固液界面高分子吸附的格点密度泛函

提出一个固液界面高分子吸附的格点密度泛函理论。该理论解释了相邻格点的相互作用以及由高分子链连接导致的长程相关性。在均相混合Helmholtz自由能和简单加权方法的基础上,构建了一个包含局域和非局域贡献的Hemholtz自由能泛函。该理论所预测的密度分布与计算机模拟结果吻合很好,与Scheutjens-Fleer理论结果相比有明显的改进。     

Rh13原子簇的电子结构和磁性性质研究

利用离散变分-局域自旋密度泛函方法对Rh13原子簇在进行了电子组态优化和键长优化的基础上,计算得到了原子簇的平衡键长、结合能、态密度分布和净磁矩,所得与实验更为接近,对理论计算值与实验结果的差异给出了可能的解释。     

Cu(111)表面能及功函数的第一性原理计算

应用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了铜体材料的结合能及晶格常数的理论值,并由此计算了Cu(111)面的表面能及功函数。计算所得到结果与实验数据吻合较好。     

非均匀硬球流体的一新密度泛函

在Ｔａｒａｚｏｎａ的内禀自由能的权重密度近似的基础上，我们提出了一个新的权重函数和一新的内禀自由能密度泛函．应用这一泛函，我们计算了硬球—硬壁介面的密度分布。得到了与模拟结果更好的符合。     

以密度泛函理论及相关方法计算电负性标度

在化学及相关领域里电负性是非常基本的重要概念，而电负性标度是极其有用的理化参数。应用密度泛函数理论及其局域密度近似、局域密度近似加非局域性校正和改进的Slater过渡态方法，并在计算中考虑了相对论效应，把元素的电离能和电子亲合能的计算扩到周期表的107种元素，并依据能量型标度的定义式，采用有限差分方法计算了这107种元素的电贡性及其标度，同时计算结果较以前文献报道同样根据密度泛函理论便使用其他方法诸如近似的交换相关泛函数的计算结果有所改进，与实验值更为接近，该电负性新标度将在分子结构参数化表达、生物活性自适化预测和构效关系定量化模建等方面获得广泛应用。     

固液界面接触角的微观理论

应用非均匀流体的平均场局域密度泛函理论,计算了固液界面的接触角,揭示了接触角与分子间作用势的关系.简要地整理了研究流体界面的平均场局域泛函理论.     

Co掺杂GaSb电子结构和磁特性的第一性原理研究

运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了Co掺杂GaSb半导体的电子结构和磁特性,交换关联泛函采用局域密度近似(Local Density Approximation,LDA),通过U的引入对Ga-d电子和Sb-p电子的库仑作用势能进行修正,计算得到GaSb的禁带宽度和晶格常数与实验值相符.计算结果表明,Co替代Ga(Co@Ga)缺陷可以产生2μ_B的局域磁矩,而Co替代Sb(Co@Sb)缺陷对体系的局域磁矩没有贡献.Co@Ga产生局域磁矩之间的耦合为铁磁耦合,其居里温度的理论计算值高达410 K.对Co掺杂GaSb半导体的铁磁耦合机制进行了解释,为实验上制备GaSb基铁磁性半导体提供了理论依据.     

以密度泛函论与局域近似法及改进过渡态计算软硬度

应用密度泛函论(DFT)及其局域近似法(LDA)、局域近似法加全域性校正(LDB：LDA-GCE)和改进斯莱特过渡态法(MST)，并依能量型标度定义，采用有限差分法(DDM)，同时考虑相对论效应，对元素电离能P和电子亲合能Q及原子软硬度U等进行精确估计与理论预测．把计算扩展到全部112种元素，计算值相当文献值水平或优于其它近似泛函法．更接近实验值,该U值在分子模建与设计等方面将获广泛应用。     

