高效设计方法

开关电源开关管和控制电路的集成,使电源设计可实现程序化和标准化。通过研究目前消费电子常用的开关电源模块仙童(Fairch ild)KA5Q系列,按照电源设计程序化和标准化的思路,提出了一种步进式理论计算结合经验参数的高效设计方法,并通过实验验证了该设计方法的可行性及有效性。     

晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

微小物体表面温度测量与功率管热阻测试

讨论利用红外显微测温仪测量物体微小表面真实温度的方法。通过分析测量 目标大小，响应波长范围和物体表面发射率对红外探测器响应特性的影响．提出计算非 黑体表面真实温度的表达式，并且得到满意的实验验证。利用该红外系统成功地测量了 微波功率管芯片表面的发射率分布以及在直流热耗散下芯片结区的温度分布，计算了峰 值热阻和平均热阻，为微波功率管的热设计提供了实验依据。     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。     

结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。     

高效率E类调谐功率振荡器研究

从理论上阐述了振荡器的最佳工作条件．提供了一种实用的反馈网络和振荡器的设计方 法．实验结果表明．振荡器中晶体管集电极电压、电流波形和效率与采用相同晶体管和同样工作 效率的Ｅ类放大器相同．     

典型调速工况大功率液力偶合器叶轮装配体强度分析

随着大型核/火电站装机容量的大幅度增加,大功率液力偶合器作为电站系统主锅炉给水泵调速的核心元件,其工作叶轮的强度成为影响电站系统安全稳定运行的重要因素.文章以某型液力偶合器叶轮装配体为研究对象,采用单向流固耦合计算方法,建立全流道流固耦合分析模型,其中泵轮与涡轮套的端面定位采用接触算法,用梁单元模拟螺钉联接效果,对典型工况下叶轮装配体结构强度计算分析.结果表明,装配体整体变形和应力随着转速比的增大呈增加趋势,且叶轮变形大小与对应区域旋转半径长度基本成正比,说明离心载荷是影响叶轮装配体强度的主要原因;由于螺钉预紧力效应,叶轮连接区域出现局部应力集中现象;涡轮套内缘是叶轮装配体结构强度的薄弱区域,此分析结果与文献发表结果相吻合.此项研究工作为自主大功率液力偶合器叶轮结构设计及优化提供有效的应用理论指导.     

3CCM硅磁敏三极管工作机理

本文首次指出3CCM硅磁敏三极管的磁敏效应是载流子双注入效应和霍耳效应的结合。反向偏置的收集结允许空穴和阻挡电子通过。积累在收集结附近的电子产生霍耳电场。霍耳电场和劳仑兹力对空穴产生同一方向的作用力,所以这种磁敏管的磁敏电流的线性度和灵敏度都比较高。