DYS——10型双积分式数字电压表——整机分析

一、概述数字电压表是利用模拟—数字(A—D)转换器将直流电压直接以数字显示出来的一种测量仪表。它与指针式仪表相比,具有精度高,速度快,读数方便等优点,目前广泛用来测量电压和校准电压;还可以配以各种不同的输入装置,直接显示电的(如直流电流、电阻、交流电压,交流电流等)和非电的(如压力、重量、温度等)参数。数字电压表不仅单独作为测量仪表,具有优良的特性;更重要的是,它作为A—D变换器,输出数字讯号,可以直接将结果用打印机记录下来,也可以送入计算机进行数     

电力系统电压崩溃机理问题的研究现状与评述

本文对于电力系统电压崩溃机理问题的提出、研究任务、研究的现状进行了总结，分析了现有的具有代表性的观点，提出只有将电压崩溃机理问题研究的重点放在输电网络的动态特性上，才可以探索出导致电压崩溃的根本原因。     

无序的HAN ECB－LCD

采用不摩擦技术制备了无序的混合排列型ＥＣＢ液晶盒，研究了盘中液晶的微观织构，分析了它的电光特性和视角特性．结果表明，该液晶盒是多畴结构，具有很多向错，并具有三色峰值电压分离较好、工作电压低、视角在整个平面内具有方位角对称性的特点．     

L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

双栅MOS场效应晶体管的短沟道效应

一引言早在1965年就由Ditrick,Mitchell和Dawson等人研制出世界上第一批具有实际应用价值的双栅MOS四极管,也称双栅MOS场效应晶体管,它具有频率高、噪声低、增益可控和工作稳定等特点。关于DG—MOSFET′S在我国正处于开发和研制阶段,笔者虽早已做出管芯并已发了有关文章。但对它的特性和应用还有待进一步深入研究,特别是对它的阈电压和击穿电压等随沟道长度的缩短而降低。这种现象和本质,即所谓短沟道效应,要进行深入研讨,以进一步扩大其应用领域。二短沟道效应 DG—MOSFET′S同SG-MOSFET′S一样,为了提高频率和开关特性,除增大g_(ms)/c_(gs)的比值、减小寄生电容c_(ps)等外,最有效的办法就是减小沟道长度L_1和L_2.当L_1和L_2减小到可以同它的源漏耗尽层厚度相比拟时,也会出现所谓短沟道效应(SCE),即阈电压V_(th)和击穿电压BV随L_1和     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

二氧化碳焊接电流多因子自调整模糊控制器研究

研制了一种以可编程控制器为核心器件，并通过软件方式实现稳定二氧化碳焊焊接电流的5因子调整模糊控制器，该模糊控制器可以消除因电弧电压调节，网络电压波动，保护气体纯度，以及流量，焊炬高度变化等随机因素所引起的焊接电流的偏差，从而达到稳定焊接电流的目的。焊接工艺实验表明，模糊控制器具有良好的动态特性和很好的稳定性。     

利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．     

降低扭臂结构微机械光开关驱动电压的新方法

利用机械和电学特性，推导出悬梁的位移与外加电压之间的关系，指出外加电压与扭臂厚度的3次方成正比，随上下电极之间距离的减小而降低。提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构，该结构可以通过具有倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀得到。理论分析表明，倾斜下电极结构可以使阈值电压从60V降低到32V。     

掺杂TiO2制备低压ZnO压敏陶瓷

主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明：TiO2的掺入能显著促进晶粒生长，降低压敏电压V1mA，但掺入量超过一定值后一方面会生成 阻止晶粒继续生长的晶界反应层，促使压敏电压又有所升高，另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少，导致非线性特性下。提高烧成温度可以促进晶粒生长，降低压敏电压，但温度过高时由于铋的挥发加剧，利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。     

MSOS电容器的研制及其C—V特性分析

在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ。     

AD651/652电压频率转换器的原理及应用

AD651／652是美国ANALOG DEVICE／IOS公司推出的一款高性能的同步电压频率转换器(SVFC)或A／D转换器。它具有高分辨率、高稳定性和最佳转换时间等特点，本介绍了AD651／652的主要特性、工作原理、应用接口实例以及实际应用中注意的问题。     

高频逆变式弧焊机电源的研制初探

弧焊机电源是电弧焊机的重要组成部分,它是对焊接电弧供给电能的装置,它应满足电弧焊所要求的电气特性。弧焊机电源电气性能的优劣,在很大程度上决定了电弧焊机焊接过程的稳定性。没有先进的弧焊机电源,要实现先进的焊接工艺和焊接过程自动化也是难以办到的。弧焊机电源具有较大的短路电流和较高的空栽电压等特点。高频逆变式弧焊机电源是近年来世界焊接电源界研究的新技术。它具有控制性能优异、动特性好、焊接工艺性优良、重量轻、效率高、功率因数高、引弧性能好、焊接速度快等优点,是当前国际上焊接电源设备发展的主流和方向。这种电源除了能够用于弧焊机外,还可以用作喷涂等需要大电流,低电压的设备的电源。     

一种SET的SPICE宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究

基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.     

一种单电子晶体管的Spice模型

基于单电子晶体管数学分析模型，提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较，该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型，分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。     

高压共轨喷油系统中的电磁阀

研究了电磁材料和线圈结构等因素对高速电磁阀的影响，并采用有限单元法对电磁阀的特性进行了分析计算．结果表明：影响电磁阀性能的主要参数有驱动电压、初始气隙、预紧力、运动部件的质量等．通过降低驱动电压，减小初始气隙，降低弹簧预肾力，减轻电磁阀运动部件的质量，均可以提高电磁阀的性能．     

平板型荧光显示基元伏安特性理论计算的探讨

研究平板型荧光显示器件的伏安特性对于器件的正确使用和合理设计具有重要意义。分析电子管伏安特性３／２ 方定律的立式条件而明确其适用范围。针对采用丝状阴极的结构特殊性，对３／２次方定律的基本关系式修理，得出等效二极管阳极电压、极间实际电压、渗透率、阳极有效面积等计算公式。     

阻容型分压器在脉冲电容器放电特性研究中的应用

该文设计了一种包括脉冲电阻分压器和高压云母电容器的阻容型分压器，用于脉冲电容器放电特性的实验研究。在脉冲电容器充电过程中，高压云母电容器承受高电压；在脉冲电容器放电过程中，脉冲电容器的瞬变电压在脉冲电阻分压器上产生输出电压。通过合理设计阻容分压器的电容、电阻值，可以准确测量脉冲电容器的充电电压和放电波形。该文用阻容型分压器分析了一种脉冲电容器的放电特性。     

一种用作分子电子材料的螺杂环化合物

设计并合成了一种具有螺环结构的高熔点有机分子。这种分子能够和银形成络合物薄膜，并具有很好的热稳定性和电双稳特性。络合物薄膜 8V电压作用下，可以从高阻态转变成低阻态，跃迁时间为15ns。     

浅谈矿热炉工作电压的选择

二次电压是铁合金生产中的一个非常重要的影响因素，它的选择结果直接影响电炉的生产技术指标和产品质量的好坏，当电炉的变压器容量、极心园直径、炉膛直径等等参数确定后，二次电压应该一定，如何保证电路的各种参数匹配得最佳，二次电压起着至关重要的作用，下面我们对二次电压的电气特性进行分析。