基于密度泛函理论的第一性原理赝势法

第一性原理计算方法有着半经验方法不可比拟的优势,基于密度泛函理论第一性原理赝势法已经成为现代材料计算和设计的重要基础和核心技术。本文对基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法进行了扼要分析。     

α-Al2O3(0001)表面电子结构的理论研究

采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法，在周期边界条件下的k空间中，对最外表面终止层为单层Al的α-Al2O3(0001)表面结构进行了弛豫与电子结构计算研究．通过分析表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化，表明表面能级分裂主要来自于O的2p轨道电子态变化，α-Al2O3(0001)表面明显地表现出O的表面态．通过电子局域函数图，进一步分析了表面成键与表面电子分布特性．     

用于核数据采集的DMA接口

介绍了一个基于微型计算机的ＤＭＡ数据获取接口。该接口已用于核物理实验，其优点是硬件线路简单、可靠，数据获取速度可达μｓ量级。     

基于VC6.0的OpenGL与Windows图形接口设置方法

详细介绍了OpenGL和Windows图形接口的原理及相关技术细节，介绍了Windows操作系统对OpenGL的支持，论述了用VC6．0设置其接口的方法步骤，并基于工程应用的思想给出了实例，该实例具有一般普遍性。     

红曲霉界面生长动力学模型的建立

采用界面培养系统,模拟红曲霉固态发酵过程。将红曲霉发酵过程分为快速期,减速期和衰退期,进而建立了界面上红曲霉生长的动力学模型。模型较好地吻合了界面上红曲霉生长的动力学曲线,反映了红曲霉固态发酵过程中微环境下的生长过程。     

de Siter引力规范理论的双重自对偶—反自对偶分解与引力的联络动力学

从Ｄｉｒａｃ矩阵的Ｃｌｉｆｏｒｄ代数出发，建立一个ｄｅＳｉｔｅｒ引力规范理论，给出其Ｈａｍｉｌｔｏｎ表述，对Ｌｏｖｅｎｔｚ指标和时空指标进行双重自对偶—反自对偶分析，从而得到一个典型的杨－Ｍｉｌｓ型联络动力学引力理论，这个理论继承了Ａｓｈｔｅｋａｒ理论的优点，克服了它的不彻底性．     

河流表层沉积物界面性质的研究

运用表面络合模式和原理，研究了黄河表层沉积物的界面特征，确定了零电点、电荷密度、表面吸附位和表面固有常数，用原子吸收分光光度法测定了天然水环境生物膜对铜和镉的吸附作用。     

西文状态下汉字图形用户界面的设计

本文讨论了在西文操作系统下汉字图形界面的实现方法,以及在这类程序中的输入控制技术。     

微机多功能接口卡及微机实验系统的研制

本文论述了微机多功能接口卡的硬件原理电路和微机实验系统的组成及运行的结果，并讨论了演示软件的编写思想和部分程序清单。图１，参６。     

液-液界面上气泡生长行为

以硫酸水溶液-锌汞齐(汞电极)体系,实验研究了液-液界面上化学反应形成气体产物时气泡的生长规律。发现,界面上气泡生长行为随着反应过程的进行相应发生变化,反应刚开始瞬间,气泡主要在液-液界面上成核,以后主要在液-液-固三相交界处成核,气泡的整个生长过程经历了成核、长大、滑移、聚并以及脱离界面逸出等步骤。气泡脱离界面前,其生长半径与反应时间的三分之一次方呈线性关系。     

计及界面作用的单向复合材料统计强度

对单向纤维增强复合材料的纵向拉伸破坏进行了细观统计分析。基于随机扩大临界核统计模型，结合含纤维／基体界面损伤的应力集中分析结果，导出了具有界面剪切强度效应的复合材料的强度分布函数和破坏准则，得到了复合材料拉伸强度与界面剪切强度的关系，为复合材料微结构的优化设计提供了重要的理论依据。文中用已有的实验证实了本文方法和结果的正确性和合理性，并定量地讨论了最优界面粘合问题